碳化硅多型的会聚束电子衍射（CBED）研究

采用会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ０的方法对我国辽南金伯利岩中的碳化硅矿物多型性进行了分析鉴定，通过对其结构的分析以及ＨＯＬＺ环半径的计算，发现了６Ｈ以及４Ｈ两种多其中４Ｈ多型为我国首次在自然界中发现的碳化硅多型种类，实践证明，会聚束电子射（ＣＢＥＤ）是分析矿物多型结构的方便可行的方法。     

SiCp／ZA-27复合材料SiC颗粒预处理工艺研究

对ＳｉＣ粒子进行子多种预处理工艺试验,得出ＳｉＣ粒了在９２０℃高温焙烧氧化,再在ＨＦ酸（１．５ｖｏｌ．）％）与丙酮混合液、丙酮中清洗球磨工艺是较优的预处理工艺。应用搅熔铸造工艺,处理后的ＳｉＣ颗粒能较易分散到含镁的ＺＡ－２７合金流中,用ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＴＥＭ测定和分析了预处理前后ＳｉＣ表面状态,得出ＳｉＣ颗粒表面物理,化学吸附的气体是阻止其分散进入ＺＡ－２７合金流的主要原因,ＳｉＣ表面的微     

纳米SiC水悬浮液稳定性的研究

本文选用SiC纳米粉料,分别以聚乙二醇（PEG）和两种分子量不同的聚甲基丙烯酸铵（PMAA-NH4）作分散剂来制备稳定分散的2vo1%纳米SiC水悬浮液。通过沉降实验和粘度测量,研究SiC纳米颗粒水悬浮液的分散特征及最佳分散条件。     

纳米4H-SiC薄膜的光学性质研究

SiC薄膜具有结构不易控制,透明性较差的特点,采用PECVD方法淀积的纳米SiC薄膜经光学透过率测试表明,在637nm和795nm处高的光透过率,并且当薄膜的厚度增大时,仍然具有高透过率的特性,这一结果表明,PECVD技术具有制备结构均匀,透明的纳米SiC薄膜的优势,同时,在与非晶SiC薄膜进行对比中发现非晶SiC薄膜的透过率不如纳米SiC薄膜。     

6066Al/SiCP复合材料的组织特征与阻尼性能

研究了经制粉→混料→真空抽气→热挤压工艺制备的6066Al/SiCp复合材料的组织特征与阻尼性能.复合材料的阻尼特征通过动态机械热分析仪(DMTA)测量,得出了2种不同SiC含量的6066Al/SiCp复合材料及6066Al合金在温度为30～250℃,频率为0.1,1,10和30Hz时的阻尼值.利用扫描电镜、光学显微镜对复合材料组织特征进行了分析,根据组织特征及阻尼数据对复合材料的阻尼机制进行了讨论.结果表明将2～3μm的SiC颗粒加入6066Al中,当SiC含量为7%(体积分数)时,增强的SiC颗粒分布较均匀,与基体结合良好;当SiC含量为12%时,SiC易聚集成团.少量SiC能明显提高6066Al的阻尼能力,尤其是高温阻尼性能;6066Al/SiCp复合材料的高阻尼性能主要是SiC颗粒加入后使位错密度大大增加,基体晶界及基体与SiC颗粒界面的存在使材料在循环载荷下消耗能量所致.     

无粘结剂碳/陶复合材料的制备及抗氧化性能的研究

用不同比例的生石油焦、B4C和SiC混合磨粉后,无需添加任何粘结剂即可膜压成型、烧结而制得结构密实均匀的碳／陶复合材料,在900℃-1200℃温度范围内对其抗氧化性能进行测试,结果表明抗氧化性能的优劣与B4C和SiC的含量和比例密切相关。     

包覆法添加烧结助剂制备Al2O3／SiCp复相陶瓷

通过包覆的方法将烧结助剂Ｙ２Ｏ３均匀地加入到陶瓷粉体中,用无压烧结制备Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣｐ复相陶瓷材料。在Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣ混合粉体上覆一层Ｙ（ＯＨ）３后,素坏结构均匀,且有利于提高素坏致密性。在较佳条件下,材料的相对密度和强调分别达到９６．８％和３６４ＭＰａ。     

碳化硅陶瓷冲蚀磨损行为与机理

采用了冲蚀试验和微观表面测试相结合的方法,对碳化硅陶瓷的冲蚀磨损行为与机理进行了系统的研究。结果表明:碳化硅陶瓷的冲蚀率随冲蚀角的增大而迅速增大,当接近90°时冲蚀率达到最大值。其冲蚀磨损机理表现为:在低角冲蚀时,以微裂纹和微切削的形式为主;高角冲蚀时,以裂纹扩展和脆性断裂为主。根据试验结果分析,碳化硅陶瓷的冲蚀磨损表现为明显的脆性冲蚀行为特征。     

碳化硅制品的成型性能

以不同粒度的α - SiC为原料,通过配比试验、生坯成型方法的对比、成型后碳化硅制品的生坯性能分析,研究了不同粘结剂、不同成型压力与保压时间、不同成型方法对碳化硅制品的密度、气孔率、抗折强度的影响结果表明,水溶性粘结剂的粘结性能低于醇溶性粘结剂,但水溶性的最佳添加量低于醇溶性粘结剂成型方法中冷等静压的成型密度和抗折强度最大,气孔率最低同时无论使用何种成型方法,制品的密度随压力变化都具有一定的规律性     

碳化硅颗粒增强铝基复合材料焊接研究现状

本文阐述了国内碳化硅颗粒增强铝基复合材料焊接研究现状,分别讨论了钎焊、扩散焊、瞬时液相连接、电子束焊和搅拌摩擦焊等方法在焊接碳化硅颗粒增强铝基复合材料时存在的问题及解决措施。