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401.
402.
在注入能量为100keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge 注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1 050℃,退火时间为5~30 min.对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件.在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生长,90%的注入Ge 位于替代位置,若同时考虑应变弛豫,则位于替代位置的Ge 达到理论最大值的82%,共格因子为0.438.由于高剂量Ge 注入引起表面晶格损伤严重以及应变弛豫释放的位错和缺陷,因此,表面结晶质量不太理想. 相似文献
403.
β-甘露聚糖酶菌株的复合诱变选育及发酵条件的优化 总被引:8,自引:0,他引:8
利用离子注入和紫外线复合诱变,筛选到了一株产β-甘露聚糖酶的优良枯草芽孢杆菌(Bacillus subtilis)M-66,作者采用“系统全面反馈实验优化技术”优化了发酵条件,并使其发酵液酶活从出发菌株M-1的37.03U/mL提高到优化后的150.12U/mL。 相似文献
404.
通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计,初步构造出离子注入的分布图像,通过与实验结果比较,进一步完善模型,选用高斯与半高斯混合模型,得到了与实验结果更吻合的模拟方案,从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)离子注入的最佳条件,并研制了性能良好的VDCFET。 相似文献
405.
采用室温离子注入和低压电镜原位观察的方法,研究了注氢对国产ODS铁素体钢微观结构的影响.结果表明:原始未注氢ODS铁素体钢中存在有一定数量的(Fe,Cr)2O3,室温注氢后,(Fe,Cr)2O3无明显改变;但将其加热至450℃,(Fe,Cr)2O3即开始分解;到550℃时,部分(Fe,Cr)2O3消失,残余(Fe,Cr)2O3的成分也发生了改变.与此相反,原始未注氢ODS铁素体钢的微观结构在加热过程中却没有明显改变,(Fe,Cr)2O3并不分解. 相似文献
406.
分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10~(16)cm~(-2)和As通过SiO_2层注入硅时(As射程等于SiO层的厚度),注入的样品经高温退火后,As杂质剖面出现拐点。以拐点为分界划分出快扩散和慢扩散两个区域。用Boltzmann-Matano)方法计算了As在退火期间在硅中的扩散系数。用高压透射电镜观察表明,从硅表面到拐点处存在着高密度的缺陷,并且分析了缺陷在1~12s期间的发展过程。结果表明。在最初1~3s内已形成了高密度缺陷,且这种缺陷热稳定性很高,即使经1 150℃180s退火仍然存在。在此基础上分析高密度缺陷对增强扩散影响的模型。 相似文献
407.
研究高能离子与C60晶体相互作用,是认识高能离子与凝聚态物理相互作基本规律和开发应用C60分子材料的基础,对实现C60分子掺杂以及这种材料开发应用都具有十分重要的意义,利用120keVH^ 离子注入C60薄膜,系统研究不同注入剂量对C60薄膜结构的影响,用Raman散射技术分析了H^ 离子在C60薄膜中引起的辐射效应,分析结果表明,H^ 离子辐照会影响C60薄膜结构,使C60薄膜产生聚合和薄膜非晶碳化现象,上述现象产生与辐照注入离子的辐射剂量有关,在整个辐照过程中电子能损起主导作用,电子能损有明显的退火效应,致使C60由晶态向非晶态转变过程中,经历了一个石墨化的中间过程,即晶态C60分子→石墨化→非晶碳这一过程。 相似文献
408.
Nb离子注入Ti—Al合金的氧化性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同注量Nb离子注入的Ti-Al合金(Al的原子分数为48%)在900,950℃静止空气中的恒温氧化行为.研究发现:注量为3×1017cm(-2)的Nb可以显著改善该合金的高温抗氧化能力;随注量的增加(3×1015→3×10(17)cm(-2)),其改善能力得到增强;离子注入Nb是通过改变氧化反应初期的氧化形式和Ti-Al合金氧化层的显微结构而发挥作用的. 相似文献
410.
使用质子H ̄+和聚焦Ga ̄+离子束方法,在GaAs/AlGaAs量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱,测量了由于Al从AlGaAs势垒向GaAs量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移,并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。 相似文献