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近年,硅基低维材料物理与工艺的研究预示,硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向,而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展,硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料,如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅(nc-Si:H)膜,镶嵌在各种介质,如 -Si:H、SiO2或SiNx中的纳米晶硅,以及利用自组织生长的Ge、Si以及GeSi纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。 相似文献
996.
电化学体系中非连续型振荡的诱发 总被引:5,自引:0,他引:5
根据非连续型振动与慢流型,双稳态现象之间的内在联系,讨论了演化机制可出现多定态分支的电极反应体系,因外控状态参量慢变化导致非连续型电化学振荡的可能性。模型研究表明,适当的外电路阻抗或反应体系温度控制的热补偿机制的存在,可能诱发该类振荡,从而为抑制或诱发利用该类振荡提供了一条可能的途径。 相似文献
998.
固体支撑的双层类脂膜不仅是研究和模拟发生在生物膜上各种过程的重要模型,而且也成为研制生物分子电子器件的重要工具.在固体支撑的双层类脂膜中,金/硫醇-类脂双层膜以其缺陷少、稳定性高等特性而倍受关注[1].本文报道了修饰7,7,8,8-四氰基奎诺二甲烷(... 相似文献
999.
本文通过对3×3和5×5的CsI(Tl)晶体阵列进行蒙托卡罗模拟,得出了CsI(Tl)晶体发光不均匀性对能量线性和能量分辨率的影响. 相似文献
1000.
方铅矿磨矿体系表面电化学性质及其对浮选的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用电化学测试技术研究方铅矿磨矿体系中磨矿介质类型(瓷介质和铁介质)、机械力以及捕收剂对方铅矿表面电化学性质的影响.研究结果表明瓷介质中,方铅矿表面会发生适当的氧化反应,有利于方铅矿浮选;增大方铅矿与瓷介质间的机械力,体系的还原性增强,同时削弱矿物表面的氧化反应,给浮选造成一定影响.铁介质中,一方面,由于铁与方铅矿的腐蚀电偶作用增强了体系的还原性,降低了药剂在方铅矿表面的吸附性能,另一方面,由于腐蚀电偶作用产生的铁离子增强了方铅矿表面的亲水性,两方面的影响都不利于方铅矿的浮选;增大方铅矿与铁介质间的机械力,二者之间的腐蚀电偶作用和体系的还原性增强,同样不利于方铅矿浮选.当pH=9 时,在瓷介质和铁介质磨矿体系中是否添加捕收剂,对方铅矿表面电化学性质和浮选影响不大. 相似文献