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Brücken Erik Gdda Akiko Ott Jennifer Naaranoja Tiin Martikainen Laur Karadzhinova Ferrer Aneliy Kalliokoski Matti Golovlova Mari Kirschenmann Stefanie Litichevskyi Vladyslav Petrine An Luukka Panj Hrknen Jaakko 《湘潭大学自然科学学报》2018,(4):115-120
该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝(Al2O3)薄膜工艺,大小为(10×10×1) mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流 电压(I V),电容 电压(C V)、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符 相似文献
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基于标准CMOS技术,提出和研究了一种用于光通信与光互连、集成差分光电探测器的全差分跨阻放大器(TIA).为实现全差分特性,提出了一种新型全差分光电探测器,其作用是将入射光信号转换成一对全差分光生电流信号,并保证电路结构和模型的全差分对称性.理论分析和仿真结果均表明:与常规的、集成光电探测器的差分跨阻放大器相比,该全差分跨阻放大器的带宽更高,灵敏度也同时被提高一倍.基于该集成差分光电探测器的全差分跨阻放大器,采用特许3.3V,0.35μm标准CMOS工艺设计和制造了一种单片全差分光电集成接收机.其跨阻增益为98.75dBΩ,从1Hz至-3dB频率点间的等效输入积分噪声电流为0.334μA.该光接收机采用了单一的3.3V电源;跨阻放大器与限幅放大器的总功耗为100mW;50Ω输出缓冲器的功耗为138mW.对于850nm的入射光、-12.2dBm的峰峰光功率和231–1位伪随机二进制序列输入信号,该光接收机达到了1.1GHz的3dB带宽和1.6Gbit/s的数据率. 相似文献
113.
基于逆向工程技术实现汽车覆盖件回弹评测 总被引:1,自引:0,他引:1
针对实际冲压件提出了一种基于逆向工程技术的回弹评测方式.对实际冲压件进行激光扫描后重构出型面,根据弹性变形的特点对模型进行强制变形以找到节点的对应关系,并根据CAD模型的几何中心计算出曲面的重合点,以对应节点的距离为适应度函数利用遗传算法搜寻出最佳旋转位置,并计算出各节点的法向偏移距离作为该节点的回弹量.该方法实现了对冲压件各个部分回弹的精确评测,从而可以为模具的修整提供正确的指导. 相似文献
114.
田若松 《科技导报(北京)》2006,24(10):88-88
9月3日北京时间13时42分22秒,欧洲第一个月球探测器“智能1号”按预定时间成功撞击月球表面. 相似文献
115.
《华东科技》2014,(1)
正能在几乎全黑的环境里拍摄的相机如果你认为低光摄影技术将在未来迅猛发展,那你必是还不了解这台新相机。这是一款麻省理工的研究者研发的新相机,它能够在只有极少量光子存在的情况下拍摄出物体清晰的影像。该技术是用可见激光的超低强度脉冲去扫描目标物体。激光将脉冲扫向制定位置,被反射回的单程光子会被高度灵敏的固态探测器记录下来。然后,激光会继续前进,反射过程就会重复进行。每一个被照到的位置都会给最终影像添上一个图素。该团队预期这个设备可以用于拍摄在高光下易损的物质,特别是生物结构,比如眼睛。有趣的是这项技术开辟了在不被侦查到的情况下获取图像的可能性,谁会不想要一台隐形相机呢? 相似文献
116.
今年6月6日上演罕见"金星凌日"天象,下次"金星凌日"将等105年:科学争议——今年6月6日天空中上演了罕见的"金星凌日"天象,当时金星和太阳、地球排成了一条直线,地球上的观测者可以看到一颗"黑痣"(金星)缓缓划过太阳的脸庞,而下一次"金星凌日"天象将等到2117年。虽然金星的大小和地球最接近,它的直径为7521英里,仅比地球小5%,但金星表面温度却高达480摄氏度,大气压 相似文献
117.
118.
余艾柯 《大众科学.科学研究与实践》2013,(5)
正甘于寂寞,安于平凡,汤定元一生习惯于默默耕耘。更因为回国后的特殊事业,在很长一段时间里,与他熟识的外国学者曾一度认为他已经"从地平线上消失了"提起红外技术,今天的人们并不感到陌生。这一技术已渗人人类社会生活的方方面面,气象卫星、航天航空、遥感探测等诸多"上天入地"的高技术领域,均能看到红外的身影。然而若是要问,谁是我国红外 相似文献
119.
通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论了光生载流子屏蔽效应对p-i-n型探测器耗尽区光生载流子密度分布的影响,并分析了外加偏压、入射光功率以及载流子寿命对光生载流子屏蔽效应模型的影响.结果表明光生载流子屏蔽效应对器件性能的影响是非单调的,且通过调节外置偏压可以得到最大载流子漂移速度和最小器件响应时间. 相似文献
120.