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121.
基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”.n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。 相似文献
122.
Ni2MnGa铁磁形状记忆材料 总被引:1,自引:0,他引:1
铁磁形状记忆合金 (FSMA)是在一定温度范围马氏体相稳定同时又具铁磁性的一类特殊的形状记忆合金。Ni2MnGa铁磁形状记忆合金近年来成为呈现磁场驱动大应变的新型驱动材料 ,这些应变来自磁场诱发马氏体孪晶的重排 ,而不是磁场对奥氏体至马氏体相变的作用。孪晶变体的重排在宏观上呈现为正或切应变 ,一非化学计量比Ni2 MnGa单晶于室温加 0 .4T磁场能产生6 %的应变 ,Ni Mn Ga单晶在高至 15 0Hz的交变磁场仍可得到 2 .5 %的应变。本文阐述了与这种磁控形状记忆效应相关的孪晶界迁动的磁学和晶体学理论。马氏体相的大磁晶各向异性能使磁化沿c轴方向有利 ,穿过孪晶界c轴刚好转动 90度 ,同时 ,这个孪晶界也构成了约 90度的畴界。在各向异性的情况下 ,孪晶界的迁动仅有相邻孪晶变体的Zeeman能差驱动 ,μ0 ΔMis·Hi。磁场和外应力对应变的影响通过对一简单的自由能表达式取极小值来表示 ,自由能表达式包括Zeeman能、磁晶各向异性能和外应力以及在某些情况下需考虑的内部弹性能 ,模型的所有参数可通过应力 应变曲线和磁化曲线测量得到。铁磁形状记忆合金的磁场诱发应变可类比传统热弹性形状记忆效应 ,与更为人们所熟知的磁致伸缩现象不同。 相似文献
123.
采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/非磁金属隔离层/FeMn多层膜, 研究了交换耦合场Hex相对于非磁金属隔离层厚度的变化关系. 实验结果表明: 随非磁金属隔离层厚度的增加, 以Bi和Ag为隔离层的Hex薄膜急剧下降, 以Cu为隔离层的薄膜的Hex下降较缓慢. 对Cu而言, 它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同且晶格常数相近, Cu层以及FeMn层都可以相继外延生长, FeMn层的(111)织构不会受到破坏, 因此, Hex随Cu沉积厚度增加缓慢下降. 对Ag而言, 虽然它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同, 但晶格常数相差较大, Ag层以及FeMn层都不可能外延生长, FeMn层的织构将会受到破坏, Hex随Ag沉积厚度增加迅速下降. 对Bi而言, 不仅它的晶体结构与NiFe层的不同, 而且晶格常数相差也较大, 同样, Bi层以及FeMn层也不可能外延生长, FeMn层的织构也会受到破坏, 因此, Hex也随Bi沉积厚度增加迅速下降. 但是, X射线光电子能谱研究表明: 极少量的表面活化原子Bi沉积在NiFe/FeMn界面时, 会上浮到FeMn层表面, 因而Hex下降很少. 相似文献
124.
张向牧 《河北师范大学学报(自然科学版)》2003,27(4):364-367
根据两格点分子场理论,在考虑重稀土与钴的磁矩偏离反平行倾角的基础上,分析了钴基化合物RCo5(R=Y,Pr,Nd,Gd,Tb,Dy)的磁化与温度的关系,采用数值拟合的方法得到了描述3种磁作用的分子场系数n(CoCo),n(RCo)和n(RR),计算出了Tc,结果表明,RCo5中的磁作用主要由钴3d电子问的交换所决定。 相似文献
125.
126.
《中国高校科技与产业化》2003,(4):45-45
硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于1985年由国家计委批准投资建设,1987年通过国家验收,1988年对外开放。目前硅材料国家重点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究创新及高级人才培养的主要基地之一,是对外学术交流的重要窗口。以该实 相似文献
127.
128.
129.
大梯度磁滤处理饮用水源微污染的试验研究 总被引:1,自引:1,他引:1
以水厂现场试验为依据,对影响磁滤器处理效果的各项因素进行了分析.结果表明磁滤器处理效果与磁场强度、滤速、沉淀出水密切相关.它对水中污染物,尤其是细菌和有机物具有很好的去除效果,与传统工艺相比有机物去除率平均提高34.21%,最高达68.8%,出水水质优于传统水处理工艺的出水. 相似文献
130.
研究半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑的渐进行为,证明了其依指数形式收敛到稳态解的特性。 相似文献