晶体结合能的计算

本文导出了一个计算晶体结合能的公式.计算所得结果与实验值基本吻合.     

受磁场作用的量子阱激子

本文试用两种方法计算ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ复合量子阱中激子结合能增量与磁场的关系，计算结果与实验相符。     

聚乙炔(Polyacetylene)中的电导

从分析聚乙炔的结构出发,在总结实验事实的基础上,提出了一个研究其电导的模型:它是沿链上、链间和纤维间三部分的贡献之和.从量子力学的普遍原理出发,分别算出了它们的数值;讨论了各种极限情况,能很好地解释实验事实.     

声子色散对激子结合能的影响

本文计及纵光学声子的色散关系,计算了TlCl和TlBr中激子的结合能,得到了比较好的结果。     

稀土单硫代二苯甲酰甲烷配合物的XPS研究

测定并研究了单硫代二苯甲酰甲烷（ＨＴＤＢＭ）及其稀土配合物Ｌｎ（ＴＤＢＭ）４［（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ］Ｈ（Ｌｎ＝除Ｃｅ、Ｔｍ外的Ｌａ－Ｌｕ）的光电子能谱（ＸＰＳ）。结果表明：Ｌｎ３＋离子通过Ｏ原子和Ｓ原子配位形成螫合物，Ｌｎ—Ｏ键和Ｌｎ—Ｓ键均具有一定程度的共价性；从Ｌａ到Ｌｕ，配位键的离子性逐渐增强；观察到Ｌａ３＋配合物３ｄ５／２具有伴峰现象。     

GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移.     

Ⅲ族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下，运用变分方法，考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下，研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心时，对于InxGa1-xN／GaN量子点，量子点高度和In含量存在临界值，当参数大于临界值时，约束在QD中束缚激子的结合能升高，激子态的稳定性增强，提高了激子的离解温度，使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子的结合能升高，载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN／AlxGa1-xN量子点，杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时，束缚激子的结合能最大，系统最稳定；随着施主杂质下移，激子结合能减小，激子的离解温度下降。     

鼓泡法测量有机薄膜力学性能

为了检验鼓泡法测试薄膜力学性能的可靠性,用鼓泡法试验研究了一种有机薄膜的弹性模量、弹性极限,及其在低碳钢基体上粘结的界面结合能.结果表明,该膜力学性能的测试结果与鼓泡法试样尺寸无明显关系,且与单向拉伸和拉脱实验结果基本相符.鼓泡实验测得该膜的二维弹性模量Y为(2.5±0.3)GPa,弹性极限σ e 为(14.0±1.5)MPa,界面结合能G为(13.9±2.2)N/m.     

平均场加邻近轨道相互作用对力模型对超铀区大形变核的应用

利用严格可解的平均场加邻近轨道相互作用对力模型来描述大形变核 .将该模型应用于超铀区的核素 .计算了2 2 6 2 3 4 Th ,2 3 0 2 40 U及2 3 6 2 43 Pu同位素的结合能和对激发能 ,并与实验结果进行比较 .     

确定晶体电子结构的单原子状态自洽法

余瑞璜发展的Pauling键长公式,吕振家等建立的结合能公式奠定了确定晶体电子结构的基础。本文以Cu,Ag和Au为例说明了建立基本原子状态的原则;介绍一种依据结合能和晶格常数实验值求解晶体电子结构的单原子状态自洽法;并以金属Cu为例介绍了采用双态杂化、三态杂化和多态杂化的求解步骤;指出不论选取基本原子态的种类和数目有何不同,与实验值符合的解都是相同的,若只依据这两种性质之一来求解晶体电子结构则会出现多解。