单向耦合映象格子的时空混沌同步

用主动－被动分拆方法实现了单向耦合映象格子系统的时空混沌同步,从理论上给出步范围,并从数值实验上得到验证。该法具有高度保密性,且信号可以完全恢复,特别适用于混沌保密通讯 。     

一种压电复合材料层合板机电耦合有限单元

基于压电复合材料层合板经典理论,建立了一种四边形机电耦合有限单元．所建单元具有ｍ个电自由度,可直接模拟单元中的电压作用和检测电压输出;单元每一节点具有５个位移自由度,可计及复合材料层合板的拉弯耦合变形．给出了各类刚度矩阵的形式,简述了利用Ｈａｍｉｌｔｏｎ原理推导出机电耦合基本运动方程的过程,并根据所推导的有限元素和基本方程编制了程序并进行了计算,所得结果与文献中的计算和试验结果相吻合．     

关于电荷守恒的广义描述

作为电磁理论的基础之一,本文从相对论角度给出电荷守恒的一种表述方法,并讨论了电荷不变的普适性。     

三自由度耦合非线性振动的同步混沌

讨论了一个三自由度耦合非线性振动的混沌响应。利用非线性振动的模态分析方法,将这一高维非线性性系统降维到一维子流形上来研究,对降维解耦后的模态振动方程采用平面Ｍｅｌｎｉｋｏｖ方法,得到了系统发生同步混沌的临界条件,并进行了数值计算,从中得到了一些有益的结论。     

广义自旋变相过程的最优耦合及其保序性

将最优耦合方法应用到广义自旋变相过程,证明了其最优耦合的存在性,并给出一类特殊情形的显示表达式,还讨论了其保序性。     

单模光纤耦合的计算及其软件技巧

介绍了理论演算与工程数据相结合计算单模光纤耦合率的方法及其软件技巧,使用此方法取得较精确的计算结果     

在不同热氧化条件下SiO2—Si结构的电子辐射效应研究

利用２ＭＶ电子静电加速器,研究了热氧化工艺与ＳｉＯ２－Ｓｉ结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照ＳｉＯ２－Ｓｉ结构引起的ＭＯＳ电容平带电压漂移ΔＶｆｂ与ＳｉＯ２膜厚ｄｏｘ＾２成正比。由Ｐ型硅为衬底或掺氯氧化的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干Ｎ２热退火的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。     

方腔内混合对流换热的数值研究与模型实验

为研究方腔内混合对流向受迫对流过渡的临界参数,通过数值模拟和模型实验,得到了不同工况下的流场、温度场,并将数值结果与实验结果进行了对比,通过一系列的数值计算,取得了均匀通风方式时混合对流处于受迫对流占优状态、自然对流受到抑制时的特征参数,指出描述方腔内混合对流的特征参数Ｇｒ／Ｒｅｎ中的ｎ不等于２,并发现当自然对流引起的旋涡消失时,自然对流对换热仍有一定的影响。     

等效连续裂隙岩体渗流与应力全耦合分析

推导了等效连续裂隙岩体渗透性与应力变形的关系,根据应变等效原则推导了等效连续裂隙岩体的弹性矩阵,首次采用四自由度全耦合法,建立了等效连续裂隙岩体渗流与应力的全耦合有限元方程组,进行了等效连续裂隙岩体渗流与应力的全耦合分析。     

仿复眼成像的实验模拟研究

利用计算机和图像卡对图像的处理功能,对平面微透镜阵列的多重像进行适当地处理来模拟并列型复眼的“镶嵌像”,对构成“镶嵌像”的拼法、像元数的不同做了对比实验,最后对影响镶嵌像的诸因素做了对比分析。