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391.
392.
用热氧化的方法在Si片上制备了不同厚度的SiO2薄膜,把能量100keV和180keV的75As离子分别注入上述衬底,用2.1MeV的4He离子对注入后的样品作了背散射分析,测出了75As在样品中的射程分布.将实验测出的射程参数与TRIM90程序预言的结果作了比较,结果表明,实验测量的Rexpp与TRIM90程序计算的Rcalp值符合得很好,而ΔRp的值符合较差,ΔRexpp普遍大于ΔRcalp.上述现象产生的原因可能是在注入过程中As原子发生了辐射增强扩散 相似文献
393.
王飞武 《河海大学常州分校学报》1997,(3)
本文报道采用离子注入法在Ⅲ—V半导体(GaAs,InP)中掺Er,用优良退火技术可得到效果较好的光致发光材料. 相似文献
394.
本文用x射线双晶衍射法测量了注入能量为140keV,注入剂量为1×1014~1×1016ion/cm2,退火温度为500℃~700℃的C+注入Si的摇摆曲线.在多层模型和试探畸变分布函数的基础上,用x射线衍射的动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线,得到晶格畸变随注入深度的变化,以及在不同退火温度下的恢复情况 相似文献
395.
在Al-SiO2系统中进行Al离子注入以改善Al膜质量和提高其与SiO2基底的结合力;注入能量为70keV,注入剂量分别为5×1015/cm2和5×1016/cm2Al离子.结果表明注入后膜基结合力提高了10倍以上,显微硬度也明显提高.然而,高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生,降低了膜基结合力.Al离子注入还使薄膜晶粒细化,从而改善薄膜的韧性. 相似文献
396.
397.
在注入能量为100keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge 注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1 050℃,退火时间为5~30 min.对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件.在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生长,90%的注入Ge 位于替代位置,若同时考虑应变弛豫,则位于替代位置的Ge 达到理论最大值的82%,共格因子为0.438.由于高剂量Ge 注入引起表面晶格损伤严重以及应变弛豫释放的位错和缺陷,因此,表面结晶质量不太理想. 相似文献
398.
通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计,初步构造出离子注入的分布图像,通过与实验结果比较,进一步完善模型,选用高斯与半高斯混合模型,得到了与实验结果更吻合的模拟方案,从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)离子注入的最佳条件,并研制了性能良好的VDCFET。 相似文献
399.
采用室温离子注入和低压电镜原位观察的方法,研究了注氢对国产ODS铁素体钢微观结构的影响.结果表明:原始未注氢ODS铁素体钢中存在有一定数量的(Fe,Cr)2O3,室温注氢后,(Fe,Cr)2O3无明显改变;但将其加热至450℃,(Fe,Cr)2O3即开始分解;到550℃时,部分(Fe,Cr)2O3消失,残余(Fe,Cr)2O3的成分也发生了改变.与此相反,原始未注氢ODS铁素体钢的微观结构在加热过程中却没有明显改变,(Fe,Cr)2O3并不分解. 相似文献
400.
分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10~(16)cm~(-2)和As通过SiO_2层注入硅时(As射程等于SiO层的厚度),注入的样品经高温退火后,As杂质剖面出现拐点。以拐点为分界划分出快扩散和慢扩散两个区域。用Boltzmann-Matano)方法计算了As在退火期间在硅中的扩散系数。用高压透射电镜观察表明,从硅表面到拐点处存在着高密度的缺陷,并且分析了缺陷在1~12s期间的发展过程。结果表明。在最初1~3s内已形成了高密度缺陷,且这种缺陷热稳定性很高,即使经1 150℃180s退火仍然存在。在此基础上分析高密度缺陷对增强扩散影响的模型。 相似文献