自调整模糊控制器在交流变频调速系统中的应用

针对电机参数变化和负载波动等因素对交流电动机矢量控制系统性能的不良影响,设计了一种二维自调整模糊控制器作为交流电动机矢量控制系统的速度调节器,并由SVPWM逆变器作为电动机的供电电源来实现变频调速.仿真实验表明,系统不仅提高了动态和稳态性能,而且具有良好的鲁棒性.     

基站天线室内测量系统的误差分析

分析了基站天线室内测量系统的误差源，理论证明微波暗室是影响测量结果（电压驻波比，隔离度）的重要因素．根据对测试结果的分析，得出了关于微波暗室对天线性能参数影响的几点结论．最后指出了所用方法的不足之处，提出了新的分析方法．     

基于主动禁忌搜索的配电网无功电压优化控制

提出将主动禁忌搜索（RTS）算法用于配电网无功电压优化控制问题的求解．首先根据已知的负荷预测曲线，用一种启发式方法为RTS提供可行初始解．在利用RTS算法的求解过程中，使用了反馈机制，可自动调节禁忌表长度，结合逃逸策略，可以使搜索有效地跳出局部极小点，更好地找到最优解．通过算例验证了该算法的有效性．与传统的禁忌搜索（TS）算法、遗传算法（GA）以及模拟退火（SA）算法进行了比较，算例结果表明，RTS算法求得的解质量更高，求解速度更快，比GA和SA算法至少提高了一倍．     

浅谈并联电容器中的涌流及其限制措施

并联电容器是现代电力工业部门大量而普遍使用的一种无功补偿设备。它通过提高功率因数、降低线损、调整电压、稳定系统，充分发挥供电设备的潜力，从而提高供电质量。     

氧化铝薄膜纳米孔的孔径对电解电压的依赖性

为了确定电解电压与氧化铝薄膜纳米孔孔径之间的内在关系，以2％的磷酸为电解液，在40～150V的电解电压范围内，对铝基材实施阳极氧化制备了具有纳米孔结构氧化铝薄膜．用环境扫描电镜(ESEM)观察结果表明，阻挡层中微裂纹的产生是形成纳米孔的先决条件，微裂纹的长度决定了孔径的大小．微裂纹的长度由阻挡层中的内应力决定，内应力由γ-Al2O3，与金属铝基体的匹配度决定，匹配度由γ-Al2O3的晶粒尺寸决定．X射线衍射(xRD)的分析结果表明，电解电压决定了氧化铝薄膜中γ-Al2O3晶粒尺寸的大小．因此，电解电压决定了氧化铝薄膜纳米孔的孔径．     

静止无功补偿器与发电机励磁协调自适应控制

采用直接反馈线性化、非线性控制和参数自适应控制方法,设计了电力系统中静止无功补偿器(SVC)与发电机励磁协调自适应控制器.该控制方法可以同时满足发电机功角稳定和SVC节点处电压稳定控制.对于电力系统中存在系统参数的不确定性问题,由于系统参数往往和系统实际运行状态相关,这使电力系统的稳定性降低,也增大了系统稳定控制的难度.考虑了系统参数的具体特点,实现了系统参数与状态的解耦,利用参数自适应控制方法,获得系统目标跟踪及稳定控制.仿真结果表明,该方法具有较好的实用效果和优越性.     

多针对板电晕放电中针尖半径对伏-安特性影响

研究了多针对板电晕放电中针尖半径a变化时放电电流I和外加电压V的关系.实验得到,当a在0.3 mm到1.0 mm之间时,对I的变化影响不大;在a变小过程中,I值略有增加;当a小于0.1 mm时,I值有明显的提高,前期研究中近似得到的伏-安关系式I=CV(V-Vs)中C反比于dln(2d/a),这同实验结果矛盾.分析指出伏-安关系式中Vs引入不正确,以阈值场强Ec处电压Vc代替Vs,修正伏-安关系式,最终得到实验和分析一致的结果,并解释了多针对板放电中a对伏-安特性的影响.     

ESD特征参数与受试设备耦合电压关系实验研究

本文研究静电放电(ESD)辐射场对电子设备的危害.利用电小单极子天线和IEC61000-4-2规定的电流波形标定装置组建的国内第一台静电放电电磁场测试系统,对空气式静电放电进行了系统的实验研究,确定了ESD特征参数与受试设备接受到的ESD耦合电压之间的关系.得出结论,ESD耦合电压的大小受放电电流上升时间tr和电流峰值Ip两种因素影响,且受上升时间的影响更大.为电子器件及设备抗ESD设计提供了客观的数值依据.     

五电极等离子体显示板触发放电的研究

采用流体模型研究了一种五电极交流等离子体显示板(AC PDP)的单点触发放电过程及其真空紫外线(VUV)的辐射特性.数值模拟结果表明,在放电期间恰当地调整电极上的驱动电位,可以改变介质层表面电荷积累,获得较高的壁电压.通过数值模拟还获得了五电极AC PDP维持放电期间的VUV辐射效率,其中173 nm的VUV辐射占总真空紫外辐射效率的27%,有利于提高AC PDP的发光效率.     

等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究

为了研究等离子体显示器(PDP)中MgO介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不同的基板温度和沉积速率下获得MgO介质保护膜,并利用X射线衍射分析及放电试验对其进行了研究.试验结果表明:虽然各工艺下的MgO薄膜都只有(111)择优取向,但结构存在差异.少数工艺下得到的MgO的(111)衍射峰的晶面间距变化很小,衍射峰强度较高,同时可获得最低的着火电压-132.2 V;而在其它的基板温度和沉积速率下的MgO薄膜发生晶格畸变,(111)的晶面间距有1%以上的收缩,相应的衍射峰强度也低,而着火电压均高于140 V.另外,较高的基板温度和沉积速率易导致MgO薄膜的晶格畸变.