离子注入对纯铁表层结构及抗蚀性能的影响

作者对离子注入对退火后的纯铁表层结构及抗蚀性能的影响进行了试验研究。结果表明，注入硼离子或钼离子，可获得表面非晶薄层；铬、钼多元素离子注入，在非晶层下得到第二相，并有较明显的过渡层；经氮离子来混合镀硅，可获得较厚的表面非晶型的陶瓷层；采用上述离子注入工艺，可使纯铁的抗腐蚀性能显著提高，其中氮离子束混合处理有最佳的表面改性效果．     

注入离子分布参数的拟合研究

Ｎ注入Ｇａｐ中深度分布已被ＳＩＭＳ和＾１４Ｎ（Ｄ，ａ）＾１２Ｃ核反应测出，可用拟合程序拟合出在不同注入条件下Ｎ的分布参数，其分布参数是用皮尔逊ＩＶ型分布曲线拟合的。拟合出的参数同ＴＲ１Ｍ８９程序和邵其均等人的计算结果作了比较，拟合结果与计算结果是一致的。     

高剂量的~(40)Ar~+离子注入硅热退火行为的研究

用沟道—卢瑟福背散射技术(RBS)研宄了能量为50 KeV,剂量为3.8×10~(16)/cm~2和1.9×10~(16)/cm~2的~(40)Ar~+离子注入(111)硅衬底中的恒温等时热退火行为。结果表明,离子注入层中Ar 原子的扩散和释放以及非晶硅层的再结晶行为明显地依赖于~(40)Ar~+离子的注入剂量和退火温度。注入剂量为3.8×10~(16)/cm~2的样品,当退火温度为700℃时,表面层硅的密度明显减小,退火温度为750℃时,注入层中的大部分Ar 发生外扩散并从样品表面释放。注入剂量为1.9×10~(16)/cm~2的样品,退火过程中没有发现衬底硅表面密度的变化,而且当退火温度为900℃时,残留在注入层中的Ar 仍旧比较多。最后对这些现象进行了讨论和解释。     

钛、钼离子注入对工业纯铁腐蚀性能的影响

利用离子注入技术对工业纯铁进行了Mo 离子和Ti 离子的注入.将所选用的工业纯铁试样在40kV的电压下分别以2×1017cm-2和5×1017cm-2不同剂量的离子注入,测得离子注入后工业纯铁试样的腐蚀电流密度和腐蚀电流,并得出相应的极化曲线.从而对Ti,Mo元素对工业纯铁的抗腐蚀性作用进行了定量的比较.实验结果表明,Mo,Ti元素使工业纯铁的抗蚀性均有一定程度的提高,且当注入剂量相同时,注入Mo元素的材料,样品具有更强的抗腐蚀性.     

AS2^＋注入硅的辐射损伤和退火行为研究

本文研究了500keV As_2~ 和250keV As~ 注入单晶硅引起的辐射损伤及其退火行为.结果表明,As_2~ 注入比As~ 注入在硅中引入更大的辐射损伤;经快速热退火后,两类注入样品均能消除损伤,获得高的杂质替位率和电激活率;As_2~ 和As~ 注入样品的载流子浓度的分布有所不同,这是由于As_2~ 注入引入较大辐射损伤引起杂质的快速扩散所致.     

不锈钢攻丝用的新型丝锥

本文介绍了一种用于不锈钢材料攻丝的新颖丝锥——双头丝维，通过对比锥构造的(几何)参数和涂层材料及方法进行合理选择，使之能够高效地、经济地对不锈钢进行攻丝加工。     

基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征

通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料．Raman光谱，x射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构．这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置，且多数形成了GaMnN三元相．超导量子干涉仪的测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性．磁化强度随温度的变化曲线表明材料中存在着不同的铁磁机制．     

我集成电路核心装备研发取得重大突破

国家863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”日前在北京宣布通过科技部与北京市组织的项目验收,这标志着我国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。据了解,目前我国集成电路的几十条成批量生产线全部靠进口。缺乏核心竞争力和自主创新能力,使我国集成电路产业特别是装备等核心技术方面往往受制于人。     

离子诱变选育纤溶酶高产菌及其发酵条件的研究

在诱变育种研究中 ,寻找突变频率高 ,突变频谱广的突变源是一项重要而实效的工作 .离子注入法作为一种新的生物突变技术是近年发展起来的 ,已经引起国内外学者的广泛关注[1,2 ] .离子注入和其他常规诱变有着明显的差异 .离子注入的同时存在能量传递 ,动量传递 ,离子沉积以及电荷积累过程 .而其他的辐射诱变仅仅是利用能量传递 ;化学诱变则从分子基团的交换考虑 .因此离子注入不仅兼有辐射诱变和化学诱变的特点和功能 ,而且可以通过调整离子种类 ,能量及电荷达到有目的进行诱变的效果 .1986年 ,中国科学院等离子体物理研究所余增亮等人发现离…     

低能N^＋离子注入对超氧化物歧化酶分子二级结构及其活性的影响

超氧化物歧化酶经低能N 离子注入,应用圆二色光谱分析不同剂量低能N 离子注入对超氧化物歧化酶二级结构的影响,并分析了酶蛋白的二级结构变化对酶活性的影响.结果表明,在1×1015～10×1015ions/cm2范围,N 离子注入对超氧化物歧化酶二级结构产生影响,且不同剂量N 离子注入对超氧化物歧化酶的α-螺旋、β-折叠、β-转角及无规卷曲二级结构单元相对含量的影响程度不同.低能N 离子注入使超氧化物歧化酶的活性增加,酶活性增加与其α-螺旋结构的变化具有较好的关联性.