硅氢薄膜的制备和结构

采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＳｉＨ４为反应源，在不同基片温度和射频功率下制备硅薄膜。对硅薄膜进行了ＸＲＤ、ＩＲ、Ｒａｍａｎ分析。研究沉积参量对膜晶化过程的影响，对沉积机理作了初步讨论。     

苔草属硅细胞的形态特点及其分类学意义

对苔草属８种植物叶片和果实表皮分别进行了解剖学和扫描电子显微镜下的观察研究．结果显示了硅细胞在苦草属植物的叶表皮和果实表皮广泛存在，根据硅细胞的形态构造特点，讨论了其分类学意义．     

LPE法生长GaP／Si材料初探

用普通的液相外延（LPE）方法，在Si衬底上生长了厚约10um的GaP外延层，并对以Ga，In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较，结果表明，Si在Ga中溶解度很大，Ga不适合做熔体；In为熔体时生长出InGaP合金，Si含量较高，而且出现化学计量比偏离现象，Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In溶体，而且GaP符合化学计量，测得GaP外延层带隙波长为540nm。     

微型槽,钝化发射区硅太阳电池研制

用光刻法,在面积为1cm~2,电阻率为0.3Ω·cm的P型单晶硅上制作具有56条微型槽的太阳电池,并对其发射区进行钝化。由于这种电池结构处于平面结与垂直结之间,因此它既可作为常规电池,也可用于低倍聚光电池。     

基于CMOS工艺的中小规模数字集成电路设计浅析

CMOS工艺作为一种超大规模集成电路工艺已成为数字集成电路设计的首选工艺。与大规模数字系统设计不同的是,为了减少版图面积,节约成本,中小规模数字集成电路常采用晶体管级电路仿真和手工布局布线的设计方法。文章探讨了利用CMOS互补逻辑设计中小规模数字集成电路的电路结构化简方法,介绍了设计数字集成电路版图布局布线的几点体会。     

多孔硅的能带与发光机制的研究与分析

在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙.     

聚合硫酸铁铝硅混凝剂的制备及其性能

研究以硫铁矿烧渣、铝酸钙粉、水玻璃、硫酸为原料，通过酸溶、中和、聚合过程，制备新型复合混凝剂——聚合硫酸铁铝硅(PFASS)的方法．考察了制备工艺对产品稳定性的影响，并对其混凝性能进行了研究．试验结果表明，当Fe^3 Al^3 的摩尔浓度为2．4mol／L、Fe^3 Al^3 ／SiO2摩尔比为10时，产品会有较好的贮存稳定性(即产品保持良好的流动性，无胶凝现象)．聚合硫酸铁铝硅与聚合硫酸铁(PFS)的混凝对比结果表明，PFASS具有更优的混凝除浊性能，具有较宽的pH适用范围．     

钛硅类沸石弱酸催化性能研究(Ⅰ)——TS-2和TBS-2对氧化苯乙烯的催化重排反应

研究了ＴＳ－２和ＴＢＳ－２沸石在催化氧化苯乙烯重排反应中的酸催化性能,与不含硼的ＴＳ－２沸石相比,ＴＢＳ－２的重排活性比ＴＳ－２的高出近一倍,生成苯乙醛的选择性也稍好于ＴＳ－２．ＸＲＤ,ＩＲ及ＳＥＭ表征证明具有较高结晶度、较高骨架钛、较适宜骨架硼以及晶粒细小均匀的沸石有着最佳的重排活性,晶粒较大的沸石催化活性有所下降,结晶度和骨架钛都较低的沸石重排活性明显下降．此外还考察了溶剂、反应温度和时间以及催化剂用量对重排反应的影响．