OFDM系统中的峰值平均包络功率比上下界的分析

本文主要对OFDM系统中的峰值平均包络功率比(PMEPR)的上下界进行了推导.推导结果表明,PMEPR的上界仅和数据序列的非周期自相关函数有关,这对于迅速去除PMEPR超过给定门限的数据序列是非常有用的.从推导的PMEPR下界看,只有当子载波数N很少时,它才会随N变化较大.针对一个16子载波的BPSK OFDM系统,本文借助于PMEPR的上界还对一种降低PMEPR的选择性映射技术进行了分析,并给出了所有可能信息序列的PMEPR分布.分析结果表明,最大PMEPR约为6.5dB,比最坏情况下的PMEPR减少了5.5dB.     

电桥线路功率灵敏度的研究

从电桥线路功率的角度出发,讨论了电桥线路的灵敏度,得出了电桥功率灵敏度的表达式,该式比电流灵敏度公式简单,并能够反映电桥电路的实际情况。     

特定最大功率传输问题探讨

本文通过理论计算给出几种特定情况下的功率传输问题。     

基于串口通信的数控车床功率数据采集

本文详细介绍了用VB语言进行串口二进制数据传输的方法,利用此技术完成WB传感器感应车床功率大小的数据采集,并对采集的数据进行了图像动态显示.采集的数据可用于判断车床是否处于正常工作状态.     

反应堆功率流量保护中智能化的研究

本文介绍了反应堆超功率保护、超功率流量比保护、一回路断流量事故保护及泵高速低流量和泵低速过低流量保护等系统中利用一台微机实现安全保护智能化的研究。文中以××反应堆为母型,根据反应堆运行时对上述安全保护系统的要求介绍了微机控制的保护功能、为实施这些功能所采用的硬件及应用软件流程,指出了在反应堆功率流量保护中利用微机实现智能化的特点。     

功率放大器非线性技术分析及解决方法

本文阐述了微波功率放大器非线性产生的原因,以及不同应用系统对微波功率放大器线性度的要求,介绍了几种提高线性度的方法:功率回退法、预失真法、前馈法。并比较了这三种方法的优缺点。     

绝缘栅双极晶体管研究与中试

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行，在国内的生产更是空白，国内的器件应用全靠进口。     

射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu2ZnSnS4薄膜

采用射频溅射技术沉积Cu／Sn／Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明，通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有（221）择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明，样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0．073Ω·cm，10^4cm^-1和1．53eV，具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。