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51.
52.
采用3ω方法在100~320 K温度范围内测试了不同周期长度的InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜的导热系数. 结果表明对于周期性超晶格结构, 随着温度的升高, 热传导能力下降; 比较周期长度不同的超晶格结构的测试结果, 发现导热系数会随着周期长度的增大而减小, 并在某一周期长度取得最小值, 但随着周期长度的进一步增大, 导热系数又出现上升趋势, 表明在长周期超晶格结构中界面热阻是影响声子传输的主要因素. 理论计算表明, 对于短周期的超晶格结构, Bragg反射是造成产生最小值的原因之一, 由于声子穿透率的下降, 造成导热系数随着周期长度的增大而减小. 理论与实验研究结果表明, 随着周期长度的增大, 声子的传输规律由声子的波动性过渡到粒子性, 这对实现声子的剪裁具有重要意义, 为设计超晶格结构提供理论基础. 相似文献
53.
胡新福 《四川理工学院学报(自然科学版)》2014,(2):43-46
普通电子节能灯通常采用不可控整流,使得输入电流严重畸变,谐波含量多,功率因素低。针对这一现象,利用逐流高频反馈技术设计了电子节能灯。结果表明,电子节能灯中应用逐流高频反馈技术,提高了节能灯输入功率因素,降低了输入电流总谐波畸变,是一种高性价比的电子节能灯设计方案。 相似文献
54.
本文结合QuickBird卫星影像提供的RPC文件,对利用有理函数模型进行正射纠正的原理进行分析研究:通过实验分析了经正射纠正后影像点的定位精度,验证了利用有理函数模型进行正射纠正的可行性,指出了的利用该模型的优缺点和进一步需要解决的问题。 相似文献
55.
采用共沉淀法制备草酸盐前躯体,前躯体低温分解制备系列Zn1-xCoxO样品.利用X射线衍射、透射电子显微镜、X射线光电子能谱以及吸收光谱对样品的结构、表面形貌、Co离子所处的价态以及光学性能进行了表征和测试.研究结果表明:所有样品都呈无规则颗粒状,样品平均粒径随Co掺杂量的增加而变小;Co离子处于+2价态,在取代Zn位;样品的结构与光学特性存在一定联系,掺Co后晶粒尺寸明显的减少与Urbach能明显的增加有关,随Co含量x的增加晶格参数增大、Co2+的d-d吸收强度增加而带隙变窄,当Co的含量x>0.03时晶胞参数转而变小、d-d吸收强度增加缓慢.通过结构与吸收的比较分析,认为掺Co样品的晶格相对于纯的ZnO膨胀可能是由于Co2+的等电子杂质效应引起晶格扭曲使晶体的无序度及缺陷密度增大造成的,x>0.03时一部分Co2+离开其四配体位产生聚集可能是造成晶胞参数下跌、d-d吸收强度变化缓慢的原因. 相似文献
56.
A new class of media with abnormal electromagnetic parameters has been attracting increasing attention because of its exotic
properties and potential application. Currently, typical metamaterials are mainly composed of artificially designed metallic
periodic structures. However, due to the limitations of available fabrication technologies, physical size and material effects,
it is difficult to realize these abnormal properties by these artificial structures in the high-frequency regime. Therefore,
it is important to find materials with intrinsic abnormal electromagnetic responses. In this field, a new mechanism based
on the interaction between polar lattice vibrations and electromagnetic waves has been proposed. In this paper, we review
progress in this field. 相似文献
57.
沈新尹 《北京师范大学学报(自然科学版)》1990,(3)
阐述了利用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究表面晶格振动的原理和方法,结合2种不同类型的半导体GaAs(110)和Si(111)表面声子谱的实验观察,讨论了表面声子谱的特征。确定了GaAs(110)剖理面在液氦温度下及Si(111)剖理面在室温下的表面声子能量分别为35.6和56meV,其1次增值峰对损失峰的相对强度分别为0.002和0.1。 相似文献
58.
对向靶反应溅射法制备的FeN化合物薄膜的结构和磁性对基板偏压的变化很敏感,不同的偏压数值作用的效果不同。我们用基板偏压促进成膜原子间的相互扩散,以及对负离子排斥降低膜中N的浓度和粒子轰击对膜再溅射的观点解释了FeN膜的结构和磁性的变化。 相似文献
59.
采用平均键能理论结合形变势方法对由AISb,GaSb和InSb所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定,并分析了阳离子浅d轨道对价带偏移值的影响.结果表明,它们的价带偏移值具有显著的应变效应,此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋-轨道分裂能量的耦合.这一效应导致了AISb-lnSb和GaSb-InSb系统中最高价带排列的Ⅰ-Ⅱ型超晶格的转变. 相似文献
60.
利用黄昆公式和晶格场动力学参数与静晶场参数的关系估算了硼酸铝钕(NAB)激光晶体中钕离子的 S 因子。进一步讨论了 Auzel 关于自激活激光晶体浓度猝灭效应准则的深层含意. 相似文献