全离子注入锗光电晶体管的研制

采用锗材料研制出了工作在 1.55μm波长的全离子注入光电晶体管 .选用 (12 0 keV ,2 .5× 10 12 cm- 2 ) +(2 6 0keV ,5× 10 12 cm- 2 )的硼注入和 16 0keV ,5× 10 14 cm- 2 磷注入 ,6 50℃ 15s快速退火 ;采用聚酰亚胺作为钝化膜以及台面结构 .NPNGe光电三极管的hFE=4 0～ 180 .在波长为 1.55μm、功率为 0 .7μW的光照下得到了 4 0 A·W- 1的响应度     

B^＋注入Si的辐射损伤和退火特性

本文用ｘ射线衍射仪测定了Ｂ＾＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＾＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度，注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐射损伤恢复的退火特性。     

InGaAs／InP量子阱材料生长后置无序技术的研究

研究了氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的规律，研究结果表明，由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移。蓝移的大小与量子阱的宽度，阱距表面深度，注入离子剂量，能量，及退火条件有关，研究所得的参数对设计量子阱集成光器件有重要参考价值。     

氮离子注入金属及陶瓷材料耐磨性能综合评价的方法

离子注入金属材料，改善其表面的摩擦学性能是该项技术的主要应用范围之一。如何评价其改善的效果，则是该项技术的重要问题之一。本文通过对Ｎ＾＋离子反冲注入表面镀有Ｃｒ或Ｔｉ元素的ＧＣｒ１５轴承钢及烧结碳化钨（ＷＣ－Ｃｏ）的耐磨性能的测试方法进行了研究。实验表明：通过定量的测定一对摩擦副的摩擦系数反映材料表面耐磨性能，比单纯测量一对摩擦副的磨损量评价材料表面的耐磨性能，更客观，更科学，且使改性的效果得到了     

用双潘宁型离子源进行钇离子注入的实验研究

钇在不锈钢材料及高温超导材料中均起着重要重要，本实验记要研究实现钇离子注入ＺｒＯ２衬底上铜膜中的方法，使用双潘宁型多电荷重离子源，以氧化钇作为溅射材料进行离子注入，研究工作着重于氧化钇插入件的制备及钇离子的出束，注入等，样品经ＸＰＳ，ＥＰＭ及ＡＥＭ测试证实钇的注入深度达１μｍ，钇的最高组分（ｗ）为７３％。     

ＭＥＶＶＡ 离子束技术的发展及应用

金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体．通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的 金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是 ＭＥＶＶＡ 离 子 源 技 术．将 载 能 离 子 束 用 于 离 子 注 入,可 以 实 现 材 料 表面改性．经过 ＭＥＶＶＡ 源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此 ＭＥＶＶＡ 离子源在离子注入材料表面改 性技术中得到很好的应用．另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同 时,过 滤 掉 真 空 弧 产 生 的液滴（大颗粒）,当工件加上适当的负 偏 压 时,等 离 子 体 中 的 离 子 在 工 件 表 面 沉 积,可 以 得 到 高 质 量 的、平 整 致 密 的 薄 膜,称为磁过滤等离子体沉积．是一种先进的薄膜制 备 的 新 技 术．此 外,将 ＭＥＶＶＡ 离 子 注 入 与 磁 过 滤 等 离 子 体 沉 积 相 结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的 方 法 制 备 薄 膜,可 以 极 大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜．适用于基材与薄膜性能差别大,结合不 易 的 情 况（例 如 陶 瓷、玻 璃表面制备金属膜）．本文简要介绍了 ＭＥＶＶＡ 离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和 ＭＥＶＶＡ 复合技术的发展和 应用状况      

常压下强电场电离辐射诱导种子变异方法的研究

通过改变强电场放电体系的物理参数,控制离子的能量和浓度,诱导种子变异,得到变异体,并检测其种子活力、酶活性、DNA、蛋白质的变化,得到性状变异谱,寻找诱导种子变异的规律和最佳方案.