低能重离子对DNA单链断裂的定量测定及注量效应曲线的分析

比较了低能Ｎ＾＋离子注入和＾６０Ｃｏ－γ射线所致小牛胸腺ＤＮＡ单链断裂的差异,并用辐射生物学多种数学模型拟合分析了它们的量效关系。从ＤＮＡｓｓｂ的角度得到了“以鞍型”曲线的实验证据,结果表明;Ｎ＾＋离子注入的量效曲线,明显不同于常规电离辐射;γ辐照的量效关系呈指数型,其单位剂量的ＤＮＡｓｓｂ在不同剂量下基本保持在一定水平,而注量Ｎ＾＋离子的ＤＮＡｓｓｂ在低注量区存在一个明显的峰值,然后迅速下降并维     

离子注入机高压舱参数光纤隔离遥控方法的研究

２８０ｋＶ全离子注入机由处于高压舱内的离子源、磁分析器及其与高压电极相连的加速管、四极透镜、扫描装置和靶室等部件组成，如图１所示．从离子源引出的离子束先经磁分析器分选，经高压加速系统使带电粒子加速到一定能量后，再经四极透镜传输到扫描系统，最后轰击到靶...     

离子注入过程中金属间化合物的生长模型

给出了在离子注入过程中金属间化合物生长的一个数学模型。在准静态近似下,利用分区处理和引入快、慢变量的方法,给出了该模型的近似解。得到了生长速率与微缺密度、注量率、热发射率之间的定量关系。     

双离子注入增强退火效应的研究

本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.     

0．28 MeV Zn离子注入GaInP／GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究

对于GaAs衬底(100)面上用金属有机物气相淀积(MOCVD)技术外延生长的GaInP/GaInAsP 单量子阱,在室温下进行0.28 MeV的Zn 离子注入,选用的注量从1×1014～5×1014 cm-2.通过双晶X射线衍射光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明在所选用的注量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038,说明在这样的注入条件下,注入区的结晶态仍然保持地比较好.在较高注量下应变达到饱和,应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.     

α粒子注入研究的一些新进展

回顾了本小组近年来利用α粒子注入技术和透射电镜研究３１６Ｌ不锈钢中氦泡形成行为的成果。     

离子注入聚醚砜（PES）膜的介电频谱与红外光谱分析

用15keVAr^ 和N^ 注入纯PES膜和掺碘PES膜，掺碘PES样品离子注入后的介电谱表明，随注入剂量的增加，损耗峰秽向高频，损耗峰的高度下降。离子注入纯PES膜的介电损耗在(0～10)MHz内小于0．062，没有松驰特性，是制作布线的理想材料。红外光谱表明，离子注入引起PES膜结构变化。     

注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响

选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。