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61.
报道了离子辐射损伤地多孔硅的形成及其发光性质的影响,硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅,注入剂量增加,光荧光谱强度减弱,谱峰红移,半高宽减小,如果样品被非晶化将不发光,因此,为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据,制成的图形分辨率达2μm。 相似文献
62.
低能N+注入凤仙花的变异检测 总被引:7,自引:0,他引:7
以低能N 注入凤仙花(Impatiens balsaminaL)种子后获得了高茎、矮茎2个变异品系.对其进行过氧化物同工酶(POD)检测的结果表明,2个变异品系叶片的POD分子大小、表达强度和条带数目与对照相比都发生了一定变化.随机扩增多态性DNA(random amplified polymorphic DNA,RAPD)分析结果也表明变异品系DNA链的脱氧核苷酸序列发生了变异,从25个随机引物中筛选出了9个具有多态性.实验证明适当剂量的低能N 注入能够在基因水平引起凤仙花的变异,为花卉产业的发展提供了一种遗传育种手段. 相似文献
63.
离子注入金属材料,改善其表面的摩擦学性能是该项技术的主要应用范围之一.如何评价其改善的效果,则是该项技术的重要问题之一.本文通过对N+离子反冲注入表面镀有Cr或Ti元素的GCr15轴承钢及烧结碳化钨(WC-Co)的耐磨性能的测试方法进行了研究.实验表明:通过定量的测定一对摩擦副的摩擦系数反映材料表面耐磨性能,比单纯测量一对摩擦副的磨损量评价材料表面的耐磨性能,更客观,更科学,且使改性的效果得到了量化. 相似文献
64.
MEVVA离子束技术的发展及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用.另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时,过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒),当工件加上适当的负偏压时,等离子体中的离子在工件表面沉积,可以得到高质量的、平整致密的薄膜,称为磁过滤等离子体沉积.是一种先进的薄膜制备的新技术.此外,将MEVVA离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜,可以极大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜.适用于基材与薄膜性能差别大,结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜).本文简要介绍了MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和MEVVA复合技术的发展和应用状况. 相似文献
65.
以采用机械合金化和热等静压法制备的纳米结构9Cr-ODS钢为研究对象,利用高分辨率透射电镜和扫描透射电镜的高角环形暗场像等手段分析了9Cr-ODS钢的微观结构特征;利用400keV离子加速器向9Cr-ODS钢及无ODS的Eurofer97钢中注入4×1017/cm2氦离子,对比了氦泡尺寸.结果表明:纳米结构9Cr-ODS钢的平均晶粒尺寸约05μm,存在两种尺寸不同的析出相:超高密度弥散分布的纳米尺度Y2Ti2O7析出相和倾向于在晶界形成的尺寸较大的Mn(Ti)Cr2O4析出相.ODS钢中的氦泡尺寸明显小于Eurofer97钢,说明纳米析出相对粗大氦泡的形成有明显的抑制作用. 相似文献
66.
67.
某些微生物是高质量油脂的生产者.微生物油脂不仅有益健康,而且是生物柴油潜在的油脂来源.中国是个油脂资源缺乏的国家,开发微生物源油脂具有重要的意义.本文以产油微生物——高山被孢霉菌为出发菌,以单细胞油脂多不饱和脂肪酸产率为筛选目标,采用二步离子束诱变-筛选的策略,获得了高产菌株.研究了高产菌株的营养需求,创建了重复利用提油后的残体(菌粕)合成微生物油脂的技术.针对丝状真菌高密度发酵的传能和传质问题,研制了6×50和4×200m3大容量专用反应器组,单位发酵容积生物量达38.2g/L(发酵液)、油脂20.67g/L.其中具有重要生理活性的花生四烯酸产率最高达9.89g/L,平均为8.97g/L.花生四烯酸提取和精炼后的残油转化为生物柴油,主要指标达到国家生物柴油标准. 相似文献
68.
69.
对纯铜进行表面机械研磨处理(SMAT),获得纳米晶表层,且晶粒尺寸沿深度方向逐渐增大。采用离子注入技术在纳米晶纯铜中注入碳,利用透射电子显微镜(TEM)与高分辨电子显微镜(HRTEM)进行原位动态观察。结果表明,碳在基体的表面析出,形成无定形碳膜,在电子束的照射下形成洋葱状富勒烯。同时讨论了离子注入、电子束照射、纳米晶结构及碳原子与铜原子的相互作用对碳洋葱状富勒烯形成的影响。 相似文献
70.
氩离子等离子体源离子注入的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
吴丹 《湖南文理学院学报(自然科学版)》2008,20(1):35-38
应用PIC-MCC方法模拟了氩离子等离子体源离子注入过程,考虑了离子与中性粒子的电荷交换碰撞和弹性散射,模拟了不同电压、不同气压及不同等离子体密度下氩离子到达靶表面的能量分布和入射角分布,讨论了碰撞对能量分布和入射角分布的影响. 相似文献