叶用银杏林配方施肥效应初报

文章对银杏采叶林氮、磷、钾不同配比的施肥效果进行了研究。试验结果表明N、P、K不同配比施肥后，对银杏的叶片面积、单叶质量和单株产叶量有明显的增长效果，增长幅度分别为：9．2％-22．5％、14．3％-29．5％和19．0％-55．1％。尤以N：P2P5：K20为6：2：2的配比最为显著，增长幅度分别为22．5％、29．5％和55．1％。     

电阻抗法在细菌耐药性试验中的应用

将电阻抗法应用于医学临床细菌耐药性试验。笔者用自制的微生物电阻抗传感器和电阻抗测量装量,通过测量接种细菌的培养基电阻抗值(V值),并将细菌在培养期间内取得的所有V值描记成“阻抗曲线图谱”,因细菌培养基所产生的阻抗曲线图谱与在细菌培养基中滴加了抗菌药物所形成的阻抗曲线图谱形态有明显差别,利用这种曲线形态的差别尝试用来判断细菌的耐药性、该研究对实现医学临床快速耐药性试验,药敏检测自动化、智能化有一定的实际意义．     

不同相思根瘤菌株接种厚荚相思幼苗效应的比较

从不同立地条件的6种相思林中采集根瘤并分离14株根瘤菌,将其接种到厚荚相思幼苗。结果表明,从广西本地分离的土根瘤菌比对照菌株L1(从中国林科院引进的外来优良菌种)有更好的共生效应。从综合效应看,多数菌株接种的厚荚相思幼苗与对照相比,其苗高生长量增加4．5％～18．6％,地径生长量增加2．5％～46．8％,固氮酶活性提高7．6％～241．8％,叶绿素含量提高11．0％～19．1％,叶片硝酸还原酶活性提高3．3％～34．4％,叶片含氮量提高7．4％～43．8％,叶片含磷量提高9．1％～72．7％,叶片含钾量提高8．39／6,叶片合钙量提高7．3％～41．5％,叶片含镁量提高12．5％～25．0％,叶片含铁量提高10％以上。     

建立水体沉积物重金属质量基准的方法研究进展

利用20世纪90年代以来加拿大、美国佛罗里达、澳大利亚、新西兰、英国、荷兰及中国香港等国家和地区水体沉积物质量基准研究的最新资料，综述了建立水体沉积物重金属质量基准的方法研究新进展，重点介绍了目前国际上广泛采用的用于制定沉积物质量基准的两种方法-基于生物效应数据库的响应型阈值法(生物效应数据库法)和基于分配模型的相平衡分配法。     

M-M型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应

探讨了M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的物理机制，指出了影响颗粒膜巨磁电阻效应的因素，推导出M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的计算公式。     

步进电机细分驱动中绕组电流的修正

在步进电机细分驱动系统中，由于步进电机绕组电流与磁场幅值之间的非线性关系，以及步进电机转子的磁滞效应等因素，细分后得不到均匀的步距角，因此必须对细分电流的大小进行修正，讨论了修正的方法，并给出了修正后的实验数据。     

表面活性剂对导电PPY固体铝电解电容器性能的影响

研究了表面活性剂对以导电聚吡咯(PPY Polypyrrole)为阴极的固体铝电解电容器性能的影响.由于电容器的介质膜Al2O3表面状态对沉积其上的PPY薄膜电导率及电容器的电性能影响较大,因此,在对Al2O3介质膜的表面形貌、带电状态和润湿等表面状态进行研究分析的基础上,提出了一种在化学聚合PPY膜时在吡咯单体溶液中添加表面活性剂的新方法.实验结果表明,化学聚合时添加表面活性剂可以使PPY在凹凸不平Al2O3表面充分均匀成膜并且提高了电导率(例如,在比容同为4.3μF/cm2阳极铝箔上的Al2O3膜表面沉积PPY薄膜时,添加与不添加表面活性剂形成的PPY薄膜电导率分别为16.6S/cm和5.4S/cm),所制成的电容器损耗角正切值可降低至0.026,漏电流减小,漏电流常数k值达0.04μA/(μF·V),并具有优良的阻抗频率特性和温度特性.     

巨磁电阻效应

重点综述了磁性多层膜、颗粒膜、钙钛矿型氧化物及铁磁薄膜隧道结等几种不同结构类型的巨磁电阻效应的研究现状及其进展情况,并简述了巨磁电阻的物理机制及磁传感器、随机存储器和高密度读出头等几方面的应用,还涉及到了制备这些巨磁电阻材料的常用方法,并列举了10种不同组分的巨磁电阻材料,还说明了特大磁电阻和巨磁电阻的不同。     

高压气体在微圆管中的流动特性

在高压条件下,试验研究氮气在直径为14.9、10.1、5.03、2.05μm微圆管中的流动特性。结合毛管束模型,研究气体的高压微尺度流动特性对气体在低渗多孔介质中渗流特性的影响。结果表明:气体在14.9μm微圆管中的高压流动特性与经典流体力学规律相符;随着管径的减小,气体的流动出现了明显的微尺度效应,表现为实测流量偏离经典流体力学理论预测流量,且管径越小,这种微尺度流动效应越显著;研究稀薄气体效应时提出的Kn数不能用来表征高压条件下气体的微尺度效应;气体在微小孔喉中的高压微尺度流动效应导致气体在低渗多孔介质中的渗流具有非达西渗流特征,表现为实际渗透率大于由经典H-P方程和达西公式计算的绝对渗透率。     

极化电压与铁电场效应晶体管漏极电流的稳定性关系

设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管（FFET）,并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电流的大小.当Pr增加时,Id随之增大.当FFET饱和极化后,Ps/Pr值增加,Id增大.FFET可以在特定极化电压（Vp=1.5 V）极化后,实现漏极电流的稳定输出,减小了Ps/Pr变化对FFET器件性能的影响.该漏极电流稳定输出时的极化电压值受到矫顽场Ec的影响,且Vp随Ec的减小而降低.