BEPCⅡ工程直线加速器正电子调束取得成功

北京正负电子对撞机重大改造工程(BEPCⅡ)继2004年11月19日将电子束调试到直线加速器的末端，保证储存环同步辐射专用运行，并提供BESⅢ探测器研制所需的试验束之后，于2005年3月19日成功将正电子束调到直线加速器出口，初步定标流强达45mA(改造前BEPC正电子流强为3-5mA)，正电子能量达1．3GeV，已能够为储存环提供正电子进行机器研究。这标志着BEPCⅡ直线加速器改造又向前迈出关键一步。     

信息化陆战场多传感器系统可靠性模型

信息化陆战场上,多个传感平台(装备)综合集成为多传感器系统以实施信息收集与融合,故需要对其可靠性模型问题进行探讨。采用将战术任务转化为技术体系结构的方法,从系统及其组成部分的工作原理和功能关系出发,提出了多传感器系统的作战体系结构和功能体系结构,并在故障描述的基础上,建立了其可靠性框图与可靠性数学模型。对多传感器系统进行的可靠性预计与分配,表明该可靠性模型可以应用于可靠性研究、分析和设计中。     

花岗岩残积土双孔结构的蒸发脱湿机理

为研究花岗岩残积土蒸发脱湿过程中的水分运移规律,对深圳花岗岩残积土进行了一系列核磁共振测试和微观试验,分析了花岗岩残积土双孔结构的成因,对比了不同饱和度下残积土的水分分布规律,提出了残积土双孔结构的水分运移机理. 结果表明：氧化铁等胶结物与高岭土片层形成了花岗岩残积土的微孔结构;微孔结构与不易受扰动的大孔结构组成残积土的双孔结构;微孔结构和大孔结构在高饱和度下相互连通,在低饱和度下水力连接中断;双孔结构间水分同步蒸发,大孔结构向微孔结构的补给随着蒸发进行而减少. 本研究可为研究复杂土体结构水分蒸发过程提供一定的理论基础.     

双模随机晶体场对混合自旋1/2和自旋1纳米管上相变的影响

本文利用有效场理论研究了自旋1/2和自旋1混合Blume-Capel模型在具有双模随机晶体场的圆柱形Ising纳米管上的磁化和相变. 通过数值计算,我们得到了随温度和随机晶体场参数变化的相图和磁化强度. 结果表明: (1) 改变晶体场的概率和比例,双模随机晶体场可以描述不同掺杂原子对自旋的作用;(2) 对于一定的概率值、负或正的晶体场和晶体场的比例值都存在临界点;(3) 系统显示多种相变温度,一阶相变和二阶相变.     

等离子体窗密封性能实验研究

等离子体窗具有高真空密封性和良好的束流通过性,在电子束焊接、加速器等领域有很大的应用前景. 针对传统等离子体窗应用孔径小的问题,本文在优化的三阴极源基础上研究了通道直径为7 mm和8 mm等离子体窗的密封特性,以及Ar、He、H2三种等离子窗压降系数随输入电流和气流量的变化关系. 结果显示,在输入电流120~210 A、气流量1000~5000 sccm范围内,Ar等离子体窗的压降系数随输入电流、气流量的增加呈先上升后下降的变化趋势,He、H2等离子体窗的压降系数随输入电流的增加逐渐上升,但随着气流量的增加,He等离子体窗的压降系数先上升后下降,H2等离子体窗的压降系数逐渐下降. 本实验获得的等离子体窗最大压降系数为2550,可隔绝的最大高压为1 atm,与已报道文献相比具备较好的竞争优势,展现了良好的密封性,在未来加速器等领域有很大的应用潜力.     

四川省鱼类寄生粘孢子虫：II.四极虫,球孢虫,冠孢虫和 …

记述四川省四极虫Ｃｈｌｏｒｏｍｙｘｕｍ Ｍｉｎｇａｚｚｉｎｉ３种,球孢虫Ｓｐｈａｅｒｏｓ ｐｏｒａ Ｔｈｅｌｏｈａｎ１种,冠孢虫Ｍｉｔｒａｓｐｏｒａ Ｆｕｊｉｔａ３种,粘体虫Ｍｙｘｏｓｏｍａ Ｔｈｅｌｏｈａｎ６种。四极虫２新种,即黄颡四极虫,新种Ｃｈｌｏｒｏｍｙｘｕｍ ｐｅｌｔｅｏｂａｇｒｕｓ Ｍａ,ｓｐ．ｎｏｖ．,马边四极虫,新种Ｃｈｏｌｒｏｍｙｘｕｍ ｍａｐｉｅｎｓｉｓ Ｍａ ｅｔ Ｚｈａｏ,     

直线电机瞬态特性的场路耦合分析法

运用磁网络法,进行了单边直线感应电动机的性能分析。提出了此种电机的磁网络模型,由电磁场方程导出了磁网络的参数,从而考虑了直线电机边端效应、绕组不对称分布等结构特点。场路耦合及机电耦合法的运用,使文中提供的分析模型更接近实际情况,适合于动态特性的分析     

专利制度在科技经济发展中的重要作用

专利制度在科技经济发展中具有重要的作用：专利制度是一种竞争激励机制,是维护市场公平、有序竞争的重要保障;是科技进步的加速器;为企业应用专利保护鼓励发明创造,参与市场竞争提供了重要武器;是实现我国经济与国际经济接轨的重要桥梁之一。     

伪黎曼流形上的2—阶对称张量场

对伪黎曼流形上的２－阶共变对称张量场,如果它的Ｊｏｒｄａｎ指标在一个邻域上是常数,我们能构造这个邻域上的局部正交光滑标架场,使这个张量场关于构造的标架场的分量矩阵有标准形式,由此可使用活动标架法伪黎曼形特别是Ｌｏｒｅｎｔｚ场形上的一些重要定理给出新的简洁证明。     

一种修正的窄缝电磁耦合FDTD算法

电磁脉冲通过窄缝的耦合计算是电磁兼容研究中的一个重要问题,现有算法存在着一些局限或不足.为得到一种能够反映窄缝实际耦合特点的算法,研究了Wang的窄缝算法中的不足,并基于其提出了一种修正的窄缝电磁耦合FDTD算法,即假设窄缝所在网格上的电磁总场在面向入射场源的窄缝一侧是随离窄缝距离增加而增强的,而在背向入射场源的窄缝一侧是随离窄缝距离的增加而减弱的.用该算法对ESD电流注入细导线产生的电磁场与窄缝的耦合进行了计算.计算结果表明了该算法的正确性.