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991.
采用一步法合成含磷掺杂的Pd/NiP三元合金材料,其透射电子显微镜图、场发射扫描电子显微镜图以及X射线光电子能谱图等结果显示,合成的Pd/NiP材料为直径(4.4±1.0)nm的超细纳米颗粒.循环伏安结果显示该材料具有优异的电化学性能,Pd/NiP纳米颗粒中Pd的电化学活性比表面积(ECSA)为42.11m2/g,是商...  相似文献   
992.
六价铬 (Cr(VI)) 化合物可用于各种行业,但具有毒性和致癌性。本文使用二氧化钛 (TiO-2) -还原氧化石墨烯 (rGO) 复合材料作为传感元件,制造了一种用于测定 Cr(VI) 的电流传感器。该复合材料是按照溶胶?凝胶化学合成的,产生尺寸约为 50 nm 的 TiO2 纳米颗粒,固定在化学剥离的 rGO 片材上。该复合材料用于三电极电化学电池并以电流模式运行,对 50?500 ppb Cr(VI) 表现出良好的响应。对 pH 3 Mcilvane 缓冲介质的最佳结果显示灵敏度为 9.12 × 10?4 ppb?1,检测限为 6 ppb,200 ppm Ca(II)、150 ppm Mg(II) 和 50 ppb Pb(II) 没有信号干扰。TiO2-rGO 传感器的优异结果可归因于TiO2和 rGO 之间的协同效应,这是由于 n-p 异质结的存在和 rGO 上TiO2 纳米颗粒的形成。  相似文献   
993.
采用水热法合成了含混合配体的铜配合物[CuLPhen]n(HL=5-硝基间苯二甲酸,Phen=1,10-菲咯啉),其结构由单晶X射线晶体学确定。标题化合物在单斜空间群P21/c中结晶。标题化合物的晶体数据:C20H11N3CuO6,Mr=106.57,a =10.6619(3),b =12.5760(4),c =13.0550(3)Å,α =90,β=95.463(3),γ =90°,V =1742.50(9)Å3,Z =4,T=293(2)K,Dc =1.726 g/cm3,μ(MoKα)=0.301 mm-1,F(000)=51.0,R =0.0380,wR =0.07,GOF =1.026。当用作超级电容器电极材料时,所制备的配合物具有高比电容、良好的循环稳定性和优良的倍率性能。具体来说,在1 mol/L KOH溶液中,最大比电容可达到225 F/g。在5 a/g电流密度下,5000次循环后比电容保持率为67.31%。  相似文献   
994.
利用低温下的水化学生长法合成了镍钴氧化物(NiCo2O4)纳米针,因其自组装而表现出立方晶相,再用二氧化钛/炭黑(TiO2/CB)对NiCo2O4表面进行了改性,合成了TiO2/CB-NiCo2O4复合纳米材料.用X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱仪(EDX)图谱对材料的形貌进行了表征,运用循环伏安法(CV)、时间-电流(i-t)曲线法考察了TiO2/CB-NiCo2O4修饰玻碳电极的电化学行为.实验发现:TiO2/CB-NiCo2O4修饰电极对葡萄糖的氧化有良好的电催化性能,其线性范围为0.001~1.780 mmol·L-1,检测限为0.53 μmol·L-1(信噪比S/N=3).将该法用于实际样品中葡萄糖的测定,结果令人满意.  相似文献   
995.
利用电化学噪声技术研究AZ91D镁合金的腐蚀过程,探讨Cl-浓度对AZ91D镁合金电化学噪声的影响.首先使用电化学工作站对有效噪声数据进行采集,然后对电化学噪声数据进行时域、频域分析,由此演化出电化学噪声特征参数,最终建立了电化学噪声与AZ91D镁合金腐蚀过程的联系.同时使用扫描电子显微镜观察了AZ91D镁合金出现电化学噪声时的表面形貌.实验结果表明,在含Cl-溶液中,AZ91D镁合金在一定时间内均出现不同程度的电化学噪声现象,同时,随着Cl-浓度增加,AZ91D表面伴随着点腐蚀.  相似文献   
996.
利用固相法在1 350 ℃合成了系列锗酸盐氧基磷灰石La10-xSrx(GeO4)6O3-x/2(x=0、0.25、0.5、0.75、1),利用XRD、SEM及电化学阻抗仪对样品进行了表征.结果表明:适量的Sr掺杂可以提高磷灰石的电导率.550℃时La9.75Sr0.25(GeO4)6O2.875的电导率为2.936×10-3S cm-1,比La10(GeO4)6O3电导率(3.781×10-4 S cm-1)高6倍,与同温度下的YSZ电导率相当.氧分压PO2=1~10-5atm时体系的电导率数值保持不变,证明Sr掺杂的锗酸盐氧基磷灰石在测试的氧分压范围内为O2-导电.  相似文献   
997.
998.
本文建立了反应控制操作条件下的固定床电化学反应器模型,从理论上对Tafel极化区和线性极化区操作下的反应速率、电流分布进行了讨论,并将实验测定的床层内电势分布与模型计算值进行了比较,为固定床电化学反应器非定态操作特性研究奠定了基础。  相似文献   
999.
1000.
介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程。结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好。  相似文献   
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