电刷镀纳米镍薄膜表面形貌和沉积生长机理分析

采用电刷镀技术在铜基体表面上制备光亮的纳米镍薄膜。通过FESEM,AFM,SEM观察,分析纳米镍薄膜的二维和三维表面形貌。利用XRD估算纳米镍薄膜的晶粒平均尺寸,探讨纳米镍薄膜沉积生长机理。     

纳米科技及其发展前景

纳米科技是在20世纪80年代末、90年代初才逐步发展起来的前沿、交叉性新兴学科领域,它的迅猛发展将在21世纪促使几乎所有工业领域产生一场革命性的变化.目前所有发达国家的政府和企业都在对纳米科技的研发进行大量的投入,试图抢占这一21世纪科技战略制高点.     

纳米复合固体超强酸S2O2-8/ZrO2-Fe2O3-SiO2作为酯化催化剂的研究

采用纳米化学制备技术合成了新型的纳米固体超酸催化剂S2O2-8-/ZrO2-Fe2O3-SiO2,并找出了催化剂制备的最佳条件.该催化剂对酯化反应有很高的催化活性,并具有耐水性强、可重复使用、再生容易、不腐蚀设备、不污染环境等优点,有应用前景.     

Al_2O_3/SiC纳米陶瓷复合材料的制备及力学性能

采用一次粒径分别为10nm和15nm的αAl2O3和SiC粉体为原料,制备了Al2O3/SiC纳米陶瓷复合材料·纳米SiC颗粒明显抑制Al2O3基体晶粒的长大,SiC体积分数超过4%时,材料的断裂方式由沿晶断裂变为穿晶断裂·随SiC含量的增加,Al2O3/SiC纳米复合材料的硬度增大·材料的弯曲强度和断裂韧性在SiC体积分数为5%时达到最大值·最大三点弯曲强度和断裂韧性分别为641MPa和47MPam1/2,明显高于热压单相Al2O3陶瓷(344MPa和31MPam1/2)·复合材料的强化主要来源于内晶颗粒残余应力强化和晶粒细化...     

甲醇液相氧化羰化合成碳酸二甲酯动力学研究

研究了不同Schiff碱配合CuCl对甲醇液相氧化羰化合碳酸二甲酯反应的影响，得到了Schiff碱与CuCl复合催化体系的动力学方程，通过对实验数据的处理，得到了相关动力学参数，研究结果表明，当催化剂的浓度为0.2mol/L，Schiff碱与CuCl的量满足cSchiff base/cCuCL=2:1的条件，反应温度为120℃，反应压力为2.4MPa,CO与O2的进气摩尔比为2：1时，phen/CuCl复合催化体系的反应速率最快，其动力学方程为－dpCO/dt=0.216p^1.10PCO,活化能为44．31kJ/mol.     

化学气相沉积法合成ZnS纳米球

以碳纳米管层作为空间限制反应的模板，采用化学气相沉积法（CVD）生长ZnS纳米球。透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）实验结果显示出其生成物为β－ZnS纳米球，直径为70nm左右，具有颗粒均为、纯度高、产率大、成本低、适于批量化生产等特点。     

纳米磁性材料及其应用

纳米磁性材料是纳米材料中最早进入工业化生产,应用十分广泛的一类功能材料.纳米磁性材料的特性不同于常规的磁性材料,其原因在于与磁性相关联的特征物理长度恰好处于纳米量级,例如磁单畴尺寸,超顺磁性临界尺寸,交换作用长度,以及电子平均自由路程等大致处于1-100nm量级,当磁性体的尺寸与这些特征物理长度相当时,就会呈现反常的磁学与电学性质.利用这些新特性,已涌现出一系列新材料与众多应用.     

燃烧法合成纳米长余辉发光材料BaAl2O4: Eu, Nd

目的：应用快速简便的方法制备纳米新型长余辉发光材料。方法：首次利用金属硝酸盐和络合还原剂发生氧化还原反应，燃烧合成了蓝绿色纳米级长余辉发光材料BaAl2O4:Eu,Nd，生成的材料进行了XRD和TEM分析，结果：材料粒子直径为30－70nm，平均为40nm左右，与此同时，发光材料的发射峰位置发生了显著的蓝移。结论：燃烧法是制备纳米发光材料的快速有效的方法。     

多层耐磨硬涂层纳米力学性能评定新方法

阐述了利用纳米硬度计研究涂层纳米力学特性的纳米压痕方法以及涂层纳米力学特性、附着、断裂韧性的评定指标 ,分析了载荷P与压入深度h关系曲线和载荷P与压入深度平方h2 关系曲线的特征 ,并提出用P -h和P -h2 关系曲线完整描述涂层纳米力学特性的方法 P -h2 曲线与P -h曲线一道就可完整反映涂层界面失效、断裂失效的整个过程 应用该方法对化学气相沉积 (CVD)TiN/Ti(C ,N) /TiC/Ti(C ,N) /TiCTi(C ,N) /TiC七层耐磨硬涂层进行了研究 结果表明 ,其具有较高的硬度、韧性和耐磨性     

界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.