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91.
王东新 《南京师大学报(自然科学版)》2002,25(4):67-70
新型的溶胶—凝胶毛细管气相色谱柱除了具有热稳定性高及分离效果好的特点外,此色谱柱的柱容量(sample capacity)数倍于传统的用静态法涂渍固定相并用交联反应使之固载化的色谱柱的柱容量.在两种不同的色谱柱上,逐渐增加试样的进样量,柱效率随之变化.进样量对柱效率的影响清楚地表明了溶胶—凝胶柱的柱容量远高于传统柱. 相似文献
92.
溶胶凝胶法制备(Ba,Pb)TiO3纳米晶粒 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶工艺制备了不同晶粒大小的掺铅钛酸钡纳米晶,用XRD,TEM和Raman研究了BPT样品的晶粒大小,结构及其相变特性,结果表明,BPT纳米晶最低晶化温度为550℃,衙门广泛650℃,高于650℃热处理的纳米晶BPT在常温下为四方相,随着晶粒尺寸的减小,由四方相向立方相过度。 相似文献
93.
以正硅酸乙酯、有机镁盐、无机铝盐为原料,通过溶胶-凝胶法制备了堇青石陶瓷用超细粉。利用XPS、EDAX、BET、XRD、SEM、TEM等测试手段,分析研究了影响超细粉组成分布均匀性及活性的各种因素。结果表明:原料种类、催化剂、干燥及预烧条件,是影响复合氧化物超细粉均匀性和活性的主要因素。本实验获得的超细粉,组成分布均匀、活性高、烧结性好,其比表面积为205m~2/g,平均粒径为50nm。 相似文献
94.
以MoCl_3(OC_2H_5)_2为原料,应用溶胶-凝胶法制备了透明均匀的氧化钼薄膜。实验发现,合适的工艺条件为:浸透液浓度0.1~1.0mol/L,浸透湿度40~60%,H_2O/MoCl_3(OC_2H_5)_2摩尔比2~4,热处理温度300℃。薄膜在300℃以下热处理是非晶态的,加热到350℃时,有MoO_3晶相出现。应用红外吸收光谱、X-射线衍射对干凝胶的结构和组成进行了研究,在空气气氛中热处理干凝胶,主晶相是MoO_3,加热到600℃时,存在Mo_9O_(26)晶相;在氩气中,300℃是MoO_2晶相,400℃以上则为MoO_2和η-Mo_4O-(11)两种晶相,在1Pa真空中,300~400℃有MoO_2、Mo_8O_(23)和MoO_(28)三种晶相,600℃则转化为MoO_2和ν-Mo_4O_(11)两种晶相。应用DTA对凝胶进行热分析表明:在98℃左右,溶剂C_2H_5OH和吸附水挥发,加热到400℃以上,残余有机物开始氧化分解。 相似文献
95.
溶胶制备工艺对ZrO2—Y2O3涂层性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用无机金属盐水解及有机醇盐中间体合成两种不同的工艺路线制备了ZrO2-Y2O3复合Sol(溶胶),对比了通过Dip-Coating的方法在GH220/MCrAlX基体上形成致密ZrO2-Y2O3陶瓷涂层的能力,以及涂层在1000℃的静态抗氧化性能,结果表明,金属有机醇盐工艺制备的ZrO2-Y2O3陶瓷涂层具有极其优越的高温静态抗氧化性能。无机金属盐水解所制备的ZrO2-Y2O3涂层抗氧化能力明显低 相似文献
96.
本文用Gordon生成函数法对A_a、B_b、B_1型反应体系的溶胶——凝胶分配进行了理论分析,得到了A_a、B_b、B_1体系的溶胶分数(S)、凝胶反应程度(P'_b),总反应程度(P_b)之间的关系,讨论了凝胶化范围,并用实验进行了验证。 相似文献
97.
本文用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法制备了SrO-SiO2玻璃,初步探讨了在液-液不混溶区合成的最佳实验条件,研究了不同组成溶胶的胶凝时间、老化温度以及热分解条件。并通过热重分析、差热分析及红外光谱等测试手段对干凝胶及玻璃的性能进行了考察。 相似文献
98.
超级电容器电极材料纳米α-MnO2的制备及性能研究 总被引:6,自引:1,他引:5
用溶胶-凝胶法和沉淀法制备了具有纳米结构的α-MnO2,分别对其进行X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),循环伏安(CV)等测试,结果发现溶胶-凝胶法所合成的材料是由粒径为60nm的微粒组成,沉淀法所合成的材料粒径在80nm范围,并研究了不同配比的α-MnO2和活性炭组成的复合电极在各种浓度的电解液中的循环伏安性能,发现当电极中α-MnO2质量百分含量为40%-60%时,在0.5mol/L Na2SO4,2.0mol/L(NH4)2SO4,1.0mol/L,KCl溶液中的比电容较高,其中在2.0mol/L(NH4)2SO4溶液中的比电容最高可达108.26F/g. 相似文献
99.
SHI Tong-fei ZHU San-yuan WU Wen-qing ZHANG Guo-bin YAN Wen-sheng SUN Zhi-hu LIU Wen-han WEI Shi-qiang 《中国科学技术大学学报》2007,(Z1)
利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2 离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2 离子,并且造成了Co2 离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2 离子进入晶格,剩余的Co2 和Co3 析出晶格形成Co3O4相. 相似文献
100.