Detecting the micro-defects in the GaAs materials by time resolved emissions

The GaAs material is a major semiconductor material, and it has high electron transfer rate and direct transition energy band structure. The devices and inte-grated circuits fabricated on the GaAs substrates have a lot of advantages such as high speed information processing. Small perturbations in the manufacturing of GaAs materi-als can lead to defects. The defects in the GaAs materials can degrade the performance of materials. A new method is presented in this paper for detecting the micro-defects in GaAs materials by using time resolved emissions. In this method, the micro-defects in GaAs materials are detected by making use of the photon emission features of micro- defects. The strength of the emitted photons from the micro-defects is increased by applying the electric current or the periodic pulse signals to GaAs materials. The single-photon detector is used to detect the photon emissions of the micro-defects. The time resolved photon emissions and single-photon detection are used to record and compare the amounts of the emitted photons that come from the given regions of the normal GaAs materials and the defective GaAs materials. A lot of experimental results show that the micro-defects in the GaAs materials can be detected by using the method proposed in this paper.     

量子阱红外探测器研究现状及展望

经过近30年的发展,量子阱红外探测器的研究工作取得了长足的发展。本文介绍了国内外量子阱红外探测器的最新研究成果,着重阐述了量子阱红外探测器的结构,工艺流程,存在的问题,并展望了量子阱红外探测器未来的发展方向。     

用聚合硅酸铁处理砷化镓晶片生产废水的研究

用自制的无机高分子聚合硅酸铁(PFSS),对砷化镓生产中的含砷废水进行了混凝处理。实验考察了n(Fe)/n(Si)、熟化时间、使用量、出水pH值等对PFSS混凝效果的影响,并与通常所用的几种混凝剂进行了比较。结果表明:在n(Fe)/n(Si)为1∶(0.5～1)、熟化时间为5～7d、使用量为8～12mg/L、出水pH值为6～8时,效果较好,且除砷效果优于常规混凝剂。     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究

基于Agilent公司的IC—CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路（GaAsM—MMIC）开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESF田简化电路模型及不同栅宽模型参数的比例缩放方案,扩展了电路模型的应用频率范围,解决了电路模型参数提取中的关键问题,如：开关MESFET模型的版图设计、微波探针校准图形的设计、电路模型参数的提取、统计和确认。采用该技术提取的电路模型参数,成功研制出GaAs MMIC控制电路系列产品,验证了该方法的有效性。     

高二次电子发射系数材料砷化镓的理论设计

根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大.     

高能注入在研制垂直源区GaAsMESFET中的应用

我们利用高能注入技术和SI-GaAs材料研制出了1种新结构的GaAs MESFET.这种新结构有利于克服功率MESFET中源、栅、漏的引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应方面的问题,并且它的一个栅同时控制2个沟道,单位栅宽的跨导和功率输出是常规同样尺寸的     

GaAs红外发光二极管的可靠性研究

从反向测试中出现的二次击穿器件，分析了其失效原因，表明晶体内缺陷或机械损伤琪的热斑引起器件发生二次击穿，从而提出了工艺改进措施。     

GaAs中杂质扩散机制

针对杂质在ＧａＡｓ中扩散机制这一基础研究和技术应用中急需解决的问题，主要介绍了应用广泛的ｎ型杂质Ｓｉ、Ｓｎ，ｐ型杂质Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ的几种可能扩散机制以及国际上有关这些杂质研究的进展情况，从目前的研究状况可以得出这样的结论：在ＧａＡｓ中，Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ等ｐ型杂质是以置换填隙机制扩散的，Ｓｉ、Ｓｎ等ｎ型杂质是以替位机制扩散的。