用表面光伏方法测量GaAs电学参数

用表面光伏方法和计算机拟合技术得到N-GaAs的(?)等电学参数在21～320 K的数值、温度关系曲线和μ_γ的半经验公式。     

GaAs／GaAlAs透射阴极量子效率相关参量分析

从半导体电子发射的三阶模型和扩散方程出发,讨论了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式ＮＥＡ光阴极量子效率与几种在工艺上重要的参量如电子扩散长度,阴极厚度,后界面复合速度等的关系,特别地,从工艺需求的角度出发,探讨了这种阴极在前照明和后照明的情况下,两量子效率之间的关系。     

光调制反射光谱实验研究

通过室温下GaAs的PR谱与ER谱的比较,对PR谱的机理及线型分析作了有益的讨论,结果表明,PR谱具有电场调制的本质,可以用电场调制理论中的“三点法”来确定各临界点参量.     

杨裕生 要全面理解汽车电池的污染问题

正废电池处理过程中,如果制度不严、管理不善、技术落后,都可能污染环境。中国工程院院士杨裕生日前表示,所有电池都是化学品作为原料提取和加工的,电池生产、废电池处理过程中,如果制度不严、管理不善、技术落后,都可能污染环境。燃油车是铅电池大用户,我国现在每年5 000万电池用于燃油车上,每年生产2 000多万辆汽车。光     

调制增益导引GaAs／GaAlAs锁相激光器阵列

首次利用液相外延标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。     

Sb吸附在GaAs（110）（1×1）—Sb（1ML）表面上的电子态特性

采用紧束缚的ｓｐ＾３ｓ模型本电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＳＡｓ（１１０）表面上的电子特性，计算结果表明：在－１２ｅＶ－＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在，其带隙宽度为０．４ｅＶ左右；体系的性质表现为半导体的性质，而不表现出金属的性质。     

GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析

为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中“白斑”、“暗斑”的质量问题，从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样，分别进行了光荧光谱（PL）、二次离子质谱（SIMS）等测试。通过对这些测试结果进行综合分析，最终确定了造成产品出现“斑”现象的原因，通过改进工艺，向MOCVD用户提供了满足要求的砷化镓抛光片。     

砷化镓光导开关中流注辐射实验理论分析

分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端的辐射复合实验现象,首次引入了单色光(890 nm)的辐射复合系数,导出了流注顶部的单色光自发辐射公式.比较理论计算结果与实验观测结果,两者很好符合,证明了流注顶部的单色光自发辐射模型的合理性.