非线性带涂层圆柱形复合介质的电势分布

利用摄动方法,研究了在外加交流电场E=E1sinωt+E2sin3ωt+E5sin5ωt的作用下,非线性带涂层圆柱形复合介质的电势分布,这种介质的电流密度J和电场强度E之间满足的关系为Jα=σαE+χα|E|2E。     

器件结构对聚合物太阳能电池内部光电强分布的影响

针对以电子给体聚(3-己基噻吩)(P3HT)和电子受体6,6-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜为活性层的本体异质结聚合物太阳能电池,根据光学干涉效应和转移矩阵方法建立了非相干光吸收理论模型,研究了电极修饰层、活性层和阴极的厚度对电池内部光电场分布和活性层内部光电场强度的影响.结果表明:各功能层厚度对电池内部光电场分布和活性层光电场强度具有不同程度的影响,其中活性层和电极修饰层厚度的影响较大,而阴极厚度的影响较小;引入合适厚度的电极修饰层有利于增加活性层内部的光电场强度,提高太阳能电池的能量转换效率,改善器件的光伏性能.     

导体椭圆柱面的电荷及场强的分布

利用复变函数保角变换,将无限长导体椭圆柱面变换为无限长导体圆柱面,给出了无限长导体椭圆柱面电荷密度和空间电场分布.     

AIFF MVA模式下像素尺寸对其特性的影响

近年来,液晶电视的需求呈现强劲的增长势头.多畴垂直取向（MVA）模式的液晶显示器（LCD）与其他显示模式的LCD相比,具有高对比度、宽视角及快速响应等特点,但需要制作昂贵且复杂的凸起结构以保证液晶分子的取向,因此如何避免制作凸起结构成为许多研究者的课题.为解决上述问题,采用新颖的增强边缘电场效应（AIFF）MVA技术,...     

一种有效解决混合基矩量法积分奇异性的方法

三维散射问题通常采用电场积分方程(EFIE)结合矩量法(MOM)来求解,为了消除基于双线形4边形的混合域基函数在伽列金-矩量法的应用中所出现的积分奇异性,采用了参数坐标变换、相对坐标变换和奇异值提取相结合的技术,有效地消除了被积函数中出现的奇异性,并降低了原4维奇异性积分的维数,实例计算结果表明,该处理方法是正确和有效的。     

高压电场中陶粒填充床对亚甲基兰的脱色效能

考察了高压脉冲电场中陶粒填充床对于亚甲基兰的脱色效能.实验结果表明,在高压脉冲电场与陶粒的相互作用下,亚甲基兰得到了有效去除.当反应条件为电压25 kV,通入空气流量为270 mL/min,亚甲基兰溶液初始质量浓度为5 mg/L,流速为40 mL/min,在反应180 min时,去除率稳定在78%左右.随着电压的增加,流速的减小,亚甲基兰初始质量浓度的减小和空气的通入,亚甲基兰的去除率都得到增加.在高压脉冲电场下,陶粒的存在增强了电场强度,同时放电过程也增强了陶粒对于亚甲基兰的吸附,二者的相互作用促进了亚甲基兰的降解.     

电场诱导微结构成型的模拟研究

随着光电器件的快速发展,聚合物微纳米结构凭借其独特的物理及化学性能广泛应用.空间调制电场诱导聚合物流变成型技术具有广泛适用性,是目前制作聚合物微纳米结构的重要方法.讨论了微结构成型过程及原理,利用COMSOL Multiphysics模拟软件实现图形化电极诱导聚合物微结构成型,分析了影响微结构成型的主要因素,增加电极宽...     

二次引力超导研究

引入二次引力场电磁型张量,将线性二次引力场方程转化为麦克斯韦方程组形式,并利用该方程组推导出二次引力超导方程,研究结果表明,二次引力超导与Einstein引力超导Shielding效应存在差异,该差异由二次引力理论的曲率平方项引起.     

基于分子动力学的P(VDF50-TrFE50)高电场极化仿真

P(VDF-TrFE)类共聚物具有优异的铁电性能,可用于制作柔性压电传感器。在试验研究中,通常采用高电场极化来增强其压电效应。为了研究该共聚物的传感特性,本文利用分子动力学模拟软件Materials Studio(MS)建立P(VDF₅₀-TrFE₅₀)的三维晶胞模型,模拟高电场极化过程,分析各项极化条件对其剩余极化的影响。结果显示：在高电场强度下,晶胞内的大部分铁电畴在极短时间内完成翻转;P(VDF₅₀-TrFE₅₀)的极化强度与外加电场强度正相关,但当电场强度高于5 V/nm后,极化强度增长减缓;晶胞在低温时保持铁电相而在高温时转变为顺电相;被充分极化的P(VDF₅₀-TrFE₅₀)晶胞的最高剩余极化强度为59.94 mC/m²。该研究表明MS软件具有模拟P(VDF-TrFE)聚合物材料压电特性的能力,可为后续试验研究及传感器制作提供仿真依据。     

p-Si TFT的电场增强MILC制备技术

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-SiTFT的好方法.