0．28 MeV Zn离子注入GaInP／GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究

对于GaAs衬底(100)面上用金属有机物气相淀积(MOCVD)技术外延生长的GaInP/GaInAsP 单量子阱,在室温下进行0.28 MeV的Zn 离子注入,选用的注量从1×1014～5×1014 cm-2.通过双晶X射线衍射光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明在所选用的注量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038,说明在这样的注入条件下,注入区的结晶态仍然保持地比较好.在较高注量下应变达到饱和,应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.     

Ag-Cu合金的原子体积和体积函数

建立了原子体积相互作用的 9种函数 .由各V 函数计算Ag Cu合金的平均原子体积和晶格常数分别彼此相等 ,并与实验值符合较好 .由各理论函数计算的组元平均原子体积、特征原子体积各不相同 .只有对能量、体积和电子结构的相关性进行研究后 ,才能正确选择V 函数 ,才能建立合金系的完整知识系统 ,为科学设计新合金奠定基础 .对Ag Cu系中亚稳相的晶格常数与成分的关系也进行了讨论     

铬铁矿的分子动力学势能参数反演

导出一组对铬铁矿及其高压相、分解产物都适用的Buckingham势能参数,用于铬铁矿高压相变、分解以及高压相卸压降温过程的分子动力学模拟.首先,利用密度泛函理论(DFT)计算获得铬铁矿、钙铁相、钙钛相、FeO和Cr2O3不同体积时的结构和总能量.再根据晶格能与总能量之间的关系,由DFT所得结构和总能量,列出势能参数所满足方程组.应用遗传算法这一全局优化算法获得势能参数.为检验所得势能参数的正确性,将其用于分子动力学计算,得出的5种晶体的晶格常数与实验和DFT结果分别差～2%和～1%,得出的5种晶体的V(p)关系与DFT拟合的状态方程曲线相吻合.     

12 A Gev的α粒子在G5乳胶中的多重散射测量

本文把Williams的多重散射理论用到乳胶技术中,讨论了相对论双电荷粒子在G5乳胶中的多重散射。对各种实验条件下的散射常数及散射偏差进行了评述,当单元长为10—104um时,散射常数的变化范围是20.9≤K=K_∞≤31.0。同时给出利用MBH—8M显微镜测量的12A Gev的a粒子在G5乳胶中的多重散射.     

超大单胞体系电子结构计算的负因子计数方法——定理及数值方法

一、引言 大分子的量子化学计算一直是一个很困难的问题。目前,无序体系(如非晶态材料、生物大分子)及超晶格体系引起了人们的极大兴趣。但是,由于这种复杂体系涉及到高阶的Hamilton矩阵(约1000×1000),因而使量子化学计算变得困难。对于一维无序长链体系,近年来发展的负因子计数(NFC)方法是一种非常有效的手段。为了给这种方法一个坚实的数学基础,我们在厄米矩阵的形式下严格地论证了负本征值定理,并在此基础上提出了求解超晶格紧束缚模型的数值方法。     

Ising—Heisenberg铁磁超晶格的的自旋波

在格林函数理论的框架内，我们研究了由两个不同的模型共同描写的超晶格的性质，即用Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ各向同性模型描述α种原子层，而用带有Ｉｓｉｎｇ型各向异性的Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ模型（当各向异性参数为适当值时，即为Ｉｓｉｎｇ模型）描述种原子层，我们解析的求解了子格磁化的高低温行为，同时还数值计算了０＜Ｔ＜Ｔｃ温区的子格磁化曲线。     

八配体CdF_2和CaF_2中掺杂Co￣(2+)的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Ｃｏ￣（２＋）离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ￣（２＋）离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ＿ｇ因子．研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。     

小粒子中^103Rh的核磁共振探索

本文用电子轨道（或化学）位移和电子－自旋位移随位置有关的观点给予定性的解释。     

缺陷态二维光子晶体传播特性的研究

应用平面波展开法研究了缺陷态二维光子晶体的传播特性。根据计算得到在0.208~0.32698Hz波段的光波能在波导中很好地传播。并且分析了当圆柱半径从0.1a~0.5a发生改变时的带隙规律,研究结果为光子晶体波导器件的开发提供了理论依据。