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311.
HFCVD法制备SiC薄膜工艺 总被引:3,自引:0,他引:3
分析研究了热丝化学汽相沉积(HFCVD)法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响。结果表明,合理的选取工艺参数,可在较低温度(700-900℃)晶向异质生长出高质量的准晶SiC薄膜。 相似文献
312.
碳化硅陶瓷粉体表面改性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
王苹 《云南大学学报(自然科学版)》2002,(Z1)
从粉体表面改性的方面对高固相含量碳化硅陶瓷料浆的制备工艺进行了研究 ,介绍了一些陶瓷粉体表面改性方法 ,并指出了存在的问题 .另外 ,简要介绍了粉体表面改性效果的评价方法 . 相似文献
313.
《科技导报(北京)》2011,(18)
研制成功首款石墨烯集成电路近日,美国IBM公司的Lin Yu-Ming等研制出了首款由石墨烯圆片制成的集成电路,向开发石墨烯计算机芯片前进了一步。据悉,多个科研团队在研制石墨烯晶体管和接收器中遇到了几大障碍:首先,石墨烯这种纤薄的单原子层薄片很难同制造芯片所用的金属和合金匹配到一起。另外,在蚀刻过程中,石墨烯很容易受损。此次,研究人员找到了一种新方法——通过在一块碳化硅 相似文献
314.
在碳化硅晶须合成过程中,由于多种原因会有大量的碳化硅颗粒生成,影响碳化硅晶须的纯度。由于碳化硅晶须与颗粒性质的相似性,在提纯前的分散尤为重要,本文以稻壳合成晶须和颗粒为研究对象,系统考察了各种药剂体系和各种操作条件对碳化硅晶须与颗粒体系分散性能的影响规律性。 相似文献
315.
316.
317.
SiC/ZL复合材料的切削力 总被引:3,自引:0,他引:3
从切削力角度研究了SiC颗粒增强铝基复合材料的切削机理。实验数据分析表明:传统刀具切削粗大颗粒增强复合材料的平均切削力和切削力波动幅度随机时间推移迅速增大,且径向和进化切削力的增长快速主切削力的增,而切削细小颗粒增强复合材料的切削力变速度和幅度都比较小;采用低速和较大切削深度时,复合材料的切削力比切削未增强合金时更小,较高切削速度和较小切削深度时则反之。 相似文献
318.
319.
先进陶瓷材料性能优化中的微观结构设计 总被引:1,自引:0,他引:1
王崇民 《兰州大学学报(自然科学版)》1999,35(3):214-221
对先进陶瓷材料(氮化硅,碳化硅,氧化铝与碳化硅纳米复合材料)的微观结构特征,特别是它与宏观性能的关系进行了评述。联合运用材料物理与材料化学的分析方法能够为优化先进陶瓷的性能而进行的微观结构设计提供有用的信息,利用航向电子显微镜(TEM),用分辨航向子显微镜(HRTEM),扫描透射电为微镜(STEM),分析电子显微镜(AEM)和二次离子质谱仪(SIMS)对陶瓷晶界/界面所进行的物理(微观结构)和化学 相似文献
320.
射频共溅射SiC薄膜的制备和特性研究 总被引:6,自引:0,他引:6
用射频共射复合靶技术和N2气保护下高温退火的后处理方法,在Si衬底上制备出了碳化硅薄膜,通过傅里叶变换红外光谱、室温光致发光谱、电阻率-温度关系谱、X射线光电子谱等测量手段,研究了淀积膜和不同温度退火薄膜的结构、电学和光致发光等性质。 相似文献