单个细胞分析方法的研究现状与展望

本文对单个细胞分析方法的研究现状作一概述,文中系统地论述了毛细电泳法、色谱法、微电极法、显微技术用于单细胞分析的新进展.     

树(鼠句)(Tupaia belangeri chinensis)消化器官和性腺LDH同工酶的电泳分析

采用0.5%琼脂糖凝胶电泳方法对云南树鼩的肝脏、胃、小肠、胰腺、睾丸和卵巢组织的乳酸脱氢酶同工酶进行电泳分析.结果表明,在6种不同组中,乳酸脱氢酶均呈现为5种不同分子形式的同工酶.其LDH_4至LDH_1同工酶随电泳迁移率的增大依次趋于阳极端,LDH_5同工酶则趋于阴极端.按分光光度比色定量法对各同工酶组分进行洗脱定量,分别测得6种组织中5种同工酶组分的相对百分含量.通过酶谱分析,提示在6种不同组织中由于A、B两种基因表达活性的差异,其酶谱特征也各不相同.文中对树鼩6种组织的LDH同工酶的H和M亚基百分率及H/M亚基比率进行了统计分析,提示这与各类组织的生物学功能及代谢类型相关.     

毛细管电泳在线样品富集技术及在法庭科学中的应用

近几年发展了许多毛细管电泳在线(或在柱)样品浓缩的方法,这些方法无需对商品仪器进行改造,而是通过对样品、背景缓冲溶液的组成以及进样程序进行简单的调控而实现的。利用这些方法可以提高检测灵敏度,降低样品的浓度检测限,拓展CE在包括痕量分析的众多领域的应用。目前这些方法已被越来越广泛地应用于法庭科学领域。     

中华眼镜蛇毒神经生长因子的研究

采用ＣＭ－ＳｅｐｈａｒｏｓｅＣＬ－６Ｂ和ＳｅｐｈｏｓｉｌＣ８以及ＨＰＬＣ层析方法，自广西产中华眼镜蛇毒中分离纯化神经生长因子（ＮＧＦ），此ＮＧＦ经８ｄ鸡胚背根神经节体外培养证明具有促进神经纤维生长的活性。经ＨＰＬＣ及聚丙烯酰胺凝胶电泳鉴定为单一组成，经ＳＤＳＰＡＧＥ及ＨＰＬＣ测定分子量分别为２４．１ＫＤ和２４．９ＫＤ，等电聚焦电泳测得ｐＩ为８．２，氨基酸组分分析表明ＮＧＦ含酸性氨基酸较少，通过１２５｜标记ＮＧＦ测定出ＮＧＦ在生物体内主要分布于肾、肺、及周围神经     

镁合金表面的锌系磷化及阴极电泳

采用在磷化液中添加Ce（NO3）3及腐蚀抑制剂的方法,在镁合金表面制备了均匀致密的锌系磷化膜,在磷化膜上进行阴极电泳处理制备的涂层具有良好的附着力和耐蚀性．在磷化液中加入稀土添加剂可使锌系磷化膜致密无裂纹,磷化膜在阴极电泳和烘烤固化过程中的失重率较低．当磷化液中Ce（NO3）3的质量浓度为1．5g／L时,磷化膜的组织最致密,电泳漆膜的附着力和耐蚀性也最好．在镁合金的锌系磷化膜上沉积20μm阴极电泳涂层,耐盐雾腐蚀时间可达720h以上,沉积35μm阴极电泳涂层时,耐盐雾腐蚀时间可达1000h以上．试验结果表明,“稀土锌系磷化＋低温阴极电泳”工艺适合于镁舍金的表面防腐处理。     

X、Ku波段宽带低噪声放大器的设计

文章利用有损匹配的方法设计了一种覆盖X、Ku波段的宽带低噪声放大器,其工作频率为8～18 GHz,带内功率增益大于32 dB,增益平坦度小于3 dB,输入输出端口的回波损耗S11和S22均优于-7 dB,噪声系数小于2.8 dB,最大输出功率为16 dBm,且具有工作频带宽、输入输出匹配结构简单的特点.     

基于Gabor滤波器的电泳电子纸图像滤波系统设计

采集电泳电子纸(EPD)的边缘纹理、鬼影图像时,需避免外界光照条件的干扰,包括光源方向、明暗和色彩等.针对EPD显示画面采集过程中受到的光干扰问题,设计了一种基于Gabor滤波器的图像滤波系统.对于受光干扰的单一灰阶图像,先通过Gabor滤波器降低光照变化和噪声对图像的影响,再通过闭运算进行边缘补偿;对于受光干扰的彩色图像,先提取图像的R、G、B分量,分别对各分量进行Gabor滤波,最后将3组分量重新组合成彩色图像.结果表明:该系统在单一灰阶图像、彩色图像中对光干扰的消除率分别达到39.9%和39.7%.研究结果对降低采集EPD图像时的光干扰具有重要意义.     

线性GaAs光电导开关的饱和参数研究

通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响, 给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律; 考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束, 给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度; 结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律, 以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律, 给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数, 在实验误差范围内, 理论计算结果与实验测试结果较好吻合.     

利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件

电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一, 利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件. 同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻, 采用3层胶工艺, 实现了T型栅. GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能, 电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70 GHz, 为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.     

利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质

利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD), 以Zn₄(OH)₂(O₂CCH₃)₆·2H₂O为固相源、ZnNO₃为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜, 采用XRD, 霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析, 研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响. 结果表明, 生长温度较低时, 薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降, 衬底温度为400℃时, 载流子浓度达到+5.127×1017 cm^-3, 电阻率为0.04706 Ω·cm, 迁移率为259 cm²/(V·s), 并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性. 当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.