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411.
研究离子注入对高速钢材料的硬度、耐磨性和表面层组成的变化规律。分析离子注入各类刀具特别是滚齿刀工业应用的寿命试验结果。提出了离子注入对高速钢材料及刀具改善物理与机械性能的基本原理和特点,并以滚齿刀为例,进行了经济效益分析。 相似文献
412.
在 80 keV能量下.将不同剂量的氮离子注入到 1Cr18Ni9Ti不锈钢表面;用电 化学及物理表面分析等方法研究了注氮不锈钢在混酸介质中表面耐蚀改性机理。结果 表明:不锈钢经氮离子表面改性注入后,其耐蚀改性能力随注入剂量的不同而差异较 大。适当的氮离子注入使材料的极化电阻提高;维钝电流密度下降;表面有非晶层产 生,使材料耐蚀性大大提高。当注入剂量较大时,表面层形成弥散的氮化物相,导致 耐蚀性下降。 相似文献
413.
分析了Xe~+离子注入聚合物Q膜的拉曼光谱,对原始Q膜的拉曼谱线进行了指定.实验结果表明,随离子注入量的增加,其分子结构的特征谱线逐渐消失,当注入剂量达1×10~(17)Xe~+/cm~2时,注入层中原始膜的全部谱线消失,只在~1550cm~(-1)处出现宽的拉曼峰,说明注入层的分子结构遭到破坏,出现类似非晶碳的结构,注入层的电导率增加与其结构变化密切相关. 相似文献
414.
415.
本文用全自动化x射线衍射仪给出了As~+注入Si的x射线衍射峰分布。用Levenberg-Marguarat法模拟实验曲线,根据x射线衍射的运动学理论,在试探应变函数和多层模型的基础上,通过自编程序计算给出了As~+注入Si后晶格变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化。同时,测量了As~+注入Si后在不同温度下的扩展电阻,将扩展电阻换算成电阻率。结果表明,离子注入引起晶体微观结构的变化——晶格应变与晶体宏观电学性质——电阻率的变化基本上一致。 相似文献
416.
用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n~+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10~(14)cm~(-2))+80 key(5×10~(13)cm~(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10~(10)~10~(11)cm~(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10~20V,该结构在600℃以下是稳定的. 相似文献
417.
BF^+对^29Si^+注入GaAs层的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF~+对离子注入层特性的影响。认为BF~+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF~+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。 相似文献
418.
用Mo+C和W+C双离子注入H13钢制备表面优化复合层的研究 总被引:1,自引:9,他引:1
首次给出了Mo+C和W+C双离子注入H13钢合成优化表面层机理的研究结果,包括表面薄碳膜和弥散硬化层的形成。电镜中观察到这些离子注入时晶粒细化和密集位错的出现,同时在晶界间析出相以MoC为主,在晶界内析出相则以Fe2MoC和MoC为主;这将使晶界强化和位错强化效果增强。X射线衍射分析表明,注入层中出现了弥散的FE2C,Fe5C2,FeMo,Fe3M02,MoC,MoCx,Mo2C,Fe2w,Fe7W6,WC和W2C相。由于这些弥散相的存在使注入层硬度和抗磨损效果均有明显的提高。首次用俄歇分析观察到表面有一层碳膜存在,这将引起表面的自润滑效果。 相似文献
419.
用大束流密度的钼金属离子注入硅,由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼。实验中发现,当注量均为5×10^17cm^-2时,随束流密度的增加,硅化钼生长,其电阻率明显下降,当束流密度为0.50A.m^-2时,方块电阻R口最小,其值为90Ω。X衍射分析表明,当束流密度为0.25A.m^-2时,硅化钼衍射峰很小,难于辨认,当用0.50A.m^-2注入时,3种结构的硅化钼明显出现,对0.2 相似文献
420.
研究了一种新型自对准硅化物MOS晶体管制备技术,通过Co/Si固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率CoSi_2薄膜,在CoSi_2/Si结构中进行杂质离子注入,用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算,选择适当的注入能量,使注入的杂质浓度峰值位于CoSi_2/Si界面附近,经快速退火,可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型NMOS晶体管。该文还研究了注入在CoSi_2/Si结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化,结果表明,磷在热处理过程中,存在向硅衬底较强的扩散趋势,而硼则明显不同。 相似文献