低能C离子注入对白芝麻生物学效应影响的研究

经低能C离子注入处理的白芝麻(SesamumindicumL.)种子,在田间进行了栽培实验,结果发现:种子注入不同注量的C离子,对其生长发育期的生物学效应有不同的影响,C离子注量为1×1011,1×1012,1×1015,5×1015,1×1016,5×1016cm-2的6个注量组的白芝麻植株的株高、叶数、茎粗及叶片面积均优于对照组,而且比对照组早进入花期,早结实,单株产量也有一定提高,特别是5×1015cm-2注量组为最优;但经较高的C离子注量(1×1017cm-2)处理后,对白芝麻种子的萌发率和生长势则有较大的抑制作用.该研究结果为应用离子注入技术对芝麻品种的改良提供了有价值的依据.     

Al-N 共掺杂p 型ZnO 薄膜制备及电学性能的研究

利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018～6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1～9Ω·cm,迁移率为1～2 cm2·V-1·s-1。与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关。此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因。     

中心电极射频感应等离子体管件内表面改性

本文利用中心电极射频感应等离子体对金属管件内壁进行表面改性处理,验证了该方法的合理性以及可行性.利用该方法制备出了类金刚石(DLC)薄膜,为管型和瓶型样品的内壁强化提供新的手段.     

难熔金属离子注入纯铝的相对浓度分布

报导大束流密度条件下Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｖ，Ｗ等难熔金属离子注入纯Ａｌ中的原子相对浓度分布和有关数据。简单讨论了束流加热及缺陷相关效应和化学反应对相对浓度分布形状的影响。     

用内转换电子穆斯堡尔谱研究氮离子注入纯铁和GCr15 钢的温度效应

在离子束注入金属材料表面改性的研究中，氮离子束注入钢已被证实是一种很有效的表面改性 方法，它能显著改善钢表面的耐磨性能，但表面性能的改善与注入条件密切相关。本文用内转换电子穆斯堡尔谱分析不同温主廿注入的纯铁和ＧＣｒ１５，并讨论注入温度对改性的影响。     

NiTi合金的离子注入穆斯堡尔谱学

简要介绍了离子注入穆斯堡尔谱学的基本原理，讨论了离子注入的不同途径，及离子注入穆斯堡尔谱学的应用。报道了作者利用离子注入穆斯堡尔谱研究ＮｉＴｉ形状记忆合金的工作。     

注入钛离子改良铅和铅锑合金腐蚀行为的研究：钛离子加速能量对腐…

应用钛离子注入以改良铅和铅锑合金在５ｍｏｌ／Ｌ的Ｈ２ＳＯ４中的抗腐蚀能力，用阶跃电位法测定的腐蚀电流和电子显微镜观察的表面腐蚀形貌来描述腐蚀行为。讨论了钛离子注入时离子的加速能量对腐蚀行为的影响。认为钛离子注入对铅的氧化和氢气的折出这两个过程有不同的作用。钛在铅和铅锑合金表面层中存在的深度范围和分布情况决定子离子的加速能量，离子的加速能量直接影响着腐蚀性能的改良。     

钴离子注入对Ni（OH）2／NiOOH电极行为的影响

用波长扫描现场椭圆振光谱方法和电化学实验技术研究Ｎｉ（ＯＨ）２／ＮｉＯＯＨ电极上的电化学反应，用离子注入技术将钴引入到镍电级表面层中，可提高Ｎｉ（ＯＨ）２／ＮｉＯＯＨ电极的充电效率。拟合椭圆法实验数据确定了充，放电过程中表面膜的转化模型，所得结果表明：在钴离子注入之后，光学模型保持不变，但Ｎｉ（ＯＨ）２／ＮｉＯＯＨ电极的充电效率可得到提高。     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

重离子导致的空洞研究

Chang等在用高剂量(10~(18)cm~(-2))离子辐射材料时观察到空洞。Grant认为空洞形成的温度范围在0.25T_M至0.5T_M之间(T_M是材料的熔化温度)。在温度低于0.25T_M、剂量低于10~(18)cm~(-2)的条件下,至今尚未观察到离子注入导致的空洞。我们采用强束流钨离子注入H13钢(0.35C 6 Cr 1.5MoV),发现当注入束流达到30μA·cm~(-2)时,离子注入能在H13钢表面形成一定尺寸的空洞。实验中所用的H13钢样品在离子注入