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211.
《河南科技》2013,(11):20-20
一、萝卜需肥特点 萝卜生长初期对氮磷钾吸收较慢,随着生长而加快.到肉质根生长盛期,对氮磷钾的吸收量最多。萝卜在不同生育期中对氮磷钾吸收最的差别很大,一般幼苗期吸氮量较多,磷钾的吸收量较少,进入肉质根膨大前期,植株对钾的吸收量显著增加,其次为氮和磷,到了肉质根膨大盛期是养分吸收高峰期,因此,保证这一时期的营养充足是萝卜丰产的关键。  相似文献   
212.
以MS为增殖培养基,分别添加不同浓度多效唑、矮壮素和比久,研究植物生长抑制剂对脱毒马铃薯试管苗增殖和复壮的影响.结果表明:培养基中PP333浓度为0.1~0.5mg/L,CCC浓度为40~60mg/L,B9浓度为20~40mg/L时兼有矮化和复壮的双重效果;PP333对马铃薯试管苗的抑制存在着品种间的差异,不同品种所需的最适浓度不同.  相似文献   
213.
干旱、旱盐胁迫对刺槐生长及离子吸收分配的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过盆栽控盐(NaCl)、控水的方法,研究了2个剌槐无性系(W1和L78)生长及体内盐离子吸收和分配对干旱、旱盐胁迫的响应,探讨了无性系对两种胁迫响应机理的异同及抗旱与耐盐间的关系.结果表明:(1)两种胁迫均明显抑制了2个无性系的生长,其中旱盐胁迫对生长的抑制较干旱胁迫强;就2个无性系而言,干旱胁迫抑制W1生长的作用强,而早盐胁迫抑制L89生长的作用强.(2)两种胁迫下,L78根中各离子的相对选择性比率(RSK.Na、RSca.Na、RSMg.Na)小(与W1相比).而叶的RSk.Na、RSCa.Na、RSMg.Na大,造成根中K 、Ca2 、Mg2 的匮乏,是两种胁迫抑制L78生长的共同原因.L78根控制Na 吸收和向地上部运输的能力差,是旱盐胁迫进一步抑制L78生长(与干旱胁迫相比)的原因之一.(3)旱盐胁迫下,W1能维持相对稳定的矿质营养水平,尤其是K 、ca2 ,同时根对Na 的吸收和向地上部的运输有较强的控制能力,表现出较强的抗旱耐盐能力.(4)干旱胁迫下,W1根中离子总量降低幅度大于L78,表明无机离子在渗透调节中所占比重较L78小,说明有机渗调作用加强,加大了植物自身物质和能量的消耗,造成干旱抑制W1生长的作用较L78大.  相似文献   
214.
ZnO是一种宽带隙Ⅱ~Ⅵ族半导体材料,由于其独特的性能,如高电子迁移率、广泛的激子结合能,是一种很有前途的光电器件材料;但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等很难使其有效地实现n型向p型导电的转变.介绍了ZnO的p型掺杂机理、掺杂元素分类及国内外对p型ZnO研究的最新进展.  相似文献   
215.
高等植物硅素营养研究进展   总被引:9,自引:0,他引:9  
唐旭  郑毅  汤利 《广西科学》2005,12(4):347-352
硅在地壳中含量为27.6%,大部分以二氧化硅(SiO2)的形态存在,能被植物吸收的有效硅只有50~250mg/kg,植物吸收硅后土壤溶液中硅的浓度仍能保持在一恒定水平.硅在植物内主要以二氧化硅胶(SiO2*nH2O)的形态存在于表皮细胞和细胞壁上,含量随物种不同而差异很大,同时还受植株部位、栽培方式及环境条件等因素影响.植物吸收硅主要以单硅酸形式,不同植物吸收硅的能力不同,水稻具有主动吸收硅的能力,大多数植物被动吸收硅.硅素对植物的形态结构和体内其它元素产生影响,能调节植物的光合作用和蒸腾作用,能增强植物抗倒性和抗旱性,高浓度的硅对真菌孢子的萌发和菌丝的生长有抑制作用,硅素能够提高植物对病虫害的抗性,降低病虫害的发生.  相似文献   
216.
研究了在硫酸体系中用三正辛胺(TOA)萃取Ge4 的机理,结果表明在水相中加入酒石酸与Ge4 形成较大的络合阴离子Ge(C4H4O6)32-易转入有机相中,经等摩尔法和饱和法确定了萃取Ge4 的机理和萃合物的组成.基于红外光谱的研究,探讨了萃取后配合物的结构.  相似文献   
217.
磁化增注机理的分子动力学模拟   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用分子动力学模拟方法,从分子水平对磁化增注的机理进行了模拟研究。计算结果表明在优化磁感应强度范围内,水的表面张力系数和粘滞系数降低,使水的渗透性和流动性增强,达到增注的目的;在此基础上,从结晶学的角度对磁化防垢的效果进行了分析,研究表明经优化磁场处理后,水溶液的临界晶核半径减小,晶体成核速率和生产速率明显增加,溶液的过饱和度迅速降低,晶体的长大受到限制而形成较小的结晶颗粒,析出的固相将有更多的部分悬浮于水中,易于随水流动而减少沉淀,从而达到防垢、增注的效果。磁化增注效果在B=0.25T时最为明显。  相似文献   
218.
CMOS集成电路闩锁效应的形成机理和对抗措施研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
以反相器电路为例。介绍了CMOS集成电路的工艺结构;采用双端pnpn结结构模型,较为详细地分析了CMOS电路闩锁效应的形成机理;介绍了在电路版图级、工艺级和电路应用时如何采用各种有效的技术手段来避免、降低或消除闩锁的形成。这是CMOS集成电路得到广泛应用的根本保障。  相似文献   
219.
空心微珠表面化学镀Ni-P合金镀层的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
火电厂粉煤灰空心微珠具有颗粒细、中空、质轻、高强、耐磨、耐高温、保温绝热、绝缘阻燃等多种性能,常作为复合材料的填料而得到广泛应用.采用硝酸银代替氯化钯为活化剂,在空心微珠表面化学镀Ni-P合金镀层,用X-射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDX)、扫描电镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对其进行分析表征.结果表明,以硝酸银代替氯化钯为活化剂,在空心微珠表面能得到Ni-P合金镀层.并分析了以硝酸银代替氯化钯为活化剂制备Ni-P镀层的形成机理.  相似文献   
220.
增长曲线模型中LSE的几种新的相对效率   总被引:2,自引:0,他引:2  
对于生长曲线模型Yq×n = Aq×m Bm ×kCk×n + eq×n , E(e) = 0 ,cov(→e) = Vn×n q×q ,该文定义了四种LSE 的相对效率,并给出了它们的上界  相似文献   
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