聚丙烯酰胺对锑掺杂二氧化锡前驱体的后处理

以SnCl4·5H2O,SbCl3和(NH4)2CO3为基本原料,采用湿化学法制各锑掺杂二氧化锡纳米粉体.研究絮凝剂聚丙烯酰胺(PAM)对锑掺杂二氧化锡(ATO)前驱体的同液相分离过滤速度和产物ATO粒径的影响及其相互作用机理.借助透射电镜(TEM)、热重一差示扫描量热分析(TG-DSC)等进行表征.研究结果表明:采用适量PAM对纳米ATO前驱体进行絮凝处理,不但能显著提高纳米ATO前驱体的固液相分离速度,缩短分离过滤时间,且能有效地抑制硬团聚的形成;采用非离子聚丙烯酰胺对纳米ATO前驱体进行絮凝处理,分离过滤时间仅为原来的1/10,所得产物平均粒径小于10nm.     

铕掺杂ZnO纳米棒的生长及其光电性能的研究

利用水热法在硼掺杂金刚石膜上生长铕(Eu)掺杂Zn O纳米棒(Zn O:Eu),其形貌与Eu的掺杂量密切相关。掺杂0.01 mol/L Eu时对Zn O纳米棒生长影响较小,随着掺杂浓度的增加,Zn O纳米棒顶部出现尖端聚集现象,这种聚集现象是和纳米棒制备过程中电荷积累相关的,稀土元素能提供更多的电荷,使Zn O纳米棒顶端产生强的局部电场,相近纳米棒尖端会聚集一起。制作了以p型金刚石为衬底生长的Zn O:Eu异质结,并对其电学性能深入研究,实验结果表明该异质结对整流特性有良好反应。     

磁固载雷尼镍在固定床反应器中的催化性能

采用强-弱双磁性载体固载雷尼镍催化剂,在自制的鼓泡固定床反应器中对对羟基亚苄基海因和邻硝基乙苯体系进行氢化实验.结果表明,雷尼镍催化剂的活性和稳定性均有所提高.对羟基苄基海因的平均收率达到90%以上,邻硝基乙苯的平均转化率超过99%,催化剂寿命可提高到300 h以上.     

Mg、Cd掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

基于密度泛函理论（DFT）框架下的第一性原理的平面波超软赝势方法（USPP）,对Mg，Cd掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化，从理论上给出了掺杂和 掺杂体系的晶体结构参数.计算了掺杂AlN晶体的结合能，电子态密度，差分电荷密度，并对计算结果进行了细致的分析.计算结果表明，相对于Cd，Mg在AlN晶体中可以提供更多的空穴，有利于形成更好的p型电导.     

photoshop抠图探讨

抠图是在平面设计中最常用到的技术之一，在Photoshop中主要有五种抠图的方法，就是分别利用工具箱中的“魔术棒”工具、“磁性套索”工具、“路径编辑”工具、在通道中选取图像以及滤镜菜单中的“抽出”滤镜。不同图像的不同抠取方法是抠图学习的关键所在。     

溶胶-凝胶法制备(Bi, Nd)4Ti3O12铁电薄膜

采用溶胶凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了(Bi, Nd)4Ti3O12铁电薄膜.将薄膜分别进行每一层、每二层、每三层500 ℃空气中预退火10 min，分别称为样品a、b、c，最后都于氮气氛中680℃总退火半小时. 结果表明预退火工艺对薄膜的铁电性能影响很大.样品a、b的铁电性能(2Pr分别为47.8 μC/cm2和51.9 μC/cm2)远远高于样品c(2Pr = 28.7 μC/cm2).三组薄膜都呈现良好的抗疲劳特性.     

磁性琼酯糖亲和吸附剂的合成与应用

采用反相悬浮包埋技术合成了粒径在43-295μm之间的磁性琼脂糖微球。磁性琼脂糖微球经环氧氯丙烷活化后，分别键合6-氨基已酸、氨基乙酸和乙二胺为间隔臂，用水溶性碳二亚胺为缩合剂，分别偶联对氨基苯甲脒、l-精氨酸甲酯和胍基已酸，制备了3种磁性亲和吸附剂，并用于尿激酶粗品的分离纯化。测定了活性回收率和比活提高倍数，并与以磁性葡聚糖为基质的磁性亲和吸附剂对尿激酶的纯化效果进行了对比。     

浅谈会计电子档案的管理

一、会计电子档案的特征 会计电子档案是指以磁性介质形式储存的会计核算的专业材料，是记录和反映经济业务的重要历史资料和证据。它包括电子凭证、电子账簿、电子报表、其他电子会计核算资料（如电子经济合同、电子财务数据统计资料、电子财务清查汇总资料、核定资金定额的电子数据资料、会计电子档案移交清册、会计电子档案保管清册、会计电子档案销毁清册等）。     

TiC掺杂对MCMB烧结体组织和性能的影响

以Tween 80为分散剂,分别以丙烯酰胺和N,N'-亚甲基双丙烯酰胺为单体和交联剂,采用凝胶注模工艺制备中间相碳微球(mesocarbon microbead,MCMB)片状素坯,再经过1 600 ℃的烧结,制备MCMB素坯烧结体试样.试验研究了粒度大小对粉体分散性、MCMB碳材料催化石墨化效果、烧结后MCMB碳材料层板物理性能的影响,并分析了产生这些影响的原因.研究结果表明:50 nm的TiC在MCMB烧结体中的分散效果好于15 μm的TiC;随着Ti质量分数的增加,掺杂50 nm 的TiC层板性能优于掺杂15 μm的层板;50 nm的TiC比15 μm的TiC更适合做MCMB的掺杂物.     

未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究

用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。