等离子增强型化学气相沉积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积氮化硅是目前器件难一能在合金化之后低温生长的氮化硅。本文研究了各种淀积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释。     

0—100℃水的蒸气压公式

由实验数据用最小二乘法给出了较为精确的０－１００℃水的蒸气压的近似公式；用热力学方法导出了单元系凝聚态蒸气压的理论公式；用实验数据验证了理论式的正确性；论证了给出的近似式在实验与理论上的合理性。     

白庙子斜发沸石的化学改性及重金属离子交换性能研…

白庙子斜发沸石经浸煮法化学改性为钠、铵、钾、钙、镁型矿样，并在室温下与４０ｍｇ·ｄｍ＾－３ＣｕＣｌ２溶液进行Ｃｕ＾２＋溶液进行Ｃｕ＾２＋静态交换和动态交换。实验结果发现，原矿化学改性时阳离子的交换度与其离子水合半径有关。各矿样的Ｃｕ＾２＋交换容量、交换度和离子分离因数与阳离子水合半径、离子价数有关，呈现Ｎａ型〉ＮＨ４＾＋型〉Ｍｇ型￣Ｋ型〉Ｃａ型￣Ｏｒ型的规律。其中Ｎａ型、ＮＨ４＾＋型改性矿样对除去     

CuO／CeO2体系中表面Cu（Ⅱ）组份的状态及还原过程

采用ＴＰＲ结合ＸＲＤ定理研究了ＣｕＯ／ＣｅＯ２体系中Ｃｕ（Ⅱ）的分散状态及还原过程，结果表明：ＣｕＯ在ＣｅＯ２表面的分散容量为１．１５ｍｍｏｌ／１００ｍ＾２，Ｃｕ（Ⅱ）可以以高分散态Ｃｕ（Ⅱ?嵌入到表面空位中以晶相ＣｕＯ（当ＣｕＯ含量超过分散容量时）形式存在，在还朱过程中首先是处于表面空位中的Ｃｕ（Ⅱ）被还原，随后晶相ＣｕＯ中的Ｃｕ（Ⅱ）进入该空位再被还原，从而导致表面连续嵌入和还原过程的发生。     

1—溴正烷烃结构与沸点关系的拓扑化学研究

根据分子拓扑学原理，用拓扑方法探讨了1－溴正烷烃的沸点与其分子结构之间的关系，应用这一定量关系，不仅能够合理表征1－溴正烷结构与沸点的关系，而且能够预测点，结果表明，沸点预测值都很接近实验值，平均误差仅0．030％。     

氟的环境化学

氟是环境污染元素。自然界中氟的存在形式。含氟工业。我国有关氟含量的规定。氟的危害。氟的治理。     

一些无机化学反应的热力学探讨

本文运用化学热力学基本原理，对一些无机化学应进行热力学探讨，归纳出了“一步走”、“两步走”和“绕道走”的三种无机制备路线的设计构思。