He(Ar)低能FIB研磨Si薄膜的纳米孔洞溅射产额的计算

利用蒙特卡罗方法计算氦离子和氩离子在各种参数下(离子能量、入射角度)入射硅材料表面的溅射产额.计算了硅材料表面的溅射产额对离子数目、离子能量、入射角度与He离子和Ar离子的数量依赖关系,并对模拟结果进行分析.当入射离子数量为2000个,入射能量为3keV,入射角度为84°时,He离子产生的溅射产额最大值是1.30Atoms/ion;当入射角度为78°时,Ar离子产生的溅射产额最大值是8.91Atoms/ion.     

罗伯特·C·理查森(1937-2013)

在实验物理学方面作出突出贡献的诺贝尔物理学奖得主、美国康奈尔大学佛洛伊德·R·纽曼物理学教授罗伯特·C·理查森(Robert C.Richardson)——同事们习惯称他为鲍勃(Bob)——因心脏病发作,于2013年2月19日在纽约州伊萨卡镇去世,终年75岁。作为一名在实验物理学领域表现出卓越才能的科学家,鲍勃总是充满活力和热情挑战各种难题,他的职业道德素养和深刻洞察力是人们学习的楷模。在他的职业生涯中,鲍勃获得过无数荣誉和     

被遗忘的元素用字——氜、氪、氲

20世纪初,中国早期科技工作者在介绍国外新发现的元素时,会用新造字来代表。有些新造字成为学科规范,也有一些早已被人淡忘。文章回顾了三个天文相关元素的新造字的使用和流传情况,发现它们并没有得到应有的认可。这直接影响到科技史和科技术语的现代表达,是有待解决的历史遗留问题。     

探索核子在核内的排列

本文图1显示质子和中子在核内的排列顺序,免除了质子静电排斥作用,推翻了核力大于电磁力对电磁力可忽略不计的错误理论。图2显示氮+及氧+如何转换成碳+的推演,从而为天然气的物理成碳学说开启了探索门路。并纠正了现代物理学碳+12是由3个氦+4和氧+16是由4个氦+4累集而成的错误。图4为把门德列耶夫元素周期表用图形表达。     

金属中氦缺陷的第一性原理研究

采用第一性原理方法研究了面心立方fcc、体心立方bcc和六方密堆hcp结构金属中氦缺陷,计算分析了三种晶体结构金属中四面体间隙位置、八面体间隙位置和替代位置氦原子的形成能．并比较了fcc、bcc和hcp结构中不同位置氦点缺陷的稳定性．     

晶体镍中氦泡生长的分子动力学模拟

利用分子动力学方法模拟了面心立方金属镍中氦泡的膨胀和融合过程。通过原子分布示意图、径向分布函数等方面的分析研究发现,在温度较低时,随时间的演化,原相隔五层镍原子的两氦泡逐渐聚拢,同时周围出现大量空位、间隙原子、位错等缺陷结构;两氦泡最终连为一体,氦泡周围的镍原子构成一菱形位错区域。温度较高时,两氦泡融合速度加快,融合区域增大,这对于研究材料中的杂质、缺陷、孔洞、裂纹的扩展、贯通机理具有重要意思。     

HF-He相互作用势及碰撞截面的研究

作者首先拟合出了ＨＦ分子与Ｈｅ原子的相互作用势,然后用密耦方法计算了ＨＦ－Ｈｅ碰撞体系两种势能的散射截面,并比较了不同势能下的散射截面,研究了ＨＦ－Ｈｅ碰撞体系散射截面的变化规律。     

变分法在计算量子物理基态氦原子能量中的应用

对基态氦原子的波函数据和能量的传统计算方法是自恰场法和微扰论,其计算过程的自恰场法十分繁难,而结果又是数据表,逼近成解析式也比较复杂.采用变分法,以解析式的形式进行讨论,戡用超来又比较方便,其计算结果也与实验结果更相近.     

应用MICC理论研究氦原子对氢分子特征轮廓的影响

应用分子内禀特征边界轮廓理论（MICC）分男口研究了氨原子沿氢分子键轴．垂直氢分子键轴方向接近氢分子时,氢分子特征轮廓半径及电子密度的变化．在这两种情况中,氨原子对氢分子的影响均是沿作用线内侧的氢分子特征轮廓半径及电子密度变化强于其它方向的半径及电子密度变化．     

额外维和宇宙氦丰度的相关性质研究

根据Mukhanov反应率表达式计算宇宙氦丰度的数值,当额外维空间存在时,通过精细耦合常数α、弱作用耦合常数GW、引力耦合常数G的变化关系推导修正的平衡方程,同时计算额外维数d变化时宇宙氦丰度的修正值.当额外维标度因子的变化值取ε=10~(-2)和ε=10~(-3)时,分别计算额外维空间维数由d=2～11时的氦丰度值.另外,对额外维标度因子随时间振荡变化的氦丰度值的计算结果表明:如标度因子的变化值取ε=10~(-2)或δ=10~(-3)时,氦丰度有一定变化;如标度因子变化值取ε=10~(-3)或δ=10~(-3)时,氦丰度的变化不明显.