键函数位置对二聚苯π-π相互作用能的影响

本文在二级Mφller-Plesset微扰理论(MP2)水平,使用核中心基函数加入键函数并结合BSSE的均衡校正方法计算了二聚苯的结合能,探讨键函数的最佳位置,并考察了键函数的计算效率。在aug-cc-pVDZ*基组水平下,键函数到二聚苯几何中心的距离r在0.5～1.0之间的结合能明显优于r=0处,都接近于每种键函数的极限值,且变化幅度较小;键函数3s3p2d的最佳位置到二聚体几何中心的距离为0.8。研究结果表明,在合适位置的键函数能够显著地提高计算效率。     

有限宽势垒AlxGa1-xAs/GaAs三角势量子阱中施主结合能及其压力效应

对有限宽势垒Alx Ga1-xAs/GaAs量子阱系统,引入三角势近似势阱能带弯曲,利用变分法讨论施主杂质态结合能.给出结合能随阱宽、杂质位置和铝组分变化关系,并与方阱情形对比.结果显示:三角势近似下结合能明显小于方阱情形,且两者的差别随阱宽和铝组分(势垒高度)而增加,随势垒厚度增加而减少,但阱内杂质位置的变化对其影响不甚敏感.进而,考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,所得结果显示,结合能之差在压力作用下明显增大.     

有限厚势垒量子阱中杂质态结合能

利用变分法对有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算,给出杂质态结合能随阱宽、垒厚和杂质位置的变化关系,且与无限厚势垒情形进行比较.结果表明,有限厚势垒杂质态结合能明显小于无限厚势垒情形.同时,在中间阱宽时,这两种情形的杂质态结合能差别最大,在宽阱时,差别最小.此外,还考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力变化对杂质态结合能的影响.     

稀有气体小团簇研究

原子团簇是几个至上千个原子组成的相对稳定的聚集体,其性质与单个原子、分子和大块固体均不相同,例如幻数和壳层结构、热力学效应等．正为物理、化学和材料科学共同关注。介绍形成团簇的实验质谱技术,结合MonteCartt,方法模拟部分IJ团簇的结构,分析稀有气体团簇幻数规律和特性。     

碱卤晶体结合能的理论计算

用函数ψ=Ae-λr作为离子晶体结合能中除库仑作用之外的排斥势能,其中A,λ由点阵常数r0和压缩率β决定,计入这个函数得到的碱卤晶体结合能与实验值误差很小。     

用变分拟合方法计算电场下锯齿型多量子阱的激子结合能

采用一种变分拟合的简单方法计算了电场下锯齿型多量子阱的激子结合能,对计算结果给出了合理的解释     

验证键应弛豫模型的一个特例

在绝热近似下利用两种独立的紧束缚模型计算了Si单晶(金刚石结构)沿其自然解理面(111)面解理所需的能量。结果表明,单位1×1面积所需的解理能正好等于晶体中Si原子之间紧束缚键能的一半。这一结果验证了本文作者最近提出的键应弛豫模型。     

介电常数的修正对半导体异质结中杂质态结合能的影响

采用连续电介质理论计入对材料介电常数的修正,利用变分法讨论半导体单异质结中界面附近的单电子束缚于施主杂质的基态结合能.对A lxG a1-xA s/G aA s和G axIn1-xN/InN等几种半导体异质结做了数值计算,给出杂质态结合能随杂质位置的变化关系.结果表明:当杂质处于垒材料中远离界面时,介电常数的修正对结合能无明显影响;当杂质靠近界面且组成异质结的两种材料的介电常数相差较大时,计入修正后的结合能低于已有的近似结果,最大降低可达5%~6%(x=0.3).     

白藜芦醇二聚体与眼镜蛇神经毒素的作用机制

通过Discovery Studio软件模拟白藜芦醇不同结构二聚体与眼镜蛇神经毒素(NT)的相互作用,采用波长365nm的光诱导白藜芦醇二聚体的形成,通过紫外-可见光谱分析和荧光光谱分析得到不同白藜芦醇浓度和不同光照时间下NT的紫外-可见光谱和荧光光谱,并对结合能及作用参数进行了运算.结果表明:相比于单体,白藜芦醇二聚物对NT的结合能更大、作用更强;波长365nm的光照射白藜芦醇后,NT光谱发生了变化,紫外光吸收增强,吸收峰红移,荧光猝灭,有新发射峰生成;荧光猝灭速率常数为5.62×1012L/(mol·s),猝灭机制属于静态猝灭;白藜芦醇二聚物和NT的结合常数为5.12×105L/mol,结合位点数为1,结合距离为3.40nm,易发生非辐射能量转移;同步荧光光谱显示白藜芦醇二聚体可与NT的酪氨酸和色氨酸残基作用,羟基氢键导致其亲水性提高;白藜芦醇二聚体与NT的主要作用位点在色氨酸残基.     

论分子中键合原子的性质——Ⅰ 基团电负性和键合原子的内壳层结合能

讨论了键合原子内壳层结合能和它的分子环境的关系。报导了从XPS实测数据得到的表征分子环境影响的若干基团参数值和基团电负性。