氖泡式验电笔验电“反常”现象分析

应用传输理论,解释了电源插座零线断路时出现＂反常＂现象的原因：2绝缘导线长距离并行且相距较近。指出,此带电现象在低压下,一般不会对人体造成伤害。     

如何减少静电对汽车音响的影响

随着汽车行业的飞速发展,车辆的驾驶者对车载多媒体的要求也越来越高,从以前最简单的收音机、CD播放机,到车载导航、行车辅助系统,汽车音响的含义也越来越广泛。然而系统越复杂受到外界干扰的几率就越大,静电就是一个最大的潜在威胁,如何解决这一课题将是我们必须要面对的。     

水热法制备Co3O4及其超电容性能的研究

以硝酸钴为原料、尿素为沉淀剂、柠檬酸三纳为模板,用水热法制备了Co3O4,并采用循环伏安、恒流充放电等方法研究了样品的电化学性能.结果表明,Co3O4电极在6mol·L-1KOH溶液中、在0～0.4V电位范围内、电流密度为5mA·cm2时,单电级比电容可达900F·g-1.     

用于真空测量的电容式微型传感器

文章介绍了一种利用MEMS技术制作加工的电容式微型真空传感器。该传感器采用p＋＋硅自停止腐蚀技术和硅-玻璃键合技术制作,形成了硅-玻璃-硅的三明治结构,使得该传感器结构简单、灵敏度高。传感器输出的电压信号经过信号处理电路进行放大、处理,实验数据表明,传感器的电容值与真空度成线性关系,满足测量的要求。     

可控串联电容补偿的发展现状研究

随着我国经济的持续快速发展,我国国民经济对电力电量的需求也在快速增长。然而,我国能源资源和负荷分布极不均衡。因此加快技术创新,提高电网输送容量、远距离送电能力十分必要和急迫。加装串联补偿装置正是解决上述问题的有效措施之一。本文研究了可控串联电容补偿技术发展现状及应用实例。     

基于CMOS的电容-电压转换电路的设计

在MEMS传感器的电容检测电路中,经常要采用电容—电压转换电路。本研究将两相不交叠时钟模块应用到设计中,使得该电路用单个时钟就能进行有效控制,并能够满足MEMS电容检测系统的要求。采用0.25μm工艺库对电路进行优化并给定了电路仿真的相应结论。仿真结果表明,其CMOS运放部分的增益为77.76 dB,单位增益带宽为5.60 MHz,相位裕量为65.87°,输出摆幅为-2.0～1.89 V,输入共模范围为-1.0～1.93 V,正摆率为+9.92 V.μs-1,负摆率为5.03 V.μs-1,功耗为1.03 mW。该电路适合于pF量级范围内的电容变化,该变化范围为35～1 200 pF,且输出线性度良好。     

浅析交流电气设备金属外壳接地的必要性

通过交流电气设备金属外壳产生感应电动势的理论分析,提出即使金属外壳与电源之间有良好的绝缘,也必须接地,确保安全生产。     

电容示值测量结果的不确定度评定

本次测量1 000p F和10p F电容值,依据JJG183-1992标准电容器检定规程的要求,采用直接测量法对参加本次电容测量审核计划的样品(电容器型号为Gen Rad 1404-A、1404-C,编号分别为D2-07521129、D2-08471161)的测量结果进行不确定度评定。     

O2流量对O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响

研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面.     

MnO_2纳米簇修饰PANi复合材料的制备及其超级电容性能

超级电容器作为新型化学储能设备之一,具有充放电效率高、使用期限长、节省资源及绿色无污染等特征。超级电容器材料是决定其性能优良的核心部分,研究高性能电容材料对当前绿色能源的发展具有重要的意义。聚苯胺(PANi)由于具有价格低、加工简单、化学稳定性高等优异特点,是当前电容材料研究最为广泛的导电高分子之一。相对于无机的二氧化锰(MnO_2),PANi的电容性能相对较低,然而MnO_2电子传输性能较差。为了能够实现PANi和MnO_2的优势互补,本文利用化学方法制备的新鲜PANi,直接与高锰酸钾反应,MnO_2纳米簇修饰的PANi复合材料,从而实现提高的电容性能。