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41.
采用配合物热分解法制备了Mn位Sc掺杂La0.7Sr0.3MnO3的多晶相材料,考察了掺杂对结构,磁性和磁电阻性能的影响。结果表明,少量Sc的掺入可使体系Curie温度大大降低,电阻急剧增加,并可显著提高磁电阻效应。  相似文献   
42.
《科学24小时》2010,(6):53-53
据英国《每日邮报》报道,英国达拉谟大学的科学家表示,100亿年前发生的一场“灾变性事件”,使处于婴儿期的一个星系停止生成新恒星。他们认为,这或许可以解释为什么跟我们的银河系非常类似的早期巨星系在形成后很快便停止了生长。  相似文献   
43.
44.
从分析局域平衡理论框架内封闭热力学系统之熵产生与特性函数变率的关系入手,阐明了非平衡态的热力学特征,即非负耗散强度及非平衡线性区向最小耗散态演化的趋势,实际上是分别体现在热力学势的一阶及二阶变率层次上的状态演化方向。同时,提出了以巨势为基础的开放非平衡系热力学第二定律的表述形式,论证了在近平衡区与最小熵产生原理的等价关系。  相似文献   
45.
用差示扫描量热技术(DSC)和核磁共振技术(NMR)研究了脂质体相变温度与人参皂苷Rb_1的关系。结果表明,Rb_1使二棕榈酰磷脂酰胆碱相变温度降低、流动性增加,改善了细胞膜的功能。  相似文献   
46.
本文试图通过对传统教育理念和教育价值体系的分析,提出构建现代教育巨系统所面临的问题及其解决的基本思路。  相似文献   
47.
研究了准二维谐振势阱中粒子数有限的非理想玻色气体的热力学性质。利用巨正则系综的求和方法与平均场理论,给出了有限粒子数与原子间相互作用对系统势力学性质的共同修正;并将所得结果与三维时的情况进行了比较。结果表明:降低维数不能提高系统的临界温度;在准二维谐振系统中,有限粒子数对系统的影响随着粒子数的增大而减小直至消失,而相互作用的影响与粒子数无关,因此可以通过增大粒子数来提高准二维谐振系统的临界温度。  相似文献   
48.
磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层,利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析,结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应;15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。  相似文献   
49.
纳米Fe-In2O3颗粒膜的磁性和巨磁电阻效应   总被引:3,自引:0,他引:3  
张林  刘宜华  黄宝歆 《科学通报》2002,47(19):1465-1468
采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe-In2O3颗粒膜,研究了Fex(In2O3)1-x颗粒膜样品的磁性和巨磁电阻效应,实验结果表明;当Fe体积百分比为35%时,颗粒膜样品的室温磁电阻变化率△ρ/ρ0数值达到4.5%,Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ随温度(T=1.5-300K)的变化关系表达;当温度低于10K时,△ρ/ρ0数值随温度的下降而迅速增大,在温度T=2K时△ρ/ρ0达到85%,通过研究颗粒膜低场磁化率X(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线,证实当温度降低到临界温度Tp=10K时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变,Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ0在温度低于10K时的迅速增大,可能是由于纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品处于“类自旋玻璃态”时存在特殊的导电机制所造成的。  相似文献   
50.
系统研究了快淬Cox/Cu100-x(5≤X≤30)合金的磁性以及退火处理对磁性的影响。随退火温度的上升,Co颗粒在长大。当Co含量增加时,饱和磁化强度Ms和箸顽力Hc增大。Co含量少的样品,退火处理对磁化曲线影响大,Co含量多的样品与之相反。随退火温度TA升高,矫顽力Hc和剩余磁化强度Mr增大。在特征冻结温度(300K)下观察到一个大热滞效应。这个热滞温度远大于在ZFC曲线的峰值温度,这表明磁性颗粒的尺寸及形状有一较宽的分布。  相似文献   
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