离子束作用下动态靶的计算机模拟

固体中离子传输和原子碰撞级联的计算机模拟程序ＴＣＩＳ已发展起具有模拟离子 束作用下固体靶中成分动态演变的功能。本文详细介绍动态 ＴＣＩＳ模拟程序的物理模 型及计算方法，给出算例及有关问题的讨论。动态 ＴＣＩＳ可以研究离子束轰击三元靶 的复杂问题：如大剂量离子注入、择优溅射和界面混合等。     

F_e~+注入Si中的研究

本文的工作以内转换电子穆斯堡尔谱为主,并结合离子探针以及电学和光学等参数的测量,对硅中注入的F_e~+进行综合研究。根据实验结果我们认为在低温退火前后,高剂量注入的铁不是均匀地分布在注入层中,而是处在高浓度集中的微区中,并处在替位位置。低温退火后尽管晶体电学特性已基本恢复,但多数铁仍处于非电活性状态。高温退火后在注入层中形成铁硅化合物相的观点进一步由离子探针的实验结果得到证实。高温退火后晶体电阻率较大可能是由于铁硅化合物的析出在晶体中产生了大量的缺陷。     

离子辐照与发光多孔硅

报道了离子辐射损伤地多孔硅的形成及其发光性质的影响，硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅，注入剂量增加，光荧光谱强度减弱，谱峰红移，半高宽减小，如果样品被非晶化将不发光，因此，为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据，制成的图形分辨率达２μｍ。     

氮离子注入金属及陶瓷材料耐磨性能综合评价的方法

离子注入金属材料,改善其表面的摩擦学性能是该项技术的主要应用范围之一．如何评价其改善的效果,则是该项技术的重要问题之一．本文通过对Ｎ＋离子反冲注入表面镀有Ｃｒ或Ｔｉ元素的ＧＣｒ１５轴承钢及烧结碳化钨（ＷＣ－Ｃｏ）的耐磨性能的测试方法进行了研究．实验表明：通过定量的测定一对摩擦副的摩擦系数反映材料表面耐磨性能,比单纯测量一对摩擦副的磨损量评价材料表面的耐磨性能,更客观,更科学,且使改性的效果得到了量化．     

MEVVA离子束技术的发展及应用

金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用.另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时,过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒),当工件加上适当的负偏压时,等离子体中的离子在工件表面沉积,可以得到高质量的、平整致密的薄膜,称为磁过滤等离子体沉积.是一种先进的薄膜制备的新技术.此外,将MEVVA离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜,可以极大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜.适用于基材与薄膜性能差别大,结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜).本文简要介绍了MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和MEVVA复合技术的发展和应用状况.     

利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

作者介绍了SiC MESFET(metal semiconductor field effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点,最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。