铝锡轴承合金的摩擦磨损机理与性能

铝锡轴承合金对大型载重汽车、坦克、高速汽车、拖拉机等的高速高压柴油机的发展有重要的意义。提高铝锡合金的耐摩擦磨损性能可节省大量能源并延长零件的使用寿命,如何取得具有优良的耐摩擦磨损的铝锡合金成为研究的重点。本文介绍了提高铝锡合金的耐摩擦磨损性能的措施及其影响因素,总结铝锡合金中锡元素含量改变、合金元素的添加、热处理与制备工艺的改变对铝锡合金的显微组织以及耐摩擦磨损性能的影响。     

牛顿流体中表面活性剂对浮力驱动的单液滴动力学行为的影响研究

研究了不同粒径单液滴在去离子水中和加入表面活性剂的去离子水中的形变、上升速度和曳力系数等动力学参数，液滴当量直径范围290mm     

基于多元回归的高铁墩台沉降形变预测分析

高铁桥梁中的墩台形变在量级上呈现出较小的特征,且墩台在形变监测过程中时常会受到外界条件或随机噪声的干扰,使得采集的数据和后处理预测数据显现出较大的波动,给数据分析和后续的变形预测带来较大影响﹒本文将多元回归法引入到高速铁路桥梁的墩台变形分析数据预处理中,在顾及温度和荷载对墩台作用基础上,利用Matlab建立了多元回归预测模型﹒实验结果表明,相比传统的GM(1,1)预测模型,多元回归法具有一定的优势,预测结果与实际形变值更加接近﹒     

驱动信号频率对聚合物稳定胆甾相液晶网络形变的调控

聚合物稳定胆甾相液晶(PSCT),其动态响应源于液晶局部指向矢的重新排列。这个过程由介电耦合效应/自组装效应和聚合物网络形变来主导。通过调节驱动信号频率,可以控制聚合物网络形变。在一定范围内,增大驱动信号频率能抑制聚合物网络形变。降低聚合物网络形变程度和提高网络形变回复速度能有效地抑制器件的迟滞效应。结合PSCT的介电谱,初步探究了产生聚合物网络形变的原因。     

Cr-Mo钢大直径封头拼接成型技术

12Cr2Mo1R（H）钢制大型封头,一般可采用拼接后整体成形或分瓣成形后组焊。由于分瓣成形后组焊,工艺复杂、效率低,制造厂更趋向采用先拼焊后成形工艺,通过热成形后进行恢复性能热处理。若性能达不到要求,则需要去除拼缝位置焊肉重新焊接。若能选择合适焊接材料和工艺,保证热成形力学性能符合工程要求,不仅制造过程简单,且可显著降低成本。通过对12Cr2Mo1R（H）钢大直径封头采用埋弧焊方法拼接,封头在热成形后,经正火＋回火恢复材料性能热处理和焊后退火处理,焊缝金属力学性能和抗回火脆化性能均能满足工程要求。     

300mm直拉单晶硅生长缺陷研究

本文针对微电子工业的基础材料——单晶硅进行了其生长缺陷方面的研究,基于300mm掺氮直拉单晶硅的生长、原生氧沉淀等方面的热处理进行了详细分析,同时对极低电阻率的情况下分析了掺氮重掺砷和重掺磷直拉硅单晶的生长和氧沉淀等方面进行了应用分析。     

不同热处理温度下金属材料的声衰减系数特性

以牌号分别为1Cr17Ni2和2Cr13的两种不同材质的不锈钢(其中同种材料进行了不同温度的热处理)为例,利用一次和二次底面回波,对声衰减系数分别进行测量计算,并结合材料内部微观组织结构进行分析。结果表明,常温样品与经过热处理样品衰减系数之间存在较明显差异,而且在不同热处理温度点上材料的声衰减系数不一样。随着热处理温度不同,微观结构的第二相颗粒的变化与声衰减系数变化相吻合。因此,可以利用热处理手段来对材料"贴上标签",加以辨识,也可以对金属材料的其他性能作出评价。     

大型钢桁架结构铸钢节点制作研究

本文以金沙江路真北路人行天桥新建工程钢结构铸钢节点为实例,介绍了铸钢节点的深化设计和制作工艺,确保铸钢节点的精度、铸造质量满足设计和规范要求,值得类似工程推广应用     

高氮奥氏体不锈钢层片结构热处理调整

以0Cr21Mn17Mo2NbN高氮奥氏体不锈钢为实验材料,经1 140℃和10h固溶处理后,在750、850、950℃下进行不同保温时间时效处理,然后经1 020℃分别保温2、4h后水淬。实验结果表明,相同的保温时效时间内,850℃下析出最为明显。同一时效温度下,随保温时间延长,胞状析出物由晶界向晶内生长,形状呈层片状、条状、短棒状及颗粒状;850℃时效8、16h后经1 020℃保温4h,析出物球化现象比较明显。随着保温时间延长,硬度不断降低。     

热处理对以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响

采用阳极氧化法制备了Al_2O_3绝缘材料,并制备了以Al_2O_3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件(OTFT)。Al_2O_3绝缘层经过10 min 350℃氢热处理后,OTFT迁移率比未经氢热处理的增大近20倍,且阈值电压降到了-7 V。Al_2O_3膜MIS结构电容—电压(C–V)特性的平带电压平移量数据表明,Al_2O_3膜经过热处理后,并五苯半导体与Al_2O_3绝缘体界面处以及绝缘体内缺陷态密度显著地降低,Al_2O_3绝缘层和并五苯半导体层之间的接触得到改善,这使得经热处理Al_2O_3膜的OTFT器件性能得到显著的改善。