硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究

本文研究了硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火,对注B 和注P 样品分别测量了经1100℃、15秒和1050℃、12秒退火后注入层的载流子浓度分布,并与950℃、30分钟常规热退火样品作了比较;结果表明,卤钨灯辐照快速退火具有电激活率高、注入杂质再分布小及易于推广使用等优点.对于100keV、1×10~(15)cm~(-2)P 注入样品,经1050、10秒卤钨灯辐照退火后,表面薄层电阻为74.8Ω/□;对通过920(?)SiO_2膜,25keV、1×10~(15)cm~(-2)B 注入样品,经1100℃、15秒卤钨灯辐照快速退火后表面薄层电阻为238.0Ω/□;而经过950℃、30分钟常规热退火后,以上两种样品的表面薄层电阻分别为72.0Ω/□和245.8Ω/□.采用这种退火方法制作出了结深为0.10μm 的近突变P~ N 结,并测量了结深与退火时间的关系.     

离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究

利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场.     

钛注入钢中纳米钛铁相结构的抗腐蚀特性

透射电子显微镜观察表明 ,经过Ti注入的钢 ,在注入层中形成了直径为1 0～ 30nm的FeTi和FeTi2 相 ,其长度大约为 1 5 0～ 32 0nm .用扫描电子显微镜观察结果显示 ,表面形成了连续树枝状结构 .这种致密的结构具有很高的抗磨损特性和抗腐蚀特性 .电化学测量结果表明 ,随注入剂量的增加 ,腐蚀电流密度明显的下降 ,用 3× 1 0 18cm-2 剂量的Ti注入比未经注入的H1 3钢降低了 88%～ 95 % ,而用 6× 1 0 17cm-2 注入再经过 5 0 0℃退火 2 0min后 ,其腐蚀电流密度极大的下降 ,其值比未注入的样品腐蚀电流还小 98%～ 99% ,扫描电子显微镜观察表明 ,经过 40个周期电位扫描腐蚀后 ,表面未出现腐蚀坑 ,说明经过退火后 ,形成了具有优异抗腐蚀特性的改性层     

离子注入甜菜种子生物效应

N+离子注入甜菜种子后 ,在对叶片过氧化物酶同工酶的分析中 ,发现酶的活性与离子注入的剂量有关 ,低剂量的离子注入有利于酶的活化 ,同时产生新的酶带 ,其生长量和生长势也有明显增加 ,尤其以注入剂量 4× 1 0 16/cm2 和 6 0次脉冲处理为佳 .     

离子注入的~(75)As在SiO_2薄膜中的射程参数

用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析，测出了７５Ａｓ在样品中的射程分布．将实验测出的射程参数与ＴＲＩＭ９０程序预言的结果作了比较，结果表明，实验测量的Ｒｅｘｐｐ与ＴＲＩＭ９０程序计算的Ｒｃａｌｐ值符合得很好，而ΔＲｐ的值符合较差，ΔＲｅｘｐｐ普遍大于ΔＲｃａｌｐ．上述现象产生的原因可能是在注入过程中Ａｓ原子发生了辐射增强扩散     

稀土Er掺杂Ⅲ—V半导体发光材料的制作

本文报道采用离子注入法在Ⅲ—V半导体(GaAs,InP)中掺Er,用优良退火技术可得到效果较好的光致发光材料.     

C＋注入Si的晶格畸变

本文用ｘ射线双晶衍射法测量了注入能量为１４０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１４～１×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２，退火温度为５００℃～７００℃的Ｃ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．在多层模型和试探畸变分布函数的基础上，用ｘ射线衍射的动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格畸变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况     

Al离子注入Al—SiO2的研究

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．     

人工心脏瓣膜材料的抗凝血性能和使用安全性研究

心脏瓣膜病严重威胁人类健康. 植入人工心脏瓣膜是挽救此类病人生命的可靠途径. 全世界已超过200万例植入了热解碳人工心脏瓣膜. 但人工心脏瓣膜植入体内后的凝血问题是国际医学界的一大难题. 本文综述报道用离子束技术对人工心脏瓣膜材料进行表面处理以改善其血液相容性及使用安全性的研究结果.