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51.
针对单根碳纳米管测试的困难,用丝网印刷的方法制作了一种碳纳米管薄膜电阻.测量其热敏特性表明:其阻值随温度有明显的变化,并具有线性关系,通过线性拟合计算得到其电阻率温度系数为-4 79×10-6Ω·m/℃.研究结果表明,碳纳米管可望作为一种特殊的温度传感器用在功能服装中. 相似文献
52.
用溶胶-凝胶法制备了Li4 xBxSi1-xO4-yLi2O(x=0.1-0.6;y=0.0-0.5)离子导体材料,并用DTA-TG,XRD及交流阻抗等技术对样品进行了测试,结果发现用溶胶-凝胶法可降低Li4 xBxSi1-xO4的合成温度;随Li2O的掺入可增强基质材料的致密性并可提高其离子的导电性能。 相似文献
53.
介绍了一种基于ActiveX技术的温度采集系统.此系统由上位微机、RS-232/485转换器、温度采集模块以及热电偶组成.上位机使用VB编程,并将程序封装成ActiveX控件的形式,可以很容易地移植到其他应用程序中;下位机使用研祥公司生产的电阻式温度检测器(RTD)亚当模块ARK-14013,能很方便地与上位机连接.现场实验结果表明此系统能完成实时温度数据采集的功能,并具有较强的可操作性和稳定性. 相似文献
54.
分析并推导了含有非线性流控型电阻元件和非线性压控型电阻元件组成的非线性电阻网络的故障诊断方程,这是以支路故障标志量为未知的一组线性代数方程。在推导非线性元件的“故障标志量”时,消除由工作点变化引起的电参量的变化,保留由伏-安特性变化引起的电参量变化,它标志非线性元件本身发生了故障;文章还提出一种神经网络,可在线快速求解非线性电阻网络的故障方程的解,从而可在线对故障进行定位。 相似文献
55.
针对一般数字万用表测量200MΩ以内大电阻误差大、200MΩ以上大电阻无法测量的缺点,利用其输入电阻大、直流电压测量范围大的优点,研究出了能较准确测量200MΩ—几十GΩ大电阻的新方法,介绍了其测量原理。并对该法的测量范围和误差进行了分析。 相似文献
56.
低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20/Cu的结构与磁电阻 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu金属多层膜,在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化,在Cu层厚度tCu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×10^4A/m和8×10^3A/m低温下(77K)磁电阻为33.2%和27.6%,系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响,用真空退火 相似文献
57.
简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法、常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性,最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。 相似文献
58.
阐述了开关电器触头的接触电阻增大的原因及由此产生的后果,介绍了测量触头间接触电阻的方法,并提出了限制触头接触电阻增大的措施. 相似文献
59.
本文以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础,推导出RG-MOSFET一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。 相似文献
60.
刘一林 《贵州师范大学学报(自然科学版)》1997,(4)
在R L C电压分布实验中,以镇流器作为电感元件是一个很方便的办法。但这种做法的缺点是准确度很差。对此,本文提出一个改进的可行方法。即将镇流器的功率损耗看成一个电阻的损耗 相似文献