包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象

采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.     

Bi2Mo3O12在苯酚-过氧化氢羟基化反应中的催化性能

以硝酸铋和钼酸铵为原料，采用溶胶-凝胶法和微波加热技术制备了Bi2Mo3O12纳米微粒催化剂，使用XRD，TEM以及BET比表面测试等技术对催化剂进行了表征，研究了Bi2Mo3O12纳米微粒对苯酚-过氧化氢羟基化反应的催化活性，探讨了H2O2/phOH摩尔比，反应介质，反应温度以及反应体系pH等对苯酚羟基化反应活性的影响，实验结果表明：所制备的样品为白钨矿型纳米微粒，粒子的比表面积为68.8m^2/g，粒径约为12nm，在所选定的反应条件下，苯酚的转化率达50.3%，苯二酚的产率为49.9%。     

基于富勒烯纳米结构材料光限幅特性研究

应用倍频Nd：YAG脉冲激光，在波长为532nm，脉宽8ns，重复频率10Hz的条件下，研究了新型基于富勒烯纳米结构材料(C60—bpy—Au)的光限幅特性，实验发现，其限幅特性较C60有提高，且光限幅特性与所用的溶剂有关。     

浅谈控制系统中数学模型建立的几种方法

主要阐述控制系统中数学模型的内涵，建立数学模型的几种方法，同时根据传递函数特点进行系统分析，为时域或频域分析打下基础。     

K2PtCl6/PVP体系四面体形状纳米铂的控制合成

以适量聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂, 用H₂还原K₂PtCl₆水溶液高选择性(>80%)地合成了四面体形状的纳米铂晶粒(3~8 nm). 采用透射电子显微镜(TEM)和紫外可见光谱仪(UV-Vis)研究了合成体系四面体形状纳米铂晶粒的合成过程. 合成体系纳米铂胶体吸收光谱数据表明, 纳米铂晶粒的生成经历了由快到慢的转变过程. TEM数据表明, 绝大多数四面体形状纳米铂晶粒不是在成核和快速生长阶段, 而是在小晶粒(<3 nm)的缓慢生长阶段生成. 这些结果说明纳米铂的四面体形状很可能是通过晶粒生长中的表面晶面淘汰形成的.     

纳米金颗粒在石英晶体微天平检测DNA中的表面修饰作用

采用石英晶体微天平(QCM)技术, 用不同粒径的纳米金颗粒来进行QCM的表面修饰, 提高对单链靶标DNA的检测灵敏度. 在相同的实验条件下, 通过研究5~60 nm范围内不同粒径纳米金颗粒对QCM表面的修饰作用发现: 金颗粒粒径的大小对DNA探针在石英晶体微天平表面的固定量和DNA的杂交率均有影响. 20 nm粒径的金颗粒对QCM表面修饰作用为最佳, 能最好地提高DNA检测灵敏度.     

纳米氧化钴的制备及其超电容特性

实验制得粒径为3 nm左右的氧化钴微粒材料并以此制成电化学电极. 分析测试表明该氧化钴微粒不仅粒度小, 具有较大的比表面积(192 m²/g)及适宜的孔径分布(1~3 nm为主), 而且在一定程度上解决了小颗粒材料存在的团聚问题. 电化学测试表明, 此电极具有典型的电容性能, 单电极比容量为370~401 F/g, 主要以超电容形式存在.     

纳米碳管的管内物理化学过程

纳米碳管所特有的接近理想一维的中空管内腔可以引发很多宏观表面上不可能发生的物理化学过程, 吸附、填充于其中的反应物可实现纳米尺度内的反应, 因此纳米碳管可视为“纳米试管”. 从纳米碳管的化学性质入手, 对纳米碳管管中化学(纳米碳管中空管中发生的物理化学过程)这一新兴研究领域的起源、研究进展进行了评述, 讨论了纳米碳管中发生的超常吸附、充填、纳米级反应过程, 并对“纳米试管”这种纳米级反应器的特点和可能发生的奇特物化过程进行了展望, 同时还讨论了对纳米碳管中空管结构进行控制的方法.     

高精度陀螺仪力矩器施矩电路的设计

介绍了陀螺仪力矩器施矩电流的产生原理以及数字——施矩电流转换电路的二元调宽实现，详细阐述了二元调宽脉冲施矩软件和硬件电路的设计方法．经过实验测试和工程实践，该电路工作稳定，达到了系统精度要求．     

全数字井壁取芯控制仪的样机研制

针对现有井壁取芯器带有机械运动部件或不能进行双向通讯的弊端，研制了一种采用电源自调制数据远动技术进行半双工数字通讯、采用可控硅阵列进行电子选发的全数字井壁取芯控制仪、由于硬件电路和控制软件都采用了多项抗干扰措施，提高了该控制仪的可靠性，目前，该控制仪已在大庆油田完成实验，效果令人满意．