Structure and stability of boron nitride cages

The structure and energy of boron nitrides,(BN)n (n=10-41), have been investigated theoretically. The most stable cages have been constructed on the basis of a simple design principle, and the predicated stability has been validated at the B3LYP/6-31G^* level of theory. Among these,the Th symmetrical (BN)12 cluster has been confirmed to be the most stable cage on the basis of the calculated disproportation energy and binding energy per BN unit.     

统一框架下对超核5ΛHe,9ΛBe,6ΛΛHe和10ΛΛBe基态结合能的研究

用α集团模型和少体理论方法研究了超核5ΛΗe,9ΛΒe,6ΛΛΗe和10ΛΛΒe的基态结合能.所采用的α-α势符合低能α-α散射实验及8Be的基态共振能量,Λ-α势是用Λ-N势及α粒子密度分布函数拟合5ΛΗe的基态结合能的实验值得到的,Λ-Λ势是通过拟合6ΛΛΗe基态结合能的实验值而得到的.用一组α-α势,Λ-α势和Λ-Λ势统一描述这4个超核的基态结合能并得到了合理的结果.     

改进的双重Q2重标度模型的检验

针对原双重Q^2重标度模型存在的问题，提出了改进的双重Q^2重标度模型．在保持核动量守恒的条件下，精细调整原双重Q^2重标度模型、重标度参数之后，用唯象的方法找到了一套重标度参数公式。建立了重标度参数与原子核的平均结合能之间的联系．由该模型的重标度参数公式可以得出A≥4的所有核的重标度参数值，利用这些参数值所得到的束缚核子内部分子分布函数，对轻子-核DIS过程给出了满意的解释．     

低指标Pt晶面CO吸附位置及结合能

用从头算法，对CO在Pt（100）和Pt（111）晶面的顶位吸际进行了理论研究，研究表明：CO在Pt（100）和Pt（111）晶面顶位吸附的几何构型和振动波数不依赖晶面原子簇模型的选择，CO在两个晶面的吸附结合能分别为222kJ/mol和175kJ/mol，计算结果与近期发表的热力学实验数据吻合。     

激子-声子系强耦合理论(一)

本文将Peker强耦合极化子理论加以推广,并用于处理激子-声子强耦合系统,导出了激子的基态有效哈密顿量,对某些材料的激子结合能进行了数值计算。我们的结果与实验测量值很好地符合,而且我们的结果比其它理论的结果更好。     

隐色道效应与Σ*Δ双重子结构

在手征SU(3)夸克模型下应用共振群方法,研究了奇异数为-1的Σ~*Δ(S=3,T=1/2)双重子系统的结构,主要研究了考虑隐色道后系统结合能的变化情况.研究发现无论是单道还是耦合道,系统均可以形成束缚态;加入隐色道之后,系统的结合能增加了20MeV左右,更有利于束缚态的形成.     

缺陷对Si(100)表面的In量子线的影响

半导体表面的研究是当前半导体物理中极为活跃的一个领域,Si(100)面是硅最重要的低指数面之一．它在半导体工业中有着广泛的应用,几乎所有的集成电路都是建造在这一表面上的．因此在Si(100)表面形成纳米或原子级有序结构成为人们关注的焦点之一．在Si(100)表面上,空位是常见的缺陷之一,即表面Si二聚体的空缺．     

III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN量子点,量子点高度和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中束缚激子的结合能升高,激子态的稳定性增强,提高了激子的离解温度,使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/A lxGa1-xN量子点中激子的结合能升高,载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN/A lxGa1-xN量子点,杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时,束缚激子的结合能最大,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子结合能减小,激子的离解温度下降。     

单轴异性对氮化物半导体中浅杂质态的影响

利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题.采用London模型,用变分法计算浅杂质态的结合能,研究材料的单轴异性对浅杂质态的结合能的影响.对G aN,A lN和InN三种材料进行数值计算,给出了结合能随异性角(总动量与主轴之间的夹角)的变化关系,结果表明结构异性对结合能的影响显著.     

压力下应变纤锌矿有限厚势垒异质结中杂质态的结合能

对应变AlxGa1-xN/GaN单异质结构,考虑理想界面异质结有限厚势垒,引入简化相干势近似计入三元混晶效应,利用变分法对流体静压力下体系中杂质态的结合能作了数值计算,并讨论了不同垒厚、杂质位置及组分对结合能的影响,且与无限厚势垒情形作了比较.结果表明:当垒厚、组分较小且沟道层中杂质位置靠近界面时,有限厚势垒杂质态的结合能明显大于无限厚势垒情形.