接近式光刻衍射光场的快速计算机模拟

接近式光刻中一般采用柯勒照明系统,并采用蝇眼透镜形成多点光源均匀掩模面的光场分布.利用基尔霍夫衍射理论及多点光源的衍射光场非相干叠加方法,对光刻胶表面的衍射光场进行了快速计算机模拟,并与霍普金斯理论计算结果进行了分析比较.结果表明采用基尔霍夫衍射理论及多点光源的衍射光场非相干叠加的模型不仅快速而且也可以比较准确地模拟接近式光刻的衍射光场分布.     

316L不锈钢粉末的电子束选区熔化成形

电子束选区熔化技术在人体植入物、航空航天小批量零件的直接快速制造方面具有重要的意义。为此,该文采用自行研制的电子束选区熔化设备,研究了电子束选区熔化316L不锈钢粉末的工艺参数、微观组织及熔化成形机理。结果表明:电子束电流、作用时间和聚焦电流对层间结合情况影响较大,作用时间和填充线间距对可成形性影响较大;当能量密度系数为62.8 GJ/m3、基板厚度为0.5mm时,制备的成形件晶粒细小,组织均匀,无气孔、裂纹及未熔颗粒等缺陷出现。     

检查集成电路光刻掩模的实时白光信息处理系统

本文介绍一种用空间滤波检查集成电路光刻掩模的实时白光信息处理系统.采用该系统作检查比传统的镜检法或相干光学处理技术更为简便,且效果显著.借助这种技术能明显地察觉到掩模里的黑点、针孔、刻痕、电路损缺、短路或断路等微小缺陷.     

关于示波器聚焦原理问题的补充

指出《电子测量》一书关于示波器聚焦原理论论述的不足，并针对这一问题进行较详细的讨论和补充。     

MEMS工艺中的静电防护

本文论述了MEMS工艺中存在的静电问题,给出了工艺过程中特别是光刻工艺时的静电防护方法,具有一定的实践意义。     

横拼电阻型热双金属电子束焊接

研究了电子束焊接工艺对FeNi36／Cu／Cu／Mn72Cu18Ni10横拼电阻型热双金属焊缝质量与性能的影响．结果表明在电子束焊接参数V，IL，v一定时，随着IB增加，焊缝的饱满性、抗拉强度以及抗弯强度不断提高，电阻率ρ也相应增加．以实施双面焊接工艺的焊缝具有较佳的综合性能．     

瞬态高温等离子体生成氮化硅与ESCA分析

氮化硅具有耐腐蚀、耐高温、硬度高、磨擦系数小等特性,在工业应用中是一种优异的陶瓷材料,此外,由于氮化硅(Si_3N_4)有良好的绝缘性能,在大规模集成电路中用作掩膜或介质薄膜。近年来,采用电子束感生的化学气相沉积法(EBCVD),产生氮化硅薄膜沉积在SiO_2、多晶硅和单晶硅衬底上,这种方法要用NH_3、N_2和SiH_4作为反应气体,由于反应中含     

生物型低压扫描电子显微镜

扫描电子显微镜于20世纪60年代问世，用来观察标本的表面结构。其工作原理是用一束极细的电子束扫描样品，在样品表面激发出次级电子，次级电子的多少与电子束入射角有关，也就是说与样品的表面结构有关，次级电子由探测体收集，并在那里被闪烁器转变为光信号，再经光电倍增管和放大器转变为电信号来控制荧光屏上电子束的强度，显示出与电子束同步的扫描图像。图像为立体形象，反映了标本的表面结构。     

碳钢电子束表面合金化的组织与性能

本文用高能电子束对碳钢表面进行了不同粉末、不同预置方法的合金化处理，在组织性能分析基础上，得出了小型轧辊表面合金化的合适工艺，试验结果已用于生产。     

硅基SiC薄膜的制备及性能研究

文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(100)基片上制备了单层SiC薄膜和Al2O3/SiC双层膜,然后在不同温度下经氩气保护退火。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了结构和表面形貌分析。研究表明:退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态,随退火温度的升高,薄膜结晶更充分,薄膜表面平均粗糙度变小;双层膜与单层膜相比,其SiC衍射峰有所增强,薄膜表面更加平滑。