高性能GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器

在前期对ＧａＡｓ微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上,针对国内工艺技术的特点,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术。该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器,在输入端设计π型宽带匹配电路,并采用经实验验证和优化设计的平面压控变容管。模拟结果表明,该压控带通滤波器性能优越,有１０ｄＢ以上插入增益,通带宽度约３０ＭＨｚ,调频范围宽约４００ＭＨｚ,工作于１．４４￣１．     

高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴

给出了高倍增SI－GaAs光电导开关中在临界光能,电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果,进一步讨论了生成畴的光,电阈值条件,提出用类似于耿畴的单电荷畴的物理模型来描述高倍增GaAs光电导开关中的Look-on效应。分析了单电荷畴的民和辐射发光的物理过程,并对Lock-on效应的典型现象作了物理解释。     

第二次电子革命及对策建议

以四十年代半导体晶体管的发明为起点 ,人类实现了以计算机技术、通讯技术和消费类电子技术为标志的第一次电子革命。这次革命直接导致了信息产业及若干相关产业的诞生和发展 ,一举将人类带迸信息社会 ,彻底改变了人类的生活方式和思维模式。当前在半导体科学技术及相关领域内正在酝酿着一场新的革命 ,国际上称之为“第二次电子革命”。这次革命将以高压大功率电子技术为标志 ,以功率器件的节能化、电子化、长效化为目标 ,带动能源、汽车、交通、环保等相关产业的大发展 ,创造经济发展新的生长点。1　第二次电子革命的内容第一次电子革命所…     

重掺碳砷化镓的光致发光研究

异质结双极晶体管(HBT)利用宽禁带材料作发射区来允许基区重掺杂以减小基区电阻且不降低直流电流增益.基区重掺杂会干扰半导体的能带结构,从而影响器件的光学性质和电学性能.Klausmeier-Brown等通过电学测量已证实:由于基区重掺杂使得注入到AlGaAs/GaAs-HBT基区的电子电流显著增大,其原因归结为由重掺杂引起的禁带变窄使得n_0p_0乘积     

一种新型的超高速模拟信号微处理器ACT—SMP

本文介绍了一种新型的半导体器件技术——声电荷传输(ACT)器件的工作原理和用途,并着重论述了基于ACT技术的超高速模拟信号微处理器SMP,该器件的工作带宽可作到几百MHz,数据处理速度高达450亿次/s。最后对该器件的一些主要应用作了介绍。