B-Si及无胺型Fe-Si-ZSM-5沸石合成规律的研究

用几种伯胺及TEA,TMA为模板剂合成了B-Si-ZSM-5沸石。在不使用有机胺等模板剂的前提下,用加入晶种的方法合成了Fe-Si-ZSM-5沸石。讨论了制备上述沸石的水热合成条件,用X射线衍射、红外光谱、热分析、B.E.T.等手段研究了它们的一些物理化学性质。     

利用等间隔模分裂技术的超短He—Ne激光器

一支腔长小于１００ｍｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器不能正常工作，因为在出光带宽内有时可能没有纵模存在，输出光功率会不时地大幅度变化，提出和研究解决这一问题的方法，用一片经过适当设计的石英晶体作为纵模间隔大于出光带宽的一支Ｈｅ－Ｎｅ激光器的一个腔镜，导致等间隔纵模分裂，即纵模的数目加倍，实际纵模间隔减半，因此可以造成出光带宽内总有一个以上纵模存在，用此方法制成的腔长８５ｍｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，输出功率达到０．     

不含手性碳的手性化合物R—S构型的确定

介绍了含手性杂原子,手性轴和手性面的化合物的R/S标记方法。     

NH2自由基电子基态及激发态解离通道的静力学分析

本文利用原子分子反应静力学的基本原理,研究了NH2自由基体系的可能解离通道,得到了NH2自由基电子基态2B1及第一激发态2A1合理的解离通道。     

两原子纠缠态的制备

提出一种基于原子与腔场共振相互作用的制备两原子纠缠态的方案．在本方案中,两个双能级原子以很快的速度穿过一个初始处于真空态的腔,然后第３个原子以很快的速度穿过这个腔．对这个原子态的探测将使前两个原子坍缩到一个最大纠缠态     

He(Ar)低能FIB研磨Si薄膜的纳米孔洞溅射产额的计算

利用蒙特卡罗方法计算氦离子和氩离子在各种参数下(离子能量、入射角度)入射硅材料表面的溅射产额.计算了硅材料表面的溅射产额对离子数目、离子能量、入射角度与He离子和Ar离子的数量依赖关系,并对模拟结果进行分析.当入射离子数量为2000个,入射能量为3keV,入射角度为84°时,He离子产生的溅射产额最大值是1.30Atoms/ion;当入射角度为78°时,Ar离子产生的溅射产额最大值是8.91Atoms/ion.