半导体硅材料的新领域——评《硅纳米线分析》

20世纪90年代,纳米产品闯入世人生活,不断有信息向人们展示纳米技术给人们的生活带来的奇妙变化．例如,当咖啡不慎洒在裤子上时,完全不用担心它会弄脏你的裤子,因为这裤子是纳米纤维的料子做的;当你不幸遭遇粉碎性骨折时,用上纳米技术生产的骨头就不用担心走不了路或写不成字,你可以重新拥有自己的腿或胳膊．这就是神奇的纳米技术．从广义上说,纳米技术就是在纳米尺度上研究物质的特性与相互作用,并利用这些特性的多学科交叉的技术．纳米技术具有非常重要的意义,它导致了认知的革命:新物质世界及其特性,相应的新发现与新理论．     

含铌硅磷铝双功能分子筛催化剂的合成及结构表征

合成了铁磷铝(FeAPO-5)、铁硅磷铝(FeSAPO-5)和铌铁硅磷铝(NbFeSAPO-5)分子筛催化剂,并采用XRD、红外光谱和固体魔角旋转核磁共振等方法对合成的催化剂进行了结构表征。结果表明:合成的分子筛具有AlPO4-5的骨架结构,并且铁、硅和铌金属杂原子进入了分子筛骨架。以丙酮醛和甲醇作为合成丙酮酸甲酯的原料,考察了NbFeSAPO-5分子筛催化剂的催化氧化及催化酯化性能,结果表明铁元素进入分子筛骨架使催化剂具有良好的催化氧化性能,而硅和铌的引入提高了分子筛的酸性和催化酯化性能,使NbFeSAPO-5分子筛催化剂成为同时具有催化氧化和催化酯化性能的双功能催化剂。     

云南哀牢山带两类硅质岩特征

对云南衰牢山带蛇绿岩底部及顶部放射虫硅质的地质学,微体古生物学,同位素及稀土元素地球化学研究表明：蛇绿岩底部为浊积岩建造,其放射虫种属相当于晚泥盆世;硅质岩δ＾３０Ｓｉ为－０．４‰－０．５‰,δＣｅ为０．７７－０．９７（平均０．８５）,。ＬａＮ／ＹｂＮ为０．７７－１．０６（平均０．９６）,均指示其形成于深海环境;蛇绿岩顶部的放射虫硅质岩与蛇绿岩套中玄武岩呈整合接触,属于衰牢山带蛇绿岩套组成单元,该     

常温交联型高硅含量硅丙乳液的合成

利用含有碳碳双键的有机硅氧烷与其他有机硅单体聚合,制得聚硅氧烷乳液;再通过聚硅氧烷与丙烯酸酯类单体发生微乳液聚合,合成出了高硅含量硅丙乳液.并且讨论了各种工艺参数对乳液聚合的影响,最后通过正交设计试验确定了最佳的工艺条件.     

硅粉混凝土的抗压强度的试验研究

依据100mm×100mm×100mm的立方体试块、150mm×150mm×150mm标准试块和直径100mm、高200mm圆柱体试块硅粉混凝土抗压强度的试验试验,分析了硅粉掺量对各种标准试验抗压强度的的影响,提出了不同硅粉掺量条件下抗压强度比的关系。     

具有荧光特性的硅量子点合成及在铁离子检测中应用

设计了 一种新型的高荧光硅量子点(Silicon quantum dots,Si QDs)的合成方法,并尝试探索其制备机理以及在三价铁离子(Fe3+)检测中的应用.与传统的还原法制备硅量子点相比,3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)在硫酸的作用下能够得到具有高荧光、低尺寸特性的硅量子点.结果表明该硅量子点的最佳激发波长...     

用热分解方法在多孔硅中形成纳米银粒子

通过简单的溶液浸泡－热分解方法成功地在氧化多孔硅的孔中沉积了纳米银粒子,形成了银/氧化多孔硅/硅的复合结构.用X射线衍射光谱(XRD)和扫描电子显微镜（SEM）表征了多孔硅上纳米银粒子的存在.     

硅基微电感的研究

阐述了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法,提出了在硅杯背面用激光器打孔以减薄衬底厚度,从而使电感的Q值得到提高的一种方案,并应用目前普遍采用的电感模型,利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电感几何参数与磁感应强度、电感值的关系。结果表明,该方法具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用领域。     

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作

该文描述了碲化镉（CdTe）探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器（SiS）的设计与制作方法这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝（Al2O3）薄膜工艺,大小为(10×10×1) mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流 电压（I V）,电容 电压（C V）、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符     

利用Raman光谱测定硅(100)晶面单轴应变的应变系数

建立了表征晶体硅应变量的晶格振动模型,首次计算获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-336.6cm-1;通过建立的利用Raman光谱测量晶体硅单轴应变量的实验装置,首次获得装置中螺钉旋进量与应变硅应变量的关系;利用波长648nm的Raman激光谱测量了螺钉旋进量为1.5mm时,Raman频移为0.47cm-1,获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-335.7cm-1.结果与晶格振动模型基本吻合,说明建立的利用Raman光谱频移法表征晶体硅应变量方法的有效性.