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111.
讨论了剧烈变化电场中的欧姆定律,指出要把在稳恒条件下成立的欧姆定律的形式推广到剧烈变化的电场中应当加以修正,给出了修正后的表达式。 相似文献
112.
研制了一台高速率溅射的ECR等离子体沉积装置.采用微波真空波导及反常模式或输入技术,利用腔内双靶构成的电场镜,使高能γ电子在电场镜中振荡,从而获得高密度的等离子体.并且,导电膜能连续高速沉积,在2.7×10-2Pa的低气压下,铜膜的沉积速率可达120nm/min. 相似文献
113.
利用导电原子力显微镜(AFM)在硅、其它半导体和金属表面的电场诱导氧化加工是实现纳米器件的有效方法。大气状态下样品表面吸附的水膜在电场诱导氧化加工中的必要性被证实,实验给出了相对湿度与氧化线宽度的关系。在氢钝化表面成功地制备出纳米尺度的线和图形结构,最小的线宽为22nm。 相似文献
114.
115.
基于紧束缚近似下的低能有效哈密顿模型,研究了外加电场、外加磁场及同时外加电场和磁场对外尔半金属电子能带结构的调控作用.结果表明,仅在正向(负向)电场作用下,随着电场强度的不断增大,体系的外尔点逐渐向布里渊区边界(布里渊区中心)移动,当电场强度增大到一定程度时,可以实现半金属向半导体或绝缘体的转变;仅在外加磁场作用下,外尔半金属可以形成分立的朗道能级,n=0子带不随着磁长度的增加而变化,n=1和n=2子带随着磁长度的增加不断向费米能级靠近,且相同指标导带和价带间的能隙不断减小;在保持磁长度不变的条件下,体系的外尔点随着外加正向(负向)电场强度的增大逐渐向布里渊区边界(布里渊区中心)移动,在适当的外加电场作用下,n=0子带由部分占据的价带变为第一导带或完全占据的第一价带,实现半金属向半导体或绝缘体的转变. 相似文献
116.
117.
118.
119.
在海森伯绘景下,对一维谐振子在△t时间内受弱电场作用时处在各能量状态的概率进行了分析和讨论,得到受微扰谐振子处在各能量状态概率的严格解. 相似文献
120.
付青军 《陕西师范大学学报(自然科学版)》2006,(Z2)
以匀强电场为研究对象,从匀强电场场强与电势的关系出发,推导出匀强电场中同一直线上任意三点电势之间的定量关系,其形式类似于解析几何中的定比分点坐标公式.该方法可使类似问题由定性分析转化为定量计算,提高了解题的准确性. 相似文献