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711.
基于微观相互作用玻色子-费米子形式体系,构造出唯象IBM-1 2q.p模型的微观实现,微观sdIBM-2 2q.p方案,应用它成功地再现了^138Ce核的基态带,β带,γ带和部分高自旋态能谱,给出了近来实验上观察到该核与单粒子态共存的集体性结构的一种解释,模型给出了一个玻色子从退耕,拆散,占据闯入轨道到参加顺排所需要的最小能量值,计算出的概观信息表明:一个d玻色子的突然拆对不会引起核状态突变;核子顺排释放的能量有利于其它玻色子再拆对;^138Ce核的高自旋态属子两准质子转动带。 相似文献
712.
镜像站点建设与科技信息服务 总被引:1,自引:0,他引:1
随着计算机网络、海量数据存储、多媒体通信等现代信息技术的迅速普及和发展,新的信息服务方式不断涌现.建立镜像站点,将电子信息资源建成网络化的信息资源体系,以Internet网或内部局域网进行数据传输,利用计算机进行数据库检索,已成为网络环境下信息服务的新方式和发展潮流. 相似文献
713.
用极化曲线法测试了6个芳香酸化合物对20^#碳钢在HCl溶液中的缓蚀性能,用MNDO方法得到这些分子的前线轨道能量和电荷分布等,经拟合,N原子的净电荷与缓蚀性能间有好的相关性。 相似文献
714.
评介《界面电子结构与界面性能》 总被引:1,自引:0,他引:1
材料科学的研究进入电子结构的层次已有近百年的历史.1928年,Sommerfeld为了解决Lorentz理论在研究电子对比热贡献上所面临的困难,采用波函数来描述金属中自由电子的状态,提出电子的分布应遵从Pauli原理,并使总能量最小,建立了电子的量子统计理论. 相似文献
715.
716.
717.
界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响 总被引:2,自引:3,他引:2
研究纳米TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明, 沉积在Ti和Si基底上的TiO2薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程, Ti
O2薄膜导电层厚度也不相同, 沉积在玻璃表面TiO2薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致, 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度. 相似文献
718.
AB环量子点结构的电子输运 总被引:3,自引:0,他引:3
用格林函数方法研究了嵌在介绍AB环一臂中量子点的电子输运性质,数值计算表明:沿着每一共振峰,其输运相位连续的增加π,在两共振峰间的某个位置,其输运相位突然减小π,从而每一共振峰具有相同的相行为,理论结果与实验观测较好的相符。 相似文献
719.
数字电视广播中的业务信息 总被引:2,自引:0,他引:2
姜秀华 《中国传媒大学学报》2002,9(2):36-45
业务信息(SI)数据是数字电视广播码流中重要的组成部分,这些信息帮助用户从码流中选择业务并且使接收机自动设置到所选业务.阐述了业务信息的概念,分析了业务信息的结构、描述、传送和识别,给出了应用SI信息构建电子节目指南(EPG)的一种方案,它为机项盒构建EPG提供了一个公共的信息平台. 相似文献
720.
磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层,利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析,结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应;15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。 相似文献