钴离子注入硅化钴的形成和微波功率管制备的特性

用大束流密度的钴金属离子注入硅能够直接合成性能良好的薄层硅化物. 束流密度为0.25~1.25 A/m², 注入量为5 × 10¹⁷ cm^-2. 用透射电子显微镜(TEM)和电子衍射(XRD)分析了注入层结构. 结果表明随束流密度的增加, 硅化钴相生长, 薄层硅化物的方块电阻R_S明显下降. 当束流密度为0.75 A/m²时, R_S明显地下降, 说明连续的硅化物已经形成. 当束流密度为1.25 A/m²时, 该值达到最小值3.1 W. XRD分析表明, 注入层中形成了3种硅化钴Co₂Si, CoSi和CoSi₂. 经过退火后, R_S进一步地下降, RS最小可降至2.3 W, 说明硅化钴薄层质量得到了进一步的改善. 大束流密度注入和退火后, 硅化钴相进一步生长, Co₂Si相消失. TEM对注入样品横截面观察表明, 连续硅化物层厚度为90~133 nm. 最优的钴注入量和束流密度分别为5 × 10¹⁷ cm^-2和0.50 mA/cm². 最佳退火温度和退火时间分别为900℃和10 s. 高温退火(1200℃)仍然具有很低的薄层电阻, 这充分说明硅化钴具有很好的热稳定性. 用离子注入Co所形成的硅化钴制备了微波功率器件Ohm接触电极, 当工作频率为590~610 MHz, 输出功率为18~20 W时, 同常规工艺相比, 发射极接触电阻下降到0.13~0.2倍, 结果器件的噪声明显地下降, 器件质量有了明显的提高.     

铒离子注入氮化镓的光学活性与缺陷掺杂变化

对100keV、1×1015cm-2的Er离子注入的GaN 退火样品的各项性质进行研究,采取光致发光(室温)、拉曼光谱和卢瑟福背散射对不同的退火样品的微观结构和光学性质进行研究.在退火样品中,均观测到了在1539nm 附近的PL峰.随着退火温度的升高,PL峰强在900℃时达到最大值.RBS结果显示随着温度的升高,Er离子不断扩散,且有部分在表面析出,导致在光学活性位置上的Er离子减少,使PL强度在更高温度下减弱.      

P+注入KTP晶体形成平面光波导的特性研究

报导了能量为 2 .8MeV、剂量为 2× 10 15离子 /cm2 的P+ 离子注入形成的KTP平面光波导 .采用棱镜耦合法来测量光波导的暗模特性 ,发现了 6条TE模 .采用反射计算方法拟合在三种不同条件 (常温 ;2 0 0℃退火 30 0min ;77K冷处理 15 0min)下波导区内的折射率分布情况     

低能离子注入L－酸生产菌生物学效应的研究

乳酸是目前世界上公认的3大有机酸之一,其广泛应用于食品、医药、化工、制革、纺织、环保和农业等诸多领域.目前随着白色泡沫污染日益严重,可生物降解的聚乳酸产品作为有可能取代造成环境污染的白色热塑产品也越来越受到人们的关注.目前,化学合成法生产乳酸均为DL型,无法达到聚L-乳酸的要求.而用微生物发酵法生产L-乳酸可以得到较高的纯度要求.本研究以低能氮离子注入L-乳酸菌,筛选到一株产量比出发菌株提高lO%的高产株RSl2-6c.     

N注入过程中Ti薄膜内的晶体结构变化

利用电子束加热沉积(EBD)法在经洁净处理的NaCl基板表面沉积Ti薄膜,并利用离子加速器向薄膜中注入62keV N+2离子,分析了N注入前后Ti薄膜中的晶体结构变化.透射电镜(TEM)观察结果表明,N原子的侵入导致Ti薄膜发生hcp-fcc相变,部分hcp-Ti转变成fcc-TiNy;N原子占据晶格中八面体间隙位置产生晶格畸变而导致的内应力可能是hcp-fcc相变的驱动力之一.随着薄膜中N含量的增加,hcp-Ti减少,fcc-TiNy成分增多.利用电子能量损失谱(EELS)测定了Ti薄膜的能量损失变化,分析认为由于N的侵入,Ti原子与N原子结合形成了TiNy化合物,N 2p外层电子主要和Ti...     

离子注镧对镍氧化膜生长及其膜内应力的影响

对纯镍及其表面离子注镧样品在900℃空气中的恒温氧化规律进行研究.用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对NiO膜的微观形貌和结构进行测试.用激光拉曼(Raman)光谱仪和X射线衍射仪(XRD)对2种样品表面氧化膜的应力状态进行测量.用次级离子质谱仪(SIMS)对氧化膜内元素Ni、O和La的深度分布情况进行测量.结果表明:离子注镧显著降低了镍的恒温氧化速率,细化了表面NiO膜的晶粒尺寸;同时将氧化膜的生长由注镧前Ni2+阳离子的向外扩散转变为注镧后O2-阴离子的向内扩散为主.X射线衍射和激光拉曼光谱测量均反映出注镧引起的膜内应力降低效应,并且结合氧化膜内应力深度分布的不均匀性及膜生长过程中存在的稀土元素效应,对2种应力测量结果之间存在的偏差进行了细致分析.     

离子注入-直流辉光放电等离子体制备Ti6Al4V-TiN-TiC生物梯度材料

本文采用离子注入、等离子体氮化和等离子体ＣＶＤ相结合的技术,制备梯度材料,解决了常规气相沉积方法难以实现金属基体到陶瓷涂层薄膜的梯度化问题．制备了附着性好、血液相容性好的Ｔｉ６Ａｌ－ＴｉＮ－ＴｉＣ生物梯度材料．     

双束注入的晶格应变

用双晶ｘ射线衍射仪测出了注入能量为１８０ｋｅＶ,不同注入剂量和不同退火温度的Ｎ＾＋＋Ａｓ＾＋双束离子注入的摇摆曲线。利用离子注入的多层模型,试探应变函数和ｘ射线衍射的运动学理论,借助于计算机,用Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ－Ｍａｒｕａｒｄｔ最优化法拟合实验曲线,给出了不同剂 退火温度晶格应变随注入深度的变化。     

低能离子注入聚苯胺薄膜结构性能研究

使用Ｎ＾＋对聚苯胺溶液流延成膜进行离子注入改性,注入剂量最高为５．０Ｚｍ＾－２,能量为１０￣４０ｋｅＶ。研究发现,本征态聚苯胺薄膜的电导率随着注入能量的增加而迅速增加,但随注入剂量的增加程度较缓慢,当能量增至３６ｋｅＶ时,电导率增加９个数量级,ＦＴＩＲ光谱图显示了Ｎ＾＋注入后,使聚苯胺分子链部分Ｃ－Ｃ和Ｃ－Ｈ的σ键断裂,从而改善了它的导电性能。Ｘ－射线衍射说明,注入离子使聚合物微观结晶性能降低,无