ＭＥＶＶＡ 离子束技术的发展及应用

金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体．通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的 金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是 ＭＥＶＶＡ 离 子 源 技 术．将 载 能 离 子 束 用 于 离 子 注 入,可 以 实 现 材 料 表面改性．经过 ＭＥＶＶＡ 源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此 ＭＥＶＶＡ 离子源在离子注入材料表面改 性技术中得到很好的应用．另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同 时,过 滤 掉 真 空 弧 产 生 的液滴（大颗粒）,当工件加上适当的负 偏 压 时,等 离 子 体 中 的 离 子 在 工 件 表 面 沉 积,可 以 得 到 高 质 量 的、平 整 致 密 的 薄 膜,称为磁过滤等离子体沉积．是一种先进的薄膜制 备 的 新 技 术．此 外,将 ＭＥＶＶＡ 离 子 注 入 与 磁 过 滤 等 离 子 体 沉 积 相 结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的 方 法 制 备 薄 膜,可 以 极 大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜．适用于基材与薄膜性能差别大,结合不 易 的 情 况（例 如 陶 瓷、玻 璃表面制备金属膜）．本文简要介绍了 ＭＥＶＶＡ 离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和 ＭＥＶＶＡ 复合技术的发展和 应用状况      

常压下强电场电离辐射诱导种子变异方法的研究

通过改变强电场放电体系的物理参数,控制离子的能量和浓度,诱导种子变异,得到变异体,并检测其种子活力、酶活性、DNA、蛋白质的变化,得到性状变异谱,寻找诱导种子变异的规律和最佳方案.     

后注Ar^＋对高能注P^＋硅中二次缺陷的影响

用剖面的电子显微术(XTEM)研究了后注Ar~+对高能注P~+硅中二次缺陷的影响。结果表明,后注Ar~+像后注Si~+一样能够减少高能注P~+硅中的二次缺陷。但这种效果与退火过程密切相关,退火应该在后注Ar~+之后,而不是在其之前。实验还发现,在适当退火条件下,后注Ar~+产生的新二次缺陷比后注Si~+产生的要少一些。物理机制分析认为,后注Ar~+减少二次缺陷的物理机制与后注Si~+的是相似的。     

Simulation methods of ion sheath dynamics in plasma source ion implantation

Progress of the theoretical studies on the ion sheath dynamics in plasma source ion implantation (PSII) is reviewed in this paper. Several models for simulating the ion sheath dynamics in PSII are provided. The main problem of nonuniform ion implantation on the target in PSII is discussed by analyzing some calculated results. In addition,based on the relative researches in our laboratory, some calculated results of the ion sheath dynamics in PSII for inner surface modification of a cylindrical bore are presented. Finally, new ideas and tendency for future researches on ion sheath dynamics in PSII are proposed.     

等离子体源离子注入离子鞘层及鞘层扩展动力学计算方法

综述了近年来国内外对等离子体源离子注入离子鞘层理论研究的进展情况. 介绍了研究离子鞘层扩展动力学所常用的几种计算方法并通过比较指出了其各自的优缺点及适用条件. 通过对一些计算结果的分析指出了在PSII实验中常见的样品表面离子注入不均匀等问题出现的原因及解决办法, 介绍了PSII方法用于柱状长管子内表面改性时的计算结果, 并力图展望今后PSII离子鞘层扩展动力学计算的发展趋势.