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761.
W,V对Fe—Cr—Mn奥氏体钢辐照诱起晶界偏析和相稳定性的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
利用电子束辐照Fe-Cr-Mn(W,V)合金的结果表明,添加原子半径尺寸大的溶质元素W和V,可形成大量微细碳化物,增多相界面即增加基体中尾闾数目,能有效降低合金基体中点缺争过饱和浓度,减少空洞肿胀,同时有利于形成高密度位错环,减少它们相互间的间距 缩短点缺陷向尾闾移动扩散的平均自由程,导致点缺陷捕获溶质原子的机会减少,进而抑制辐照诱起晶界偏析,提高合金γ相稳定性。 相似文献
762.
电子海图中海图水深深度场模型研究 总被引:1,自引:0,他引:1
谷伟 《大连海事大学学报(自然科学版)》1996,22(4):21-24
论述了依据纸质海图提供的水深信息建立海图水深深度场模型的几种方法,其中包括栅格模型、线性攻加权平均模型,对各种模型的利与弊作了简要分析。 相似文献
763.
讨论了电子镇流器可靠性设计的有关原理和方法,并从电路网络的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了HUST-YZ40EB型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案. 相似文献
764.
本文进行了ClONO2分子与瞬变种Cl原子反应的UPS实验测试,指认其最终产物为ClO自由基,NO2和Cl2。分析其反应历程为:Cl+ClONO2---Cl2+NO3(1)Cl+NO3---ClO+NO2(2)ClONO2与Cl原子反应能够将含不活沲Cl的ClONO2转化为活泼的ClO2,Cl2从而重参与O3破坏的循环。 相似文献
765.
研究双势垒GaAs/AlGaAs结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数,用微扰的方法求出电子波函数的含时系数,最终给出电子隧穿几率和隧穿电流密度、计算结果表明电子隧穿几率曲线中出现附加的隧穿峰和隧穿峰变低,并且随穿电流密度曲线巾出现附加的隧穿台阶,隧穿峰变低和展宽,这主要是由于外加突变电场与E±nω的电子态耦合,为电子隧穿提供间接的通道和路径、这也是设计双势垒电子隧穿器件不可忽略的、上述方法也可以推广到多量子阶系统。 相似文献
766.
768.
徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,34(3):269-276
采用紧束缚方法计算生长在GexSi1-x合金面上的应变GaAs层以及生长在Si(001)面上的应变超晶格(Sj2)4/(GaAs)的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。 相似文献
769.
采用X-射线光电子能谱表面分析技术并通过变温手段研究了聚乙烯基咔唑(PVK)与C60的作用形态,结果表明,PVK与C60可以形成电荷转移络合物,并且它的形成和解离随着温度的变化是可逆的。PVK与C60的电荷转移络合物的形成可能是改善PVK光电性能的关键所在。 相似文献
770.
本文是M(POR)与M(PC)类化合物催化作用的微观电子转移机理系列研究之一。简述催化过程基本特征,电子隧道迁移模型与主要结果。 相似文献